記憶體行業已經進入了一場烈火烹油般的漲價周期。從NOR Flash到SLC NAND，再到MLC和DDR3，每一個細分賽道都在發生著劇烈的供需變革。“如果現在不下單，下個月可能就不是這個價格了。” 這是正在發生的事實。
一、一場“轟轟烈烈”的漲價運動
“2026年上半年，NOR Flash的價格漲幅已接近翻倍。” 中國的一家台資大廠的專家直言。更令人震驚的是，“預計在2026年第三季度，整體NOR Flash產品的環比漲幅將超過50%。”
這不是危言聳聽。這是供需失衡、巨頭退場、地緣博弈共同作用下，一場註定要載入記憶體史冊的超級周期。
二、核心結論：記憶體行業正在經歷“冰火兩重天”
“火”的一面是： 大容量NOR Flash、SLC NAND、MLC NAND以及利基型DRAM，正在經歷一場由供給端驅動的價格暴漲。
“冰”的一面是： 小容量產品（如64Mb及以下的NOR Flash）雖然也在漲價，但下遊客戶已開始用腳投票，要麼縮減規模，要麼轉向替代品。
2026年，僅AI伺服器這一產品線，就預計將佔整個NOR Flash市場營收的近四分之一，預估規模將超過42億美元。AI和汽車電子，是這場漲價風暴的兩大核心引擎。
三、從“一顆晶片”看行業變局
想像一下，你是一顆NOR Flash晶片。
在2025年，你被塞進一台NVIDIA的GB200 NVL72機櫃中，價值量大約在600美元左右。到了2026年第二季度，你的身價已經漲到了900美元。但如果你有幸進入下一代Vera Rubin平台，你的價值將直接飆升到1,500美元，甚至接近1,600美元。
“若考慮第三季度的價格漲幅，其價值量預計將接近2000美元。” 專家感嘆道。
為什麼？因為Vera Rubin平台不再使用低於256兆的產品，單顆晶片的容量顯著增大，使用的晶片數量也更多，再加上產品價格本身的大幅上漲——這就是“量價齊增”的威力。
“像NVIDIA這類AI伺服器客戶，目前並未在NOR Flash的價格上進行過多糾纏，而是直接接受了漲價。” 專家指出，他們當前的核心訴求，是確保供應鏈的安全與穩定。
四、結構拆解：五大關鍵領域，各個擊破
1. NOR Flash：大容量與小容量的“分岔路”
2026年第三季度，NOR Flash合約價格的環比漲幅呈現顯著分化。64兆及以下的小容量產品漲幅約為20%，而256兆至2G的大容量產品漲幅高達70%。
這種分化，源於供給端的“雙重打擊”。
第一擊來自旺宏電子。旺宏原定於2026年擴充NOR Flash產能的計畫已暫停，並將相關產能轉向生產SLC與MLC產品。第二擊來自美光。美光自2026年第三季度起，開始對其車規級NOR Flash產品執行SCA，這被行業視為等同於減產。
旺宏不僅不擴產，甚至有可能減產，這將進一步加劇2027年的供應緊張。
2. SLC NAND：一場“報復性”的漲價
2026年第二季度，SLC NAND合約價格出現報復性上漲，環比漲幅超過100%。客戶接受度很高，基本沒有選擇空間。
SLC NAND價格自2025年下半年開始上漲，其根本原因是鎧俠與美光的大幅減產。鎧俠計畫於9月底停止接收TSOP封裝的訂單，這將進一步加劇供應缺口。
預計2026年全年，SLC NAND行業營收將大幅反彈至超過30億美金。
3. MLC NAND：比SLC更嚴峻的“短缺”
MLC NAND市場將面臨比SLC NAND更為嚴峻的短缺局面。MLC市場的供應商格局更為集中且變化劇烈。
三星已於2026年6月底，全面停止生產所有MLC產品。三星的退出影響巨大，其停產前2D MLC產能接近10萬片/月，佔全球行業總產能的45%以上。
三星一家就佔據了超過25億美元的市場，接近整個2D MLC 市場營收的50%。目前市場上已不存在可替代的2D MLC產能來源。
4. 利基型DRAM：DDR3和DDR4的“逆襲”
2026年第三季度，利基型DRAM價格將大幅上漲，預計實際漲幅將至少達到40%，甚至可能接近50%。
DDR3在第二季度已上漲50%的基礎上，第三季度預計將至少再上漲30%。而DDR4，以8Gb顆粒為例，其合約價在第二季度6月份已達到20美元，預計在第三季度後將達到28美元。
2026年第四季度，DDR3的價格漲幅確定不會低於第三季度的30%。展望2027年全年，DDR3都將處於漲價趨勢中，預計每個季度的漲幅至少在20%以上。
5. Memory CUBE：邊緣計算與雲端博弈的“第三極”
Memory CUBE是一種堆疊產品，其技術原理與HBM類似，但核心差異在於是否包含邏輯底層晶片（Logic Die）。
目前，無論是台灣還是中國大陸的記憶體廠商，均不具備獨立生產這種高性能邏輯晶片的能力。CUBE產品省略了邏輯底層晶片，其堆疊結構僅由DRAM Die構成。
在商業化過程中，CUBE產品最初定位於端側應用，但在2024年，H公司和GPU大廠HWJ曾嘗試將其應用於雲端AI伺服器。然而，在2025年8月，公司收到了來自老美的非官方警告，此後便放緩了在該項目上的推進力度。
五、國產廠商的挑戰與機會
在這場全球記憶體格局重塑的浪潮中，國產廠商正站在一個歷史性的十字路口。
機遇：空缺就是機會
隨著鎧俠與美光的戰略性減產和退出，為台灣和大陸廠商提供了進入原先由頭部廠商主導的高端市場的歷史性機遇。
以兆易創新為例，專家預計兆易創新可能在2026年底進入NVIDIA的供應鏈，此舉是NVIDIA為降低對公司的單一依賴而做出的決定。此前，在AI伺服器市場的份額中，公司約佔80%，旺宏佔15%，兆易創新僅佔5%且主要來自中國大陸客戶。進入NVIDIA供應鏈後，兆易創新的份額有望提升。
在SLC NAND領域，東芯、兆易創新等廠商正在積極承接海外巨頭退出後的市場空白。普冉收購SkyHigh後，憑藉其先進的製程和優良的產品結構，在漲價方面比旺宏更為強勢。專家透露，普冉收購的業務在2026年第一季度實現營收7.5億人民幣，淨利潤2.5億人民幣；僅4月和5月兩個月的營收就接近10億人民幣。
挑戰：產能與技術的雙重制約
然而，國產廠商並非高枕無憂。
IDM模式相較於Fabless模式在產能保障和成本控制方面具有顯著優勢。兆易創新作為Fabless廠商，其產能依賴於中芯國際、華虹等代工廠。當市場需求旺盛、產品漲價時，代工廠的晶圓成本也會大幅上漲，例如2026年上半年代工價格漲幅已達30%，下半年還需重新議價。
在CUBE技術路線中，兆易創新採用混合鍵合技術，而公司和愛普科技則採用熱壓鍵合技術。雖然混合鍵合更先進，但專家強調，“兆易創新採用20奈米工藝的混合鍵合技術在實際生產中也面臨挑戰，並非一帆風順。”
紫光國芯在CUBE領域的市場份額相對較小，且面臨產能問題的核心挑戰。專家指出，“Fabless廠商在獲取產能方面處於劣勢，相比之下，擁有自有晶圓廠的廠商如公司（擁有高雄新廠等兩座工廠）或與南亞科緊密合作的AP Memory（愛普），在產能保障上更具優勢。”
六、本質洞察：這輪漲價到底能持續多久？
“此前在2026年3月前的判斷是缺貨將持續到2027年上半年，但現在預期已延長至2027年底。” 專家指出，這一判斷調整主要基於供需兩端的變化。
從需求端看，2026年NOR Flash市場增長的主要驅動力來自汽車、工業以及AI伺服器和通用伺服器領域。從供給端看，台灣主要廠商在2028年底前已無新的擴產計畫。
綜合來看，供應缺口將貫穿2027年全年。2027年SLC價格將呈現上漲趨勢，漲幅可能具體表現為每月環比增長20%至25%。 MLC方面，根據旺宏和普冉的判斷，2027年的價格預計不會低於2026年的水平。
此輪價格上漲的核心驅動力，源於產能與產品結構的雙重失衡。
七、最後：誰在“裸泳”，誰在“衝浪”？
在這場記憶體行業的超級周期中，IDM模式與Fabless模式的差距被急劇放大。
在當前的市場上升周期中，IDM模式相較於Fabless模式在產能保障和成本控制方面具有顯著優勢。公司可以自主進行大規模擴產，而兆易創新作為Fabless廠商，其產能依賴於代工廠，在擴產決策上更為謹慎。
對於普冉、恆爍、聚辰等以中小容量NOR Flash為主的廠商，雖然宣佈了高達50%的季度漲幅，但實際落地情況並未達到預期。專家指出，“2026年上半年，小容量NOR Flash的實際價格漲幅在50%以內。” 主要原因是其下遊客戶多為消費類電子產品製造商，對價格極為敏感。
而對於江波龍、德明利、佰維記憶體等第三方模組廠商，三星的停產造成了巨大的衝擊。專家強調，“在三星停產前，整個第三方模組行業的2D MLC產能幾乎完全依賴三星支撐。”“目前市場上已不存在可替代的2D MLC產能來源。”
記憶體行業，又一次站在了歷史的分岔路口。 這一次，誰是贏家，誰會出局，答案或許已經寫在今天的調研紀要裡了。
從矩光到高光，國產記憶體廠商正在經歷一場前所未有的考驗。 誰能抓住這個歷史性的機遇，誰就能在全球記憶體格局中佔據一席之地。 (數之湧現)