2026年三季度Memory價格風向標

AI速讀
2026年Q3全球記憶體市場延續漲價趨勢,但漲幅逐步收斂。DRAM與NAND Flash均呈現明顯的「K型分化」現象:AI算力需求強勁,驅動企業級SSD與高端記憶體價格大幅攀升(如PCIe 4.0 SSD環比漲35%);然而,PC與手機等消費端因成本高企導致需求萎縮,漲勢明顯降溫。整體市場已從「全面普漲」轉向「結構性緩漲」,未來漲價空間將受限於消費電子的復甦進度。

2026年第三季度,全球Memory市場依舊運行在超級記憶體上行周期中,整體供需延續緊缺格局,DRAM、NAND全品類價格保持環比上漲。但相較於二季度的激漲行情,本季度各品類漲價節奏明顯放緩、漲幅逐步收斂,市場結構性分化特徵進一步凸顯。基於#群智諮詢(Sigmaintell)資料分析,本季度細分市場走勢如下:

DRAM:全線價格上行,需求"K"型分化,消費級品類漲勢顯著放緩

2026Q3 DRAM市場延續漲價趨勢,但細分賽道漲幅分層明顯,AI高端記憶體價格穩定,消費與通用伺服器DRAM漲幅大幅回落。以16GB DDR4為例,本季度環比上漲26%,二季度受AI 伺服器廠商低庫存補貨需求帶動價格上漲,進入三季度後,原廠適度調配成熟製程產能緩解供給缺口,疊加PC終端需求疲軟、整機廠謹慎備貨,漲價動能持續減弱。

移動端LPDDR市場漲勢同步收斂,根據#群智諮詢(Sigmaintell)的資料,以12GB LPDDR5X為例,本季度環比上漲16%。此前AI終端架構迭代、帶動手機記憶體LPDDR價格暴漲,持續抬高終端生產成本;三季度各大終端品牌成本承壓加劇,主動下調採購訂單、嚴控庫存,僅高端旗艦終端與AI邊緣裝置需求具備剛性,支撐價格小幅上行。

整體來看,當前DRAM市場AI算力需求持續堅挺,但消費電子終端需求受高企的成本抑制效應逐漸顯現,AI伺服器需求向上、消費電子需求向下,DRAM需求已呈現“K”型分化,DRAM整體漲價空間將持續縮小。

NAND Flash:企業級強勢領漲,移動端漲勢明顯降溫

2026Q3 NAND快閃記憶體延續漲價行情,結構性差異進一步放大,AI伺服器需求成為核心支撐,消費級品類漲價彈性持續走弱。#群智諮詢(Sigmaintell)資料顯示,以512GB PCIe4.0 SSD為例,本季度環比漲幅達35%。當前AI叢集、智能體Token需求支撐伺服器企業級eSSD大容量、高性能需求強勁,同時原廠持續收縮低端快閃記憶體產能、集中資源佈局高毛利企業級產品,管道庫存持續低位,支撐企業級SSD維持高漲幅,而消費PC端備貨意願低迷,後續上漲動能有限。

移動端記憶體漲勢大幅回落,根據#群智諮詢(Sigmaintell)資料,以256GB UFS3.1為例,本季度環比上漲28%,相較於二季度翻倍式上漲顯著降溫。手機終端市場出貨乏力,品牌廠商持續去庫存、控成本,儘管高端機型記憶體容量仍維持,但難以支撐價格大幅走高。

總體而言,2026年Q3記憶體市場依舊維持上行周期,但市場需求正式從“大幅度普漲”進入“需求K型分化、價格結構性緩漲”階段。供給端,DRAM及NAND Flash產能仍處於緊缺狀態;需求端,AI算力記憶體剛性需求維持上漲,而手機、PC等傳統消費終端受高成本衝擊,需求持續走弱、訂單收縮。 (群智諮詢)