9月14日消息，據台媒《經濟日報》援引供應鏈消息報導稱，晶圓代工大廠台積電正持續衝刺先進製程產能，並首次曝光了明年最新2nm和3nm的擴產目標。

報稱，台積電3nm月產能去年底達12萬至13萬片後，今年底進一步擴增至18萬片。雖然2nm量產後，3nm已不是台積電最先進的製程，但市場需求仍強勁，台積電因而持續擴大3nm產能，目標明年中3nm月產能超21萬片，半年內增加16%，換算2025年底至2027年中的一年半內，增加近70%產能。

在2nm產能方面，供應鏈指出，台積電今年底2nm月產能將達9萬片，明年中將進一步擴大至11萬片，半年內增加22%產能。

台積電此前表示，2026年資本支出將介於600億美元至640億美元，其中約70%至80%用於先進製程。 該公司正在新增三座3nm晶圓廠，分別位於台灣、美國亞利桑那州及日本，同時，台積電在台灣也在持續轉換5nm裝置來支援3nm產能。

台積電還在持續建設2nm以下更先進的製程技術發展，包括A16、A14、A13、A12等。 該公司日前並與ASML共同宣佈發起合作，將推動高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）自當前的6英吋光罩，轉移至更大的12英吋光罩。

近日，比利時微電子研究中心（IMEC）也宣佈，攜手ASML及材料供應商，成功利用High NA EUV單次曝光，完成22nm間距導線的單次圖形化，較先前驗證的28nm間距再進一步縮小。並驗證多種接近實際晶片片設計的複雜結構，顯示成熟CAR光阻技術有望延伸至A14、A10等埃米世代，應用於部分關鍵金屬層與通孔層。 (芯智訊)

SK海力士正在恢復其位於中國大連的第二座NAND快閃記憶體工廠建設，預計將使其在中國的本地生產能力擴大約50%。  

大連Fab 2（第二工廠）的建設始於四年前，但由於記憶體器市場低迷而長期暫停。SK海力士計畫最早於今年年底開始安裝半導體生產裝置，並在明年上半年實現該工廠全面投產。

據報導，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已於今年上半年恢復對大連Fab 2的投資，並重新啟動建設。生產裝置預計最快將於11月開始進場，該工廠計畫在明年上半年建立量產體系並開始生產NAND快閃記憶體。

據報導，新生產線設計月產能約為5萬片晶圓。加上目前大連Fab 1每月約10萬片晶圓的產能，SK海力士在中國的NAND本地產能將提高約50%。

在人工智慧資料中心推動企業級固態硬碟（Enterprise SSD）需求激增、NAND價格上漲至去年同期近10倍的背景下，大連項目在暫停約四年後重新啟動擴產。

SK海力士於2021年收購英特爾（Intel）的NAND業務，並成立Solidigm，從而接管了大連Fab 1及其周邊廠區。隨後，公司於次年5月開始建設Fab 2。然而，由於記憶體器市場低迷，以及美國對向中國出口半導體製造裝置實施限制，項目建設最終停滯，當時僅完成了廠房主體結構。

隨著大連Fab 2的建設重新啟動，SK海力士正在推進一項“雙軌制”的NAND生產和銷售戰略。

公司計畫在大連生產基於成熟工藝的較低層數NAND，同時將先進的高層數NAND生產集中在韓國清州。

大連工廠預計將重點提升採用英特爾成熟浮柵（Floating-Gate）架構的100層級NAND生產效率；而超過300層的先進NAND，則預計主要集中在韓國國內工廠生產，例如清州的M17工廠。

SK海力士此前宣佈將向清州M17工廠投資19.1兆韓元，計畫在2028年底前啟用首個潔淨室，並在那裡生產下一代NAND產品。

一位業內人士表示：“大連Fab 2計畫採用與Fab 1相同的裝置配置。我瞭解到，其月晶圓投入產能預計在4萬至6萬片之間。”

摩根士丹利預測 ，2027年全球NAND可能存在9%的供應缺口。 (印科技)

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台積電明年3nm及2nm擴產計畫曝光

停擺四年重啟！記憶體巨頭擴產中國NAND產能50%