英特爾首款基於Intel18A製程的AIPC平台今年晚些時候，Panther Lake將在位於亞利桑那州的英特爾最新晶圓廠進入大規模量產。英特爾首席執行官陳立武站在位於亞利桑那州錢德勒市的英特爾Ocotillo園區中，正手持代號為Panther Lake的英特爾酷睿Ultra處理器（第三代）的晶圓。Panther Lake是首款基於Intel 18A製程工藝節點打造的客戶端SoC。（圖片來源：英特爾公司）英特爾發佈 18A 製程新品，年底美國量產英特爾近日公佈重大技術進展，首款基於 Intel 18A 製程的客戶端處理器 Panther Lake（第三代酷睿 Ultra）已進入生產階段，將於今年晚些時候在亞利桑那州錢德勒市 Fab 52 工廠大規模量產，首款 SKU 年底前出貨，2026 年 1 月全面供應。同時，首次展示基於同款製程的伺服器處理器 Clearwater Forest（至強 6+），計畫 2026 年上半年推出。英特爾世界首款 1.8nm 要點1、世界首款：預覽三代酷睿 Ultra（Panther Lake），首款 18A 製程客戶端 SoC；2、生產進展：Panther Lake 已投產，按計畫推進，有望成熱門 PC 平台；3、伺服器新品：首展至強 6+（Clearwater Forest），18A 製程，功耗性能大進；4、核心製程：Intel 18A 是英特爾最先進半導體節點（1.8nm）；5、製造保障：亞利桑那 Fab 52 已營運，今年晚些時候 18A 量產，鞏固領先。Panther Lake 作為首款 18A 製程客戶端 SoC，採用可擴展多芯粒架構，最多配備 16 個全新性能核與能效核，CPU 性能較上一代提升超 50%；全新銳炫 GPU 含 12 個 Xe 核心，圖形性能提升超 50%，平台 AI 算力達 180 TOPS，可支撐消費級與商用 AI PC、遊戲裝置及機器人等邊緣應用。伺服器級的 Clearwater Forest 最多含 288 個能效核，IPC 提升 17%，在密度、吞吐量與能效上大幅最佳化，專為超大規模資料中心、雲服務商及電信營運商打造，助力降低能耗。Intel 18A 是英特爾首個 2 奈米等級製程，相較 Intel 3，每瓦性能提升 15%，晶片密度提升 30%，核心創新包括 RibbonFET 全新電晶體架構與 PowerVia 背面供電技術，結合 Foveros 3D 堆疊技術最佳化性能與擴展性。該製程將支撐未來至少三代客戶端與伺服器產品研發，Fab 52 工廠的全面營運標誌其製造能力升級，CEO 陳立武稱此為計算時代新飛躍，將推動英特爾業務創新。英特爾首席執行官陳立武表示：“得益於半導體技術的巨大飛躍，我們正邁入一個令人振奮的全新計算時代，這些技術進步有望塑造未來數十年的發展。結合領先的製程技術、製造能力和先進封裝技術，我們的新一代計算平台將成為推動公司各業務領域創新的催化劑，助力我們打造一個全新的英特爾。”(芯榜)

你手裡的智慧型手機、筆記型電腦、甚至電動汽車，都有一個共同點。它們的“智慧”來自奈米級晶片。晶片越小，性能越強。要製造這種細如髮絲百分之一的線路，人類使用的是一種聽上去像科幻電影的技術：極紫外光刻（EUV Lithography）。這項技術的核心，是一種波長只有 13.5 奈米的特殊光，EUV光。比可見光短20倍，比X光長一點。但你知道嗎？這種光不僅看不見，還不能用透鏡聚焦，只能靠鏡子反射，而且必須在真空中運行。這究竟是為什麼？這束神秘的EUV光又是怎麼造出來的？讓我們一步一步揭開它的秘密。01什麼是EUV光？EUV，全稱是 Extreme Ultraviolet，中文叫“極紫外線”。它是電磁波譜中一種介於紫外線和X射線之間的光，波長為 13.5 奈米。這相當於人類頭髮直徑的約 1/5000。在光刻中，光的解析度（成像最小線寬）大致取決於它的波長。波長越短，就越能“照清楚”更小的結構。EUV 之所以重要，是因為它的短波長能突破以往193奈米ArF光刻的極限，實現2nm以下的晶片工藝。02EUV光從那兒來？你可能以為，只要造個短波長的雷射器就能搞定。但現實是：EUV波長太短，現有的傳統雷射器根本做不到。所以工程師們想出了一種非常野路子，但又極其巧妙的方案：用電漿體炸出來的光！工藝名稱：LPP（Laser Produced Plasma）基本原理是這樣的：1. 釋放一個微小的錫（Sn）液滴，直徑只有幾十微米；2. 用高功率CO₂雷射轟擊這個液滴，把它瞬間加熱到幾萬攝氏度；3. 錫在高溫下被電離，變成電漿體，發出強烈的電磁輻射；4. 這些輻射中有一小部分，恰好是13.5奈米波長的光；5. 通過多層反射鏡系統提取出這部分光，形成EUV光源。這種方法每秒鐘要產生5萬次小爆炸，極其精密複雜。03為什麼EUV光不能用透鏡聚焦？EUV 的另一個“脾氣”是：它根本不能穿透任何玻璃或透鏡。這是因為：EUV 光在接觸普通材料（玻璃、空氣）時，會被完全吸收；連最薄的石英窗都無法讓13.5nm的光穿過。更別說用透鏡聚焦了。EUV系統只能使用多層反射鏡；每個鏡子是由約40層不同折射率的材料（如鉬/矽）疊加而成；每面鏡子僅反射60-70%的能量；光路最多經過6~8個反射鏡，能量損失極大；所以光源必須非常強。04為什麼EUV光刻必須在真空中？很簡單，因為：空氣會把EUV光完全吸收。那怕幾毫米的空氣層，就能讓13.5nm的光徹底“消失”。所以整套EUV系統，從光源、掩模到晶圓，必須全程在高真空環境下運行，而且封閉系統中不能有一點塵埃。這也解釋了為什麼ASML製造EUV光刻機時，需要一個高達180噸的超大腔體，全封閉、抽成真空，並維持極高的潔淨度。05EUV光刻機到底有多難造？光源功率400W 以上（以前幾十瓦都困難）。光斑頻率5萬次/秒液滴轟擊。真空系統<10⁻⁶ Pa 高真空環境。鏡面精度表面誤差 <0.1nm。系統成本超過 1.5億美金製造周期，單台裝置裝配 + 偵錯 >1年全球能造這種機器的公司只有一家：荷蘭的 ASML，核心反射鏡由德國蔡司負責，幾乎沒有備選方案。06那為什麼要費這麼大勁搞EUV？總結下來有三點：1. 只有EUV能滿足2nm及以下的解析度需求；2. 相比多重曝光、浸沒光刻等老辦法，EUV更高效；3. 電晶體密度更高、能耗更低、晶片性能更強。儘管EUV初期投入巨大，但對於先進製程（7nm/5nm/3nm）而言，已是必選項而非“可選項”。07結語每一次晶片的躍遷，背後都是物理極限的突破。EUV光刻，堪稱現代工程的奇蹟。它將天文望遠鏡的光學、多次反射鏡的精度、電漿體的混沌控制、以及雷射與真空系統結合在一起，為我們打開了一扇製造未來晶片的大門。當你看到晶片從5nm進步到3nm，不只是數字的變化，那是整個人類光學、材料、熱控、電子工程協同努力的結晶。 (羅羅日記)

台積電在今(2024)年北美技術論壇發表A16製程，進軍埃米級晶片，將運用「超級電軌」架構，預期能大幅提升晶片效能外，還能在延續摩爾定律前提下，繼續打造更微小晶片，其中，「晶背供電方案」更被視為台積電最新黑科技，有望在下一階段埃米級戰爭中取得領先優勢，而不少國際大廠也正投入佈局，對此，《經濟日報》整理相關資訊，供讀者參考比較。 根據台積電官網資訊指出，目前研發中的A16製程是下一代的納米片（Nanosheet）電晶體技術，並採用獨家「超級電軌」技術（ SPR ；Super Power Rail），其中，包含背面供電解決方案。 1 晶背供電是什麼？ 由於原先技術利用後段製程，在硅晶圓正面進行IC 等元件堆疊，相關電源線、訊號線亦是如此，不過，隨著層數越多，除了晶片本身的散熱問題會被更加凸顯外，供電系統進入後段製程複雜度增加，同時，也會有IR壓降（IR Drop）升高的風險，若IR壓降無控制，嚴重恐導致晶片出「Bug」，不僅如此，大部分元件集中在正面，也無助於進一步縮減晶片尺寸。

人類社會正悄悄從網路時代切換到算力網時代。 鮮少有人感知到的是，時代轉折序曲中，遇到的第一批實體障礙，除了GPU、HBM，還有交換機——此前市場鮮有關注的交換機，正在扼住AI算力的咽喉。 全面出擊的輝達VS蓄勢反擊的聯盟，是GPU、HBM之後AI的第三場戰爭：一場科技史上圍繞交換機的精彩對決即將上演。 01 思科後遺症