一、中國DRAM產能擴張提速，2030年產能較當前翻倍有餘
報告傳達出清晰標識, 合肥、上海、北京這三大基地的擴產規劃會在二零二八年之前全部達成產量目標, 二零二八年之後還有超大規模的全新工廠緊接著獻出增加的部分。更為要害的是, 新的生產能力正在大幅度地引入國產半導體裝置, 除去光刻等極個別的高端機台之外, 本土的裝置商正在這場擴產的盛宴當中獲取到具有實際意義的訂單。生產能力成倍增長外加國產化比率提高, 中國的SPE正在迎接業績與估值的雙重推動。
二、產品端持續追趕，HBM與3D DRAM成下一階段突破口
中國DRAM 領域的龍頭, 其製程的升級正在促使產品不斷迭代, 雖在速率方面依舊比不上國際那些大廠, 然而兩者之間的差距正在持續變小。2026 年, HBM3 以及 HBM3E 的量產目標清晰明確。而 EUV 光刻機受到限制, 這迫使產業去尋找別的途徑——3D DRAM 有希望在 2027 年實現實質性的突破。這屬於“裝置受限從而倒逼技術創新作用下產出”中非常吻合規範要求的情形, 要是能夠順利避開對 EUV 的依賴, 那麼中國的記憶體產業將會開創出一條具有差異化特點的技術路徑。
三、價格走勢趨於溫和，AI需求支撐長期景氣
中國動態隨機存取記憶體器價格現今已跟國際水準大體上持平, 雖說良品率現今依舊存在著差距可是定價權已然被確立了起來。智慧型手機製造廠商對於價格上漲存在著一定的抵制, 然而人工智慧驅動產生的強勁需求仍然是具備決定性的力量, 高盛預測在二零二七年價格將會再一次上揚。國際大廠於短期內不會使高速頻寬記憶體產能回轉到傳統動態隨機存取記憶體器, 長期協議訂單所佔比例的提高亦有著助於價格體系保持穩定。供給按照順序進行擴張再加上需求具有剛性, 記憶體周期波動幅度有希望能夠縮小。
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