SK海力士正在恢復其位於中國大連的第二座NAND快閃記憶體工廠建設，預計將使其在中國的本地生產能力擴大約50%。
大連Fab 2（第二工廠）的建設始於四年前，但由於記憶體器市場低迷而長期暫停。SK海力士計畫最早於今年年底開始安裝半導體生產裝置，並在明年上半年實現該工廠全面投產。
據報導，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已於今年上半年恢復對大連Fab 2的投資，並重新啟動建設。生產裝置預計最快將於11月開始進場，該工廠計畫在明年上半年建立量產體系並開始生產NAND快閃記憶體。
據報導，新生產線設計月產能約為5萬片晶圓。加上目前大連Fab 1每月約10萬片晶圓的產能，SK海力士在中國的NAND本地產能將提高約50%。
在人工智慧資料中心推動企業級固態硬碟（Enterprise SSD）需求激增、NAND價格上漲至去年同期近10倍的背景下，大連項目在暫停約四年後重新啟動擴產。
SK海力士於2021年收購英特爾（Intel）的NAND業務，並成立Solidigm，從而接管了大連Fab 1及其周邊廠區。隨後，公司於次年5月開始建設Fab 2。然而，由於記憶體器市場低迷，以及美國對向中國出口半導體製造裝置實施限制，項目建設最終停滯，當時僅完成了廠房主體結構。
隨著大連Fab 2的建設重新啟動，SK海力士正在推進一項“雙軌制”的NAND生產和銷售戰略。
公司計畫在大連生產基於成熟工藝的較低層數NAND，同時將先進的高層數NAND生產集中在韓國清州。
大連工廠預計將重點提升採用英特爾成熟浮柵（Floating-Gate）架構的100層級NAND生產效率；而超過300層的先進NAND，則預計主要集中在韓國國內工廠生產，例如清州的M17工廠。
SK海力士此前宣佈將向清州M17工廠投資19.1兆韓元，計畫在2028年底前啟用首個潔淨室，並在那裡生產下一代NAND產品。
一位業內人士表示：“大連Fab 2計畫採用與Fab 1相同的裝置配置。我瞭解到，其月晶圓投入產能預計在4萬至6萬片之間。”
摩根士丹利預測 ，2027年全球NAND可能存在9%的供應缺口。 (印科技)