在先進封裝需求激增的背景下，台積電先進封裝技術與服務事業部副總經理何軍在近日舉辦的 2026 開放計算項目（OCP）亞太峰會上，公佈了公司 CoWoS 封裝技術的最新進展。據台灣科技新報與經濟日報報導，台積電 5.5 倍光罩尺寸的 CoWoS 封裝已實現量產，多款 AI 客戶產品的良率穩定超過 98%，部分產品最高可達 99%。
台積電已在規劃下一代技術升級。何軍表示，預計到 2029 年，CoWoS 封裝的尺寸將突破 14 倍光罩面積，這與台積電在 2026 北美技術研討會上公佈的路線圖一致。台積電在該論壇上披露，可整合約 10 顆大型計算裸片與 20 組 HBM 堆疊的 14 倍光罩尺寸 CoWoS 封裝，計畫於 2028 年量產，2029 年進一步向 14 倍光罩以上的尺寸演進。
作為對比，英特爾方面表示，其 EMIB-T 封裝技術目前可支援總面積超過 6 倍光罩尺寸的系統，今年將拓展至 8 倍光罩以上，到 2028 年將突破 12 倍光罩尺寸。
產能快速爬坡也為技術推進提供了支撐。何軍表示，過去三年間，台積電 CoWoS 產能每年幾乎實現翻倍。《經濟日報》消息稱，台積電目前已營運 10 座先進封裝工廠，產能正逐步追平客戶需求。他表示：“我們尚未完全滿足全部需求，但已經非常接近了。”
SoIC 技術向 4.5 微米間距推進
與此同時，台積電也在加快 SoIC（整合晶片系統）技術的研發落地。據科技新報報導，台積電 SoIC 混合鍵合技術可實現超 50 倍的互連密度提升與 5 倍的能效提升，2025 年鍵合間距已達 6 微米，到 2029 年將進一步縮小至 4.5 微米。
台積電此前已宣佈，將在其最先進工藝平台上提供 SoIC 3D 晶片堆疊技術；其中 A14 工藝對 A14 工藝的 SoIC 方案將於 2029 年量產，與 N2 工藝對 N2 工藝的 SoIC 方案相比，裸片間 I/O 密度可提升 1.8 倍。
AI 產業鏈瓶頸凸顯：記憶體晶片與 ABF 載板
值得注意的是，據《Next Apple》報導，何軍還指出記憶體晶片與 ABF 載板是 AI 供應鏈的核心瓶頸，並表示未來幾年行業不僅可能面臨記憶體晶片短缺，ABF 載板的供應也將持續緊張。
他補充道，隨著產能收緊，採購團隊紛紛採用多供應商策略保障供應，但不同供應商產品的力學、熱學性能存在差異，加大了工藝管控難度，也讓製造流程更趨複雜。
因此，科技新報援引何軍的表述稱，台積電計畫在量產前一年確定驗證範圍與系統邊界條件；在量產前 6 個季度公佈相關指標以收集行業反饋，並推動系統整合商、裝置廠商與材料供應商參與平行開發，從而加快驗證速度，及時響應問題。
《Next Apple》報導稱，台積電方面表示，與供應商、系統整合商的早期協同，疊加系統級驗證與資料反饋，能夠加速 3D IC 的研發處理程序。在 CoWoS 項目中，該模式已將每代技術的研發周期從約兩年縮短至一年，整體研發時長最多縮減了三個季度。 (銳芯聞)