看AI摘要
儘管記憶體相關股票近期經歷大幅波動，但記憶體市場仍然持續升溫，多家機構紛紛上調第三季度DRAM價格預期。
Counterpoint預計第三季度DRAM平均售價（ASP）將環比上漲約20%；TrendForce相對保守，預計傳統DRAM上漲13%至18%，NAND Flash上漲10%至15%；摩根士丹利則將PCDRAM第三季度漲幅預測由此前的3%至8%大幅上調至15%至20%。
雖然各機構統計口徑略有差異，但共同傳遞出的訊號十分一致——記憶體市場供給依然緊張，供需失衡尚未緩解。
SK海力士管理層進一步強化了市場對長期供不應求的預期。在美國IPO之後，SK海力士CEO與董事長均公開表示，記憶體供應緊張可能持續至2030年代。
與此同時，據市場消息，三星正尋求第三季度DRAM ASP最高環比上漲20%，其中LPDDR產品漲幅甚至可能超過20%。如果最終落地，這將是三星繼第一季度約90%、第二季度約60%漲價後的連續第三次提價，明顯高於TrendForce的預測水平，也意味著美光和SK海力士大機率將同步跟進。
伺服器DRAM方面，TrendForce預計第三季度合約價格將上漲13%至18%，但不同客戶所承受的漲幅存在明顯差異。
由於美國大型雲服務商已簽署多年長期供應協議（LTA），其價格上漲受到一定限制；相反，未簽訂長期協議的客戶，以及超出LTA保障數量的額外採購需求，將承擔最大的漲價壓力。
據報導，SK海力士計畫在新的長期協議中取消價格上限，使現貨市場上漲能夠直接反映到合同價格；而美光的長期供應協議（SCA）仍保留價格上下限機制。
HBM持續佔用大量DRAM產能，成為傳統DRAM長期供給緊張的核心原因。
TrendForce預計，2026年HBM將佔三大原廠22%的DRAM晶圓投片量，但僅貢獻9%的DRAM位元（Bit）產出；到2027年，這兩個數字將進一步提升至30%和13%。
也就是說，HBM消耗了遠高於其產出的晶圓資源，因此即使三大記憶體廠持續擴大資本支出，傳統DRAM特別是伺服器DRAM仍可能長期維持供不應求的狀態。
HBM4價格也正進入新一輪上漲周期。2027年的HBM4長期供貨合同預計將在2026年第四季度啟動談判。
根據Digitimes模型預測，HBM4價格將從2026年下半年約2美元/Gb，上漲至2027年的4至5美元/Gb，約一年時間實現翻倍。
NAND市場同樣維持緊張格局。摩根士丹利認為，NAND供應不足將持續至2027年；TrendForce則預計，成熟SLC NAND價格將在2026年下半年上漲120%至170%，主要受成熟製程產能持續萎縮以及MLC向SLC應用遷移的推動。
這將利多閃迪、鎧俠和美光等NAND廠商，而慧榮科技也有望受益於NAND控製器需求增長。
與此同時，NAND產業鏈投資持續推進。鎧俠已提交美國ADS上市申請；閃迪近期已將NAND產品價格上調雙位數，並將與鎧俠的合資協議延長至2034年。另一方面，美光近日正式啟動日本廣島約1.5兆日元擴產項目建設，目標於2028年夏季開始量產先進DRAM及HBM產品，為下一階段AI記憶體需求增長提前佈局。 (印科技)