台積電最新披露，面向1.4奈米級晶片的A14製程研發進展順利，關鍵性能指標和測試晶片良率在最近三個月明顯提升。目前，A14的器件性能完成度和256Mb SRAM測試晶片良率均已接近90%。

按照台積電規劃，A14預計於2028年下半年進入量產，主要面向高端智慧型手機、個人計算裝置以及AI和高性能計算晶片。台積電表示，目前相關客戶的參與度較高，部分客戶的晶片設計流片工作已經提前展開。

三個月內良率明顯提高

台積電在今年4月披露時，A14的目標器件性能完成度超過85%，256Mb SRAM測試晶片良率超過80%。

到了7月，這兩項資料均已接近90%。這意味著，短短約三個月內，器件性能進一步提升，SRAM測試晶片良率也提高了接近10個百分點。

作為對比，台積電第一代GAA奈米片工藝N2在類似研發階段的SRAM測試晶片良率僅超過50%，後來經過約一年才提升到80%以上。雖然不同工藝的測試條件不能完全直接比較，但目前的資料表明，A14的成熟速度明顯快於當年的N2。

一個重要原因是，N2是台積電首次使用GAA環繞柵極奈米片電晶體的工藝，而A14採用第二代GAA電晶體。台積電可以直接利用N2研發和量產過程中積累的電晶體設計、材料和製造經驗，減少新工藝匯入時遇到的問題。

性能提升10%至15%

A14將結合台積電第二代GAA奈米片電晶體和新的標準單元架構，重點改善晶片性能、功耗和電晶體密度。

與N2相比，台積電預計A14可以實現：

在相同功耗和電晶體數量下，性能提高10%至15%；在相同性能和晶片複雜度下，功耗降低25%至30%；混合晶片設計的電晶體密度提高約20%，純邏輯晶片密度提高約23%。

這些提升意味著，晶片廠商可以在相近的晶片面積和功耗下放入更多計算單元，也可以在保持性能不變的情況下，降低晶片執行階段的耗電和發熱。

AI與手機客戶都在推進設計

台積電CEO魏哲家表示，公司已經看到來自智慧型手機和HPC、AI領域客戶的強烈興趣。目前，客戶的新晶片流片工作正在進行，而且整體進度快於原定計畫。

A14雖然沒有採用台積電的Super Power Rail背面供電技術，但仍獲得了AI和高性能計算客戶的關注。這說明，對於部分AI晶片來說，第二代GAA電晶體帶來的性能、功耗和密度提升，已經具有較強吸引力。

不過，接近90%的SRAM測試晶片良率，並不代表複雜CPU、GPU或者AI加速器的最終產品良率也能達到90%。SRAM測試結構較為規則，主要用於評估工藝缺陷密度和製造一致性，複雜商業晶片還需要經過更長時間的驗證。

從目前進度看，A14的研發風險正在降低。若後續複雜晶片驗證、設計工具和客戶產品開發均能按計畫完成，A14正式量產時的初期良率可能好於以往新工藝，甚至存在提前進入大規模製造階段的可能。但台積電目前給出的正式量產時間仍是2028年下半年。 (費曼的AI實驗室)