中國科學家以摺紙術秒殺光晶片製造瓶頸,有望解放AI算力

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中國中科院物理所團隊在《Advanced Materials》發表突破性研究,開發出「離子束摺紙術」以製造三維光子晶片。該技術利用離子束產生機械應力梯度,使二維奈米結構在數十秒內同步折疊成三維形狀,將製程速度提升逾100倍且保持97%以上的一致性。此創新打破了傳統FIB雕刻慢、難量產的困境,使複雜的三維光路設計得以進入晶圓級批次生產,被視為中國在下一代光子整合電路領域實現「彎道超車」的關鍵製造底牌。

正當全球科技巨頭還在為光子晶片的製造效率焦頭爛額的時候,中國的科研團隊用一種近乎魔法的方式給出了答案:把“雕刻”變成“折疊”,讓整個晶圓上的奈米結構在數十秒內同時站立起來。這不僅是速度的飛躍,更有可能徹底改寫光子晶片從實驗室到工廠的遊戲規則。


光子晶片:AI時代的光速救星

要講清楚這項突破的份量,首先得回到一個老生常談卻又迫在眉睫的問題:算力不夠了。

過去幾年,人工智慧模型的參數規模從千億級衝向兆級,訓練一次大模型的耗電量相當於數千個家庭一年的用電量。傳統電子晶片,也就是我們熟悉的矽基計算晶片,正在逼近物理極限。電訊號在金屬導線裡跑,會遇到兩座大山:發熱和串擾。電流越大、速度越快,電阻發熱就越嚴重,訊號之間還會相互干擾。就像一條窄路上擠滿了飛奔的馬車,不僅跑不快,還容易造成人仰馬翻。

光子晶片卻提供了另一種可能:用光子(光粒子)代替電子來傳輸和計算資訊。光子不帶電荷,在介質中跑起來幾乎不發熱,也幾乎不受電磁干擾。它們可以在極寬的頻率範圍內平行傳輸資料,頻寬輕鬆提升幾個數量級,能耗卻低得多。形象地說,電子走的是鄉間土路,光子則是在八車道高速上飛。

正因如此,全球巨頭紛紛下注。英特爾佈局矽光已有十餘年,台積電計畫將光學共封裝技術融入先進製程,Ayar Labs、Lightmatter等明星初創公司也拿到數十億美元投資。中國同樣不甘落後,中科院、華為等機構和企業在光子晶片領域持續加碼。

然而,一個尷尬的現實是:設計再精巧,造不出來也是白搭。光子晶片的製造,尤其是三維光子晶片的製造,一直是卡在量產路上的“鬼門關”。

三維架構:必須攀爬的技術峭壁

早期光子晶片大多是二維平面結構:光波導、光柵、諧振器都鋪在同一層上,像一幅平面電路圖。但平面空間終究有限,光路越密,相互干擾越嚴重。解決之道就是升維:把光學結構堆疊到三維空間。

三維架構的好處顯而易見。首先是整合度更高:垂直方向可以疊加多層光路,單位面積上的功能密度成倍增加。其次是干擾更小:不同層的光路可以錯開走線,避免平面串擾。此外還附帶新功能:比如通過彎曲特定的奈米天線,可以讓晶片對左旋和右旋偏振光產生不同響應,這種手性效應在生物感測、量子通訊等領域具有獨特價值。

但三維結構的製造難度,比二維高出不止一個量級。你沒法像印鈔票那樣平攤印刷,還得讓奈米級的“小柱子”“小彎梁”在垂直方向上精確矗立起來,尺寸誤差不能超過幾個原子。

傳統雕刻刀的致命傷

過去十幾年,科學家們最依賴的工具是聚焦離子束(FIB)。它像一支奈米級的精密雕刻刀:把離子束聚焦成幾奈米粗的一點,逐點掃描、逐點刻蝕材料表面,想要什麼三維形狀,就用這“刀尖”一刀一刀雕出來。

FIB的精度無可挑剔,能達到亞奈米等級。但代價是慢得令人髮指。加工一個100微米見方的區域,至少需要7分鐘;要完成一整片4英吋晶圓(約10釐米直徑)上的三維結構,耗時長達數小時。

更糟的是,FIB是序列工藝,一個接一個地加工,前面刻好的結構在後續加工中可能已經變形或者被污染,導致整片晶圓上的一致性極差。就像用一支筆畫一萬個相同的米字格,畫到末尾,前面的墨跡早就幹了,很難保證每個格子分毫不差。

高精度與高效率、高品質與大面積,在FIB這裡成了無法調和的矛盾。FIB只適合在實驗室裡精雕細琢,根本沒法用來批次生產。這也是為什麼三維光子晶片雖然論文發了一大堆,卻始終難以走出實驗室的核心原因,製造是真正的難點。

來自中國的顛覆性思維:把雕刻變成折疊

中科院物理研究所的團隊選擇了一條完全不同的路徑。

第一作者中科院物理所博士生王藝、通訊作者顧長志研究員和郭陽副研究員,在2026年7月5日發表於《Advanced Materials》的一項研究中提出了一種全新思路:不去“刻”三維結構,而是讓二維結構自己“折”成三維。靈感來自古老的東方摺紙藝術。摺紙的本質是在一張二維平面上預先設計好摺痕,然後通過一次或幾次折疊動作,瞬間變成複雜的三維立體。研究團隊把這一邏輯搬到了奈米尺度。

他們先在4英吋的晶圓上製備出一層懸浮的氮化矽薄膜,上面用常規光刻和鍍膜工藝製作出精心設計的二維金圖案。這些圖案就是未來的“摺痕”,畫好了該彎那裡、彎多大角度。

接下來是魔術般的操作。他們用一束寬束離子束,造出一大片均勻的“離子雨”,一次性輻照整個晶圓表面。

當氬離子高速撞擊薄膜時,會在材料頂層造成損傷,形成缺陷。頂層和底層之間的缺陷密度差異,會產生一種可控的機械應力梯度,好比把一張紙的一側噴濕、另一側保持乾燥,紙張自然會向上彎曲一樣。

離子束的雕刻力被精準轉化成了折疊力。整個晶圓上數萬個二維奈米結構,在寬束離子束的一次性照射下同時同步折疊成預設的三維形狀。沒有掃描,沒有序列,一次照射,全部完成。

這就是平行製造的精髓:從單點雕刻到批次折疊,效率提升了兩個數量級以上。

資料說話:百倍加速,晶圓級一致

這項技術的實測資料令人震撼。在時間方面,整片4英吋晶圓的加工時間從數小時縮短至幾十秒,提速超過100倍。在一致性方面,成千上萬個結構折疊後的角度誤差極小,整體均勻性超過97%,這就意味著幾乎每個結構都聽話地立成了設計角度。在規模方面,直接支援晶圓級製造,跟現代半導體產線的批次處理邏輯完全相容。

為了證明這套工藝不是花架子,團隊還親手造出了兩款真實可用的光子器件。

第一款是由非對稱劈裂諧振環陣列組成的手性彎曲超表面。它在紅外波段的圓二色性(對左旋和右旋偏振光的區分能力)高達0.8,遠超傳統平面結構。這種器件在手性分子檢測、光學加密等領域有重要應用。

第二款則是由平面光柵整體彎曲而成的曲率可控等離激元超表面。通過改變折疊角度,它的共振波長可以在可見光波段連續調諧超過150奈米,相當於把整個調色盤握在手裡。這種可調諧超表面在動態光學濾波、可重構光路由等方面潛力巨大。

研究團隊在論文中寫道:“我們的工作建構了一個通用平台,在設計複雜度與可規模化製造之間架起了一座橋樑,為下一代三維整合光子學奠定了基礎。”

這聲驚雷值得全世界傾聽

這項突破的意義,遠不止於“變快了”三個字。

第一,它拆掉了光子晶片量產的最大路障。以往,科學家們在論文裡畫出的炫酷三維光路,到了FIB那裡就變成了“慢工出細活”的樣品,無法批次複製。現在有了晶圓級的平行折疊技術,這些設計可以真正走上生產線,跟CMOS工藝對接。晶片產業從來都以“良率”和“吞吐量”決定生死,而“離子束摺紙術”恰好在這兩個指標上實現了質的飛躍。

第二,它為晶片設計者打開了前所未有的想像空間。既然製造方面不再被卡脖子,設計師就可以大膽地追求更複雜、更密集、更多功能的立體光路架構,而不必再為了遷就FIB的低效率而簡化設計。就像3D列印技術成熟後,建築設計師突然可以做任何瘋狂造型一樣。

第三,它展示了摺紙思路在奈米製造中的普適性。這種方法不僅適用於光子晶片,還可以推廣到奈米機電系統、超材料、生物感測晶片等領域。一次離子輻照就能讓整個晶圓長出三維形狀,這種通用性可能催生一系列新的製造範式。

第四,它讓中國在全球光晶片競賽中拿到了一張關鍵的製造底牌。目前,美國、日本、歐洲都在光子整合領域投入巨資,台積電、英特爾、Imec等巨頭緊盯矽光量產工藝。而中國團隊在製造方法上的原始創新,繞開了傳統的FIB路線,另闢蹊徑實現了彎道超車。不拼光刻機,拼離子束摺紙:這可能是中國在下一代晶片賽道上的獨特優勢。

折出未來

手折千紙鶴,依靠的是靈巧的指尖和反覆的調整。而在奈米尺度上摺紙,依靠的是離子束的精確轟擊和物理規律的天然餽贈。

中科院團隊的這項研究把東方的摺紙智慧與前沿奈米技術熔於一爐。這個故事告訴我們,很多時候,顛覆性創新不是憑空發明新東西,而是站在全新的視角去折疊已有的元素。

從幾個小時到幾十秒,從逐點掃描到同步折疊,光子晶片從實驗室展品向工廠流水線邁出了實質性的一步。

AI對算力的渴求永無止境,摩爾定律的腳步日漸蹣跚,光子晶片被無數人視為救世主。而今天,中國科學家用一把離子束摺紙刀,為這位救世主折出了一條登頂的階梯。 (心智觀察所)