近期全球儲存概念股遭到拋售，韓國的“儲存晶片雙雄”三星電子和SK海力士股價近期大幅下跌。7月13日SK海力士跌近15.4%，創紀錄最大跌幅，三星電子跌近11%。
A股儲存概念股集體回呼。7月13日，儲存晶片概念盤中持續下挫，截至收盤，香農芯創跌停，普冉股份、北京君正、佰維儲存跌超12%、兆易創新、江波龍均跌超10%。
環球同此涼熱，美股盤前閃迪跌超6%，美光跌超5%。
妙投認為，儲存晶片正在從”超級上行周期”進入一個”高位震盪期”。價格繼續暴漲的空間已經不大，但短期內也不太可能出現斷崖式下跌。HBM的結構性短缺仍在支撐基本面。
但不得不說，儘管AI對記憶體的需求是真實且持續的，三巨頭的寡頭格局也依然穩固。但這個故事”最容易賺錢”的階段，已經過去了。
股價雖然時不時震盪，但技術升級卻會一直向前。作為全球DRAM晶圓製造裝置市場份額第一的裝置廠商應用材料（AMAT）認為，未來幾年儲存產業將迎來新一輪技術升級周期。
公司預計，DRAM晶圓製造裝置投資（DRAM WFE）增速將超過NAND的兩倍以上；與此同時，在晶圓代工/邏輯晶片領域，先進製程裝置市場規模將增長50%以上。
應用材料認為，未來DRAM產業將迎來五大技術拐點：
第一，EUV（極紫外光刻）使用率持續提升。
在傳統6F² DRAM架構下，廠商將進一步提高EUV光刻的採用比例，以持續縮小DRAM儲存單元（Memory Cell）以及外圍邏輯的尺寸，提高儲存密度。
第二，外圍邏輯持續升級。
未來DRAM廠商將沿用晶圓代工先進邏輯製程的發展路線，在外圍邏輯中採用更加先進的電晶體結構和金屬互連技術，從而進一步提升性能並降低功耗。
第三，CMOS Bonded Array（CMOS鍵合陣列）架構。
這一新架構將儲存陣列和外圍邏輯分別製造在兩片獨立晶圓上，隨後通過晶圓鍵合進行整合，實現更高性能、更高良率以及更大的設計靈活性。
第四，採用垂直電晶體的4F² DRAM架構。
相比目前主流6F² DRAM，4F²架構能夠進一步縮小儲存單元面積，大幅提升DRAM容量，被視為未來的重要發展方向之一。
第五，3D DRAM。
未來DRAM將像3D NAND一樣，逐步邁向三維堆疊架構。應用材料認為，憑藉其目前領先的薄膜沉積和刻蝕技術，公司已具備支援3D DRAM製造的核心技術能力。
除了DRAM之外，應用材料還指出，先進封裝將迎來兩大重要技術拐點：
一是從矽中介層向面板級封裝演進。未來先進封裝基板將逐步從傳統矽中介層轉向更大尺寸的面板級基板，這不僅有助於降低成本，還能夠支援尺寸更大的AI加速器封裝，滿足超大規模AI晶片的發展需求。
二是電子束（eBeam）技術將進入先進封裝領域。目前，eBeam（電子束）技術主要應用於先進邏輯製程和DRAM製造中的檢測、量測及工藝控制。未來，該技術也將逐步匯入先進封裝流程，提高封裝精度、良率和製造效率。
應用材料認為，未來DRAM產業將經歷從EUV普及、外圍邏輯升級、CMOS鍵合、4F²垂直電晶體到3D DRAM的五大技術演進。
與此同時，先進封裝也將加速向面板級封裝和eBeam工藝發展。這些技術升級意味著未來幾年DRAM和先進封裝裝置需求有望持續增長，並推動新一輪半導體裝置投資周期。 (印科技)