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針對半導體製程向 EUV 高 NA 及 GAA 等三維結構演進所帶來的計量挑戰，英國 Infinitesima 推出 RPM 高速 AFM 技術。該技術突破了傳統壓電式 AFM 的速度限制，將諧振頻率提升 10 倍，能有效應用於先進封裝的平坦度測量、EUV 光刻膠三維表徵及高深寬比結構的真值標定。儘管在深寬比上限與探針污染方面仍有侷限，但其兼顧速度與精度的特性，為產線 SPC 統計過程控制提供了重要工具。
分享英國 Infinitesima 公司的報告，介紹RPM 混合型光學高速原子力顯微鏡（高速 AFM），該技術採用光熱驅動微懸臂，相比傳統壓電式 AFM，諧振頻率提升 10 倍以上，結合干涉儀反饋，兼顧測量速度、奈米‑皮米級精度，同時延長探針壽命。
報告主要內容
半導體計量挑戰
EUV 向 0.55NA、0.75NA 演進，異構整合、HBM、混合鍵合、GAA 全環繞柵器件帶來三維結構計量難題。傳統 OCD、CD‑SEM、TEM 各有短板。
高速 AFM 四大核心應用場景
- 先進封裝：混合鍵合 CMP 多尺度平坦度、銅墊凹陷測量，可做產線線上 SPC 統計過程控制；
- EUV 光刻：光刻膠三維表徵，測量 LER/LWR、隨機缺陷、側壁角度，不損傷光刻膠；
- 高深寬比刻蝕結構：為 OCD 提供真值標定，可測量 GAA 器件形貌；
- 斷層掃描（Tomography）：探針剝層實現埋入結構三維重構，搭配 CAFM 做電學表徵。
對比OCD、WLI、TEM
報告對比了OCD、WLI、TEM 等手段的優劣，給出測試吞吐量、指標實測資料；同時列出技術現存侷限：探針力補償、深寬比上限約 3‑10:1、探針污染等，並給出後續技術演進方向。
報告頁面摘選（共26頁）
(銳芯聞)