三星電子（Samsung Electronics）在今年 NGL（Next-Generation Lithography + Patterning）會議上表示，將把高數值孔徑極紫外微影（High-NA EUV）匯入 1 奈米（A10）製程量產，預計最早於 2030 年開始。公司原先曾考慮將這項技術用於 2 奈米與 1.4 奈米節點，但目前規劃已延後至更先進的 A10 世代。
三星技術副總裁Park Chang-min 指出，High-NA EUV 將成為 A10 及後續節點的重要裝置。相較於現行 0.33 NA EUV，High-NA EUV 具備更高數值孔徑，可縮小電路圖形，並以單次圖案化完成製作，降低多重曝光帶來的成本、複雜度與缺陷風險。
根據會議內容，三星目前已完成2 奈米製程商用化，並規劃在 2029 年量產 1.4 奈米 SF1.4 製程，接著於 2030 年推進 SF1.4+ 與 1 奈米製程。這意味著 High-NA EUV 的匯入時程，將與三星邁向 1 奈米世代的路線圖同步展開。(大話晶片)