近日，記憶體晶片行業迎來重要動態，SK海力士正積極推進一項面向端側人工智慧（AI）領域的新型記憶體技術——3D堆疊DRAM，並已啟動相關工程師的招聘工作，同時與美國客戶攜手開展晶片方案的聯合設計。
3D堆疊DRAM技術的核心創新在於，它將DRAM直接堆疊在邏輯晶片之上。相較於傳統的PoP封裝方式，這種設計能夠大幅縮短晶片之間的連接距離，增加資料傳輸通道的數量。由此帶來的直接效果是頻寬顯著提升、延遲大幅降低，同時還能最佳化功耗表現並提高空間利用率，為端側AI裝置提供更高效的記憶體解決方案。
從SK海力士發佈的招聘資訊中可以發現，該公司目前正在美國聖何塞招募3D堆疊DRAM-on-Logic設計工程師。這些工程師的主要職責是與美國客戶緊密合作，主導相關邏輯晶片的聯合設計工作，以確保新型記憶體技術能夠更好地滿足客戶需求。
業內人士分析指出，SK海力士的這一舉措表明，其已不再侷限於前期的技術儲備階段，而是開始為技術的實際落地應用提前佈局。端側AI裝置對記憶體性能提出了更為嚴苛的要求，隨著生成式AI逐步滲透到智慧型手機、可穿戴裝置、機器人等終端裝置中，本地運行AI模型需要更高頻寬、更低功耗以及更緊湊的晶片方案，傳統的封裝方式已經難以滿足這些日益增長的需求。
在眾多應用場景中，手機處理器被普遍認為是3D堆疊DRAM技術最有希望率先實現落地的領域之一。手機處理器作為終端裝置的核心計算晶片，蘋果、高通等廠商一直在推動更先進的工藝和封裝技術，以提升端側AI的處理能力。因此，3D堆疊DRAM技術與手機處理器的結合具有天然的優勢和廣闊的應用前景。
值得一提的是，SK海力士此前憑藉HBM在AI伺服器記憶體市場佔據了重要地位。如今，該公司又將目光投向了面向端側AI的3D堆疊DRAM，這一戰略佈局意味著其正提前搶佔HBM之後新一輪AI記憶體競爭的先機。
今年4月，SK海力士管理層曾公開表示，除了定製化HBM之外，公司還在積極推進高頻寬快閃記憶體HBF以及3D堆疊DRAM-on-Logic等新方案，旨在針對不同類型的AI負載提供更合適的記憶體產品，以滿足市場的多樣化需求。
可以看出，HBM主要應用於資料中心AI領域，而3D堆疊DRAM則將目標瞄準了智慧型手機、可穿戴裝置和機器人等端側AI市場。此次SK海力士啟動相關人才招聘，無疑釋放出一個強烈訊號：下一代AI記憶體的競爭，正從雲端向終端裝置延伸。 (ITBEAR科技資訊)