全球記憶體市場可能正在進入一個更長期的供需緊張周期。
根據市場研究機構 Citrini Research 的預測，即使考慮中國記憶體廠商擴大產能，到2030年全球 DRAM 市場仍可能出現大規模供應缺口，缺口規模預計達到 28.7EB（Exabyte，百億億字節）。
這一數字約佔2030年全球 DRAM 總需求的18%左右，同時接近當前全球 DRAM 總產能水平，意味著未來幾年記憶體供應壓力可能持續存在。
2030年DRAM需求將超過供應
Citrini Research 研究員 Zephyr 在社交平台分享的資料顯示，到2030年，全球 DRAM（包括 HBM 高頻寬記憶體）需求預計達到 157.5EB，而供應能力約為 128.8EB，兩者之間存在約 28.7EB缺口。
研究認為，即便中國記憶體廠商（例如長鑫儲存）持續擴大產量，全球 DRAM 供需仍難以實現平衡。
其中，普通DRAM（General DRAM）仍將是最大的瓶頸。
報告預測，到2030年，DRAM市場供應缺口可能從目前約18%擴大至25%左右。
AI伺服器成為最大需求推動力
造成記憶體供需緊張的核心原因，是人工智慧基礎設施的快速發展。
近年來，大模型訓練和推理對記憶體容量、頻寬的需求不斷提升。尤其是 HBM 已經成為 AI 加速器的重要組成部分，而傳統伺服器 DRAM 需求也隨著 AI伺服器規模擴大持續增長。
Citrini認為，目前的預測甚至沒有完全計入“物理AI”的需求，例如人形機器人、自動駕駛汽車等未來應用。
研究員Zephyr 表示，即使當前對資料中心和AI需求的預測偏高，未來物理AI帶來的新增需求也可能補足這一部分。
當前全球DRAM產能仍遠低於未來缺口規模
這一預測之所以引發關注，是因為28.7EB的缺口規模非常巨大。
目前市場估計，2026年全球 DRAM 年產能約為 40EB。
也就是說，到2030年預計出現的供應缺口，已經接近當前全球一年DRAM產能規模。
這意味著，即便三星、SK海力士、美光以及中國廠商持續擴產，新增產能仍可能被快速增長的AI需求吸收。
DRAM價格可能長期維持高位
Citrini預計，未來普通DRAM市場可能長期處於供不應求狀態。
研究認為，到2030年，通用DRAM供應約為91EB/年，而需求可能達到120EB/年，形成約25%的供應缺口。
在這種情況下，DRAM平均售價（ASP）可能保持高位，預計維持在：1.5美元/Gb～2美元/Gb。
這意味著伺服器、PC以及消費電子領域的記憶體成本可能長期承壓。
AI效率提升是否能緩解需求？
當然，也存在另一種可能：AI模型效率提升降低記憶體需求。
例如，Google此前推出的TurboQuant 演算法，可以通過量化技術降低模型執行階段的記憶體開銷，理論上能夠減少AI系統對記憶體容量的需求。
但市場也存在另一種觀點：效率提升並不一定減少硬體需求，反而可能降低AI應用成本，從而推動更多AI應用落地，最終帶來更大的算力和儲存需求。
因此，未來DRAM市場可能面臨一個類似半導體周期中的新局面：技術進步提高效率，但更低成本又刺激新的需求增長。
對於三星、SK海力士和美光而言，AI時代正在改變記憶體行業的周期規律。過去記憶體市場經常經歷“擴產—過剩—降價”的循環，而未來幾年，AI伺服器、高性能計算和新興智能裝置可能讓記憶體進入更長時間的緊平衡階段。 (費曼的AI實驗室)