中國在光阻技術領域取得重大突破！最近北大傳來個好大消息－彭海琳教授團隊用冷凍電子斷層掃描技術，把光阻在顯影液裡的「小動作」看得明明白白，還針對性開發了減少缺陷的方案，12吋晶圓的缺陷數量直接降了99%以上。這一步，可算是捅破了先進製程良率提升的「窗戶紙」。光阻這東西，在晶片製造裡有多關鍵？打個比方，它就像給矽片畫電路的“顏料”，顯影液溶解它的過程，相當於用“洗畫筆”的方式把電路印到矽片上。但以前沒人能看清光阻在顯影液裡是怎麼動的，只能靠反覆試錯調製程。尤其是7nm以下先進製程，良率上不去，很大程度就卡在這層「黑盒子」裡。北大團隊的辦法很巧妙：他們把顯影後的溶液快速凍成玻璃態，把光刻膠的狀態「凍」在那一刻，再用冷凍電鏡拍不同角度的二維圖，用演算法拼出解析度優於5奈米的三維「全景照」。這一照可照出大問題——原本以為溶解的光刻膠會分散在液體裡，結果大部分都「黏」在氣液介面；更關鍵的是，這些黏在介面的聚合物會纏成30奈米左右的小團，掉在矽片上就成了缺陷，讓本該分開的電路連在一起。找到了問題根源，解決方法就有了。團隊提了倆招：一是適當提高烘烤溫度，讓聚合物少纏點；二是優化顯影工藝，讓矽片表面始終有層液膜，把這些小團「衝」走。倆招一結合，12吋晶圓的缺陷幾乎清零，這對先進製程良率提升簡直是「雪中送炭」。這突破的意義遠不止於光阻本身。冷凍電鏡技術這次在半導體領域的應用，相當於給研究液相反應裝了台「顯微鏡」——以後催化、合成甚至生命過程裡的液體反應，都能在原子分子尺度上看清楚了。對晶片產業來說，從光刻到蝕刻、清洗，這些關鍵環節的缺陷控制都能更精準，下一代晶片的性能和可靠性又多了層保障。再看市場，光阻這兩年漲得快。 2023年國內市場109億，2024年沖到114億以上，像KrF光阻這些中高端產品，國產替代的步子越邁越大，2025年預計能到123億。以前光阻市場被日企卡得緊​​，現在技術突破+市場成長，咱們的半導體產業鏈又硬了一截。從“看不清楚”到“精準調控”，中國晶片製造的每一步突破，都是在為未來鋪路。等那天7nm、5nm良率穩穩提上去，那些卡脖子的“小門檻”，自然就變成咱的“大優勢”了。 （萬大叔）

稀土，指鑭、鈰、鐠、釹、鉕、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鑥、鈧、釔等17種元素的總稱，即化學周期表中鑭系元素（La-Lu）與釔（Y）、鈧（Sc）的總稱。這類元素憑藉“微量加入即可顯著最佳化材料物理化學性能”的核心特性，在各產業中發揮“點石成金”的作用，因此被譽為“工業維生素”“工業味精”或“工業潤滑劑”。在技術密集型的半導體產業中，稀土更是支撐裝置精密化、材料高性能化與工藝先進化的關鍵基礎材料，其應用貫穿半導體製造全鏈條。01稀土元素在半導體裝置中的應用光刻機的晶圓台、掩模台需實現奈米級精度的高速運動，核心依賴無摩擦直線電機與磁懸浮系統，而這些系統的驅動力與強磁場均來自稀土永磁體，其中以釹鐵硼（NdFeB）永磁體為主。NdFeB永磁體主體由釹（Nd）、鐵、硼合金構成，為提升高溫穩定性（避免退磁），需摻入鏑（Dy）、鋱（Tb）調節居里溫度。據報導，單台EUV光刻機需搭載數十公斤NdFeB磁鋼，用於電機定子與轉子。釹是這種磁體的主成分，提供超高磁能積，而鏑和鋱作為輔料改善高溫穩定性。稀土磁體的應用使得光刻機能夠實現每小時百片以上晶圓的掃描速度，同時保持亞奈米定位精度。除晶圓台外，光刻機的對準系統、鏡頭調節機構、上下料機械手等元件，其無刷直流電機或音圈電機的核心部件同樣是稀土磁鋼。需注意的是，稀土在此環節的作用集中於裝置級支撐，不直接進入晶圓製造，但缺少稀土磁體將導致當代光刻裝置的精密運動功能完全失效。此外，離子注入機、刻蝕機的運動平台、渦輪分子泵電機等，也普遍採用NdFeB永磁體實現磁懸浮晶圓傳送、高速驅動，進一步體現稀土在裝置運動控制中的通用性。除了精密運動控制外，光源與光學元件也依賴稀土。EUV、深紫外光刻的主光源不依賴固體稀土介質，但晶圓定位、對準、檢測用的輔助雷射器，普遍採用釹摻雜釔鋁石榴石（Nd:YAG）晶體，其含有的Nd³⁺離子是高功率雷射增益介質，可輸出1.064μm雷射，經二倍頻後生成532nm可見光，或進一步轉化為355nm紫外光，滿足高精度檢測需求。前沿研究中，稀土還為下一代EUV光源提供潛力：美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）開發的“大孔徑銩（Tm）雷射器”，利用Tm³⁺離子產生～2μm雷射，與當前行業標準二氧化碳（CO2）雷射器相比可將EUV光源效率提高約10倍，為EUV光刻的成本降低提供可能。EUV/DUV光刻機的雷射系統需避免反射光損傷雷射器，核心解決方案是光學隔離器，其核心材料為鋱鎵石榴石（Tb₃Ga₅O₁₂，簡稱TGG）晶體。TGG中的鋱（Tb）元素具有強法拉第磁光效應，在強磁場中可旋轉光的偏振面，僅允許雷射單向通過，是保障深紫外雷射穩定性的不可替代元件。02稀土材料在半導體材料、耗材和試劑中的應用稀土在半導體材料中的應用，部分前沿方向仍處於研發階段，但已展現出關鍵價值。儘管當前主流光刻膠未直接摻雜稀土元素，但在EUV（極紫外）光刻膠的前沿研究中，已有探索採用含金屬簇（如含鉿、鋯等高原子序數元素）的光刻膠體系，以提升對13.5nm波長光的吸收效率。針對這一領域，有學者提出，可將含稀土元素的化合物納入光刻膠成分設計，借助稀土的f電子構型增強光吸收性能和化學放大效應。不過上述探索目前均處於試驗階段，尚未有含稀土成分的光刻膠實現大規模量產。此外，化學機械拋光（CMP）是晶圓平坦化的核心工藝，其研磨劑性能直接決定拋光效率與選擇性。在氧化矽（SiO₂）、淺溝隔離（STI）層的拋光中，二氧化鈰（CeO₂，俗稱“氧化鈰”）顆粒是主流選擇。在鹼性環境下，CeO₂表面的Ce³⁺/Ce⁴⁺可變價態可與SiO₂表面發生化學反應，生成易去除的鈰矽酸鹽，大幅提升材料去除速率；相比傳統二氧化矽、氧化鋁磨料“僅靠機械磨削”的方式，CeO₂對SiO₂的拋光選擇性更高，可高效去除氧化物層，且幾乎不侵蝕矽氮化物等周邊材料，因此成為STI CMP工藝的“標準研磨劑”。此外，銅/鎢金屬層的阻擋層拋光中，改性CeO₂漿料也有應用。高密度電漿刻蝕機在蝕刻SiO₂等介質時，會使用含氟、氯的強腐蝕性電漿體，若腔體部件直接接觸，易被侵蝕並縮短壽命。解決方案是在刻蝕機關鍵部件（腔體內襯、射頻天線蓋片、束流環等）表面塗覆氧化釔（Y₂O₃）或氟化釔（YF₃）陶瓷塗層：釔（Y）的氧化物化學穩定性極高，在氟電漿環境中可生成緻密的YF₃保護層，避免進一步被侵蝕；相比普通石英、氧化鋁陶瓷塗層，Y₂O₃塗層可將部件使用壽命延長數倍，因此主流刻蝕裝置廠商廣泛採用Y₂O₃塗層部件。雖單台裝置Y₂O₃用量僅以千克計，但全球刻蝕裝置保有量巨大，形成對高純Y₂O₃材料的持續需求。在5G射頻、磁性儲存等細分領域，稀土摻雜的濺射靶材是製備高性能薄膜的關鍵。比如，鋁鈧合金靶材可用於沉積鋁鈧氮（AlScN）薄膜，鈧（Sc）的摻雜可大幅提升氮化鋁（AlN）的壓電性能，而AlScN薄膜是5G射頻MEMS元件（如BAW濾波器）的核心材料；釹（Nd）、鐠（Pr）等靶材可用於濺射磁性儲存薄膜（如磁阻隨機存取儲存器MRAM的TbCoFe磁光層、SmCo基隧穿結），此外，鉺矽化物（ErSi₂）靶材在紅外光電器件中也有應用潛力。氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）基器件的傳統製備中，採用矽、藍寶石等異質襯底易因晶格常數差異、熱力學行為不協調產生大量缺陷，導致器件閾值電壓漂移、電流崩塌等可靠性問題。而六方晶系鋁酸鎂鈧（ScAlMgO₄，簡稱SCAM或SAM）襯底可解決這一痛點，原因在於其晶格常數、熱膨脹係數與GaN、ZnO高度匹配，能顯著抑制外延生長中的缺陷形成，為製備高品質GaN外延薄膜提供新路徑，為製備高品質GaN外延薄膜提供了新途徑。03稀土元素在先進製程工藝中的應用隨著電子技術向高性能、多功能、大容量、微型化方向發展，半導體晶片整合度越來越高，電晶體尺寸越來越小，傳統的二氧化矽（SiO₂）柵介質薄膜就會存在漏電甚至絕緣失效的問題，目前採用鉿、鋯及稀土改性的稀有金屬氧化物薄膜解決核心漏電問題。如果進一步降低線寬，則需採用更高介電常數的稀土柵介質材料。高k介質材料具有比傳統的SiO₂更高的介電常數（k值）。在實際應用中，行業以HfO₂作為高k介質主體，並通過摻入稀土元素（如鑭、釔）進一步最佳化性能。在高k/金屬柵（HKMG）工藝中，通過在HfO₂表面沉積數埃厚的氧化鑭（La₂O₃），再經高溫退火使鑭擴散至介質/矽介面，可產生介面偶極效應，有效降低MOSFET電晶體的閾值電壓，滿足先進製程對低功耗、高開關速度的需求。04稀土摻雜半導體材料稀土元素通過摻雜進入半導體材料，可利用稀土離子4f電子的特性製備半導體發光材料，同時利用稀土離子的化學活性提高半導體材料的純度、完整性，且其製備工藝與積體電路CMOS工藝相容，為矽基光電整合提供可能。稀土離子（如Eu³⁺）的4f電子具有豐富的能級躍遷，可產生窄頻寬、高色純度的特徵發光，因此被用於製備半導體發光材料。以氧化銪（Eu₂O₃）薄膜為例，Eu₂O₃具有優越的發光與催化性能，其4f能帶結構與ZnO、GaN等半導體的發光機理相似，可實現電致發光，且發光效率不受稀土離子濃度猝滅的限制；在矽片上外延生長Eu₂O₃薄膜，可解決GaN、ZnO與矽襯底工藝不相容的問題，使矽基Eu₂O₃電致發光器件能與CMOS工藝無縫整合，為矽基光電整合的光源環節提供解決方案。05稀磁半導體稀磁半導體（Diluted Magnetic Semiconductors，DMS）是通過在非磁性半導體中摻雜過渡金屬或稀土元素形成的新型材料，由於摻雜濃度較低，其磁性相對較弱，兼具電荷調控與自旋操縱特性，其分子式通常表示為A₁₋ₓMₓB，在自旋電子學領域具有應用潛力。主流摻雜元素包括過渡金屬銩（Tm）或稀土離子錸（Re），摻雜後材料可同時利用電子的電荷屬性與自旋屬性，在磁、磁光、磁電等方面表現出優異性能，可用於製備自旋電子器件，如高密度儲存器、高靈敏度探測器、磁感測器及光發射器。早期稀磁半導體的製備技術以分子束外延、金屬有機化學氣相沉積為主。06總結稀土元素憑藉其獨特的4f電子構型、高化學活性、優異的磁光熱電性能，已深度融入半導體產業從“裝置製造”（如光刻機運動控制）、“材料製備”（如CMP拋光劑、耐蝕塗層）到“先進工藝”（如高k介質最佳化）的全鏈條。無論是支撐EUV光刻的“奈米級精度”，還是推動5G射頻、自旋電子器件的“性能突破”，稀土均扮演著“不可替代的戰略材料”角色。隨著半導體技術的迭代，稀土在前沿領域（如稀磁半導體、矽基光電整合）的應用潛力將進一步釋放，其研發與供應保障對半導體產業的發展具有重要戰略意義。 (半導體產業縱橫)

本文分為兩部分，介紹台積電在晶片代工領域的技術優勢。第一部分是先進製程技術，第二部分是先進封裝技術，附錄是TSMC 2025 Technical Symposium總結。正文:晶片和汽車的設計與製造，在難度上來說，剛好相反。對晶片來說，製造是瓶頸，代工不像聽上去那麼簡單。代工=先進製程（EUV光刻機）+高純度材料（矽晶圓、光刻膠）+精密裝置（沉積、刻蝕機），這些條件都有技術和資本雙重buff。對造車來說：設計涉及到巨多學科交叉，因此是最大問題，汽車設計又要懂機械工程（發動機、變速器）、電子系統（BMS、MCU）、軟體（如自動駕駛演算法），還得懂使用者體驗。除了這些還不夠，還得滿足這樣那樣的碰撞測試、排放標準。最後，作為高端製造業，還得解決規模化與供應鏈問題。在晶片製造領域，從EUV光刻到GAA電晶體，再到CoWoS封裝，台積電始終走在技術前沿。高產能+高良率+低成本，使台積電在高端晶片市場佔據絕對主導地位。下面我們介紹一下台積電的兩大護城河，先進製程+先進封裝：一、先進製程技術1、EUV光刻技術EUV光刻技術的是利用波長為13.5奈米的極紫外光（比可見光短約1000倍）作為“刻刀”，在矽片上刻出奈米級的電路圖。13.5nm波長的解析度很高，可以說是5nm、3nm甚至2nm等先進製程的“通行證”。而傳統深紫外（DUV）光刻機使用193nm波長的光，受限於瑞利公式（解析度=波長/(2×數值孔徑)），在7nm以下節點無法滿足精度需求。EUV的原理體現在光源、光學系統、光刻膠上：a.光源：光源是用來產生13.5nm波長的極紫外光的。因為13.5nm的光無法通過傳統透鏡傳播，只能通過雷射轟擊錫液滴（LPP-EUV）或放電電漿體（DPP-EUV）等複雜方式生成，就像用高壓水槍切割鋼板，需要超高能量和穩定性才能持續輸出“光束”。b.光學系統：其實就是用“反射鏡”替代透鏡。由於極紫外光會被空氣和玻璃吸收，EUV光刻機必須在真空環境中運行，並使用多層鍍膜的高精度反射鏡（類似鏡子）來引導光線。這裡的反射鏡表面粗糙度需達到原子級平滑（0.1nm），相當於在足球場上起伏不超過1釐米。c.光刻膠：這是一種捕捉光線的“感光材料”。矽片經過光刻膠塗抹後，被極紫外光照射後發生化學反應，才會形成電路圖案。傳統製程DUV方案需要多次曝光（“多重圖案化”），導致工藝複雜、成本高、良率低。而5nm晶片的EUV步驟比DUV方案減少30%以上，顯著降低生產成本。超級高的靈敏度和均勻性，可以避免電路缺陷（如“電子模糊”或“隨機效應”）。2、FinFET三維電晶體技術FinFET技術解決了電晶體的三個問題，短溝道效應+漏電流+性能瓶頸。FinFET技術通過兩個關鍵點達到“平面開關→立體控制”功能，即“鰭”狀溝道結構+三柵極環繞控制。a.“鰭”狀溝道結構：傳統平面電晶體的溝道是水平的，而FinFET將溝道垂直立起，形成一個薄而高的矽鰭。你想像一下想像一塊蛋糕被切成細長的垂直條狀（類似魚鰭），這就是FinFET的“鰭”。這樣可以在相同面積內增加有效溝道寬度，提升驅動電流能力。設想一下，河道增多、每條河道加寬，電流是不是速度更快，晶片性能更好？b.三柵極環繞控制：三角形是穩固的哈哈，假設你用三條繩子同時拉住一根柱子，是不是比單條繩子更穩固啊？當柵極施加電壓時，電場會從三個方向同時作用於矽鰭，這樣通過立體包裹矽鰭，增強了柵極對溝道的控制力，這樣可以避免靜電耦合，增強對溝道中電流的控制能力。而傳統平面電晶體在尺寸縮小時，柵極對溝道的控制能力減弱，會有漏電流和短溝道效應。漏電流最直接的後果就是手機的續航差，所以這個技術還是很強的哈。3、2nm及以下工藝台積電2nm工藝（N2）是半導體行業從FinFET（鰭式電晶體）向GAA（全環繞柵極）架構過渡的關鍵節點。GAA奈米片電晶體結構相當於FinFET技術的pro版本，GAA將柵極（Gate）完全包裹住矽通道（奈米片），形成四面控制的立體結構。這種設計使柵極對電流的控制更精準，電流無處可逃，進一步抑制漏電和短溝道效應（DIBL）。如果說FinFET是用三條繩子同時拉住一根柱子，那麼GAA則是四面環繞的“全包裹”。在GAA架構下，多個矽奈米片垂直堆疊，形成多層通道，繼續提升電晶體密度和性能。另外，在材料和工藝上，GAA採用新型高介電常數材料（如HfO₂）和金屬柵極，減少柵極漏電流，並且通過最佳化銅/低K介質互連，降低訊號延遲和功耗。二、先進封裝技術CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是台積電主導的2.5D/3D異構整合技術，其核心在於通過矽中介層（Silicon Interposer）和高密度互連技術，將不同功能的晶片（如GPU、CPU、HBM記憶體）整合到同一封裝中。CoWoS技術堆疊有兩個關鍵點：1、矽中介層矽中介層是一塊帶有金屬線路和矽通孔（TSV）的薄矽片，相當於一個“微型電路板”。通過TSV和重分佈層（RDL），矽中介層將多個晶片（GPU、HBM）以奈米級精度連接，實現超高頻寬和低延遲通訊。相比傳統封裝，CoWoS的互連密度提升10倍以上，相當於晶片之間的通訊從國道變成了高速，訊號傳輸距離縮短至微米級，顯著降低功耗和延遲。台積電正在嘗試將矽中介層取代為碳化矽（SiC）。因為SiC的熱導率比矽高3倍，能有效降低Rubin GPU這種高功耗晶片的溫度。注意，只是還在研發中。2、多晶片異構整合如果說傳統晶片是“單片作戰”，那麼CoWoS就是將不同功能的晶片（GPU+HBM）像“樂高積木”一樣組合。通過堆疊HBM記憶體，CoWoS可提供數百GB/s頻寬，滿足AI訓練對海量資料的需求。比如輝達H100 GPU就通過CoWoS封裝8顆晶片和12個HBM3，算力達4000 TFLOPS。同樣，高密度整合導致晶片溫度飆升，所以液冷技術很重要。這也是英維克上漲的原因之一。繼光模組、PCB之後，液冷也是未來可期。附錄、TSMC 2025 Technical Symposium總結1、技術路線延長至2028年，聚焦良率與效率2、N3C與N2N3C：並非全新節點，而是N3工藝的“精簡最佳化版”，專為提升生產良率設計。它通過簡化工藝步驟，減少晶片生產中的廢品率，讓N3製程更快實現大規模穩定量產，直接降低客戶成本。N2：2nm工藝（採用環繞式柵極奈米片電晶體）已進入量產階段，徹底解決FinFET在7nm以下的漏電問題。實際性能表現遠超預期——速度更快、功耗更低。3、A16與A14的差異化佈局A16（1.6nm級）：引入超級電源軌（SPR）背面電源傳輸（類似“電力高速公路”），解決高算力晶片的電壓波動問題。預計2026年第三季度量產，性能對比N2P：速度+8-10%，功耗-15-20%。專為AI/HPC設計，避免傳統電源網路的“訊號擁堵”，讓算力更穩定。A14（1.4nm級）：作為真正“下一代”工藝，第二代GAA奈米片電晶體+全新標準單元架構，搭配NanoFlex Pro技術（靈活調整晶片佈局）。2028年將量產基礎版（不含背面電源），2029年推出帶背面電源的增強版。這一設計讓晶片在性能和靈活性上實現“雙飛躍”：基礎版快速落地，增強版則為1nm以下製程鋪路。4、原文TSMC 2025 Technical Symposium Briefinghttps://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/355121-tsmc-2025-technical-symposium-briefing/(小葉投研)

台股持續呈現量縮震盪格局，短線追價意願疲弱，顯示市場進入觀望期，在此環境中，操作關鍵轉向「估值與產業趨勢」雙軌並重，尋找基本面穩健、評價合理的族群，將是提高勝率的核心策略。〈量能未見放大，短線動能明顯轉弱〉台股開高震盪走低，終場小跌9點，表面上變動幅度不大，但成交量再度量縮低於月均量，顯示買盤觀望、追價意願偏弱，指數雖守穩高檔，但盤面結構已有明顯轉變，近期AI概念股陸續出現破線或整理走勢，這類過去支撐指數的族群，如今人氣退潮，成為壓抑市場動能的主因，在這樣的環境下，市場操作難度明顯提高，過度進出不僅難以取得超額報酬，反而更易陷入高檔震盪的套牢風險。〈AI族群人氣退潮，資金轉向防禦型板塊〉進入7月下旬以來，市場明顯面臨動能放緩，AI概念股可說是人氣退潮的重災區，資金開始從高基期族群逐步撤出，具備防禦特性的族群則有穩步墊高的趨勢，說明了主力對短線風險的避險態度，智霖老師多次在直播中反覆提醒，AI仍是中長期產業升級的重要主軸，但當市場熱度退潮，操作策略更須精準聚焦於估值已合理修正、基本面具備趨勢支撐的個股。以台積電供應鏈中的2奈米概念股為例，部分具備封裝、材料、設備優勢的廠商，目前估值偏低、籌碼健康，只是現階段市場量能尚未回溫，須耐心觀察是否有轉強訊號出現，切勿在量縮盤中過度提前卡位。〈立即填表體驗陳智霖分析師APP的3福利〉建議忠實粉絲觀眾立即填表申請體驗陳智霖分析師APP的三福利，讓老師帶你掌握市場脈動、操作節奏！：https://lihi.cc/RFzlE/0725〈耐心等待比胡亂出手更關鍵，「搶先積」概念股等待轉強訊號〉目前成交量仍未放大、人氣尚未回籠的階段，即使好公司也需要耐心等待切入時點，正如老師反覆提醒的操作邏輯：「等訊號，而不是猜轉折」，三大法人今日買超105億元，其中外資連九日加碼，表面看似樂觀，但選擇權與期貨部位卻顯示出偏保守、避險的態度，指數未平倉最大壓力區位於23500點上下，加上今日指數雖然收高但量能未跟上，代表市場還未真的出現有信心的追價買盤。從選擇權與期權部位分布觀察，也可以看出法人並未押注強勢多頭延續，反而進行高檔獲利了結與風險對沖，這與中小型股盤中大量爆量出貨的現象形成明顯的對照，這樣的拉尾盤不一定代表轉強，提醒投資人不可掉以輕心。在這樣的多空交錯時刻，老師要再次提醒所有投資朋友，真正的贏家，不是依賴市場起伏隨波逐流，而是依循趨勢、抓緊產業動態、挑選好公司、在合理的價位進場，耐心等待發酵，若你對盤勢方向感到不確定，邀請你下載老師的APP，填寫表單申請體驗陳智霖分析師APP三福利，跟著我以產業趨勢為依據，穩健掌握每一波佈局節奏，更詳細的內容請收看最新的直播節目。最新影音(請點影音上方標題至Youtube收視品質會更佳)https://youtu.be/0icPXSYjCJg〈立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@〉掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，點擊連結立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@，接收好康資訊：https://lihi.cc/5dEsA/0725錢進熱線 02-2653-8299，立即邁向系統依據的股票操作。文章來源：陳智霖分析師/ 亨達投顧

台股大漲269點創五個月新高，但融資大增與中小型股走弱透露追價隱憂，台積電法說雖利多，但非進場時機，操作仍須依據數據與產業節奏，本文深入解析AI、2奈米耗材、生技展潛力股與防禦型資產配置策略，掌握下半年佈局關鍵！〈法說會釋放利多，卻非進場時機，創高卻藏隱憂〉台積電（2330-TW）昨法說會公布營收年增44.4%，並上調全年美元營收預估至成長30%，再次強調AI與高效能運算需求穩健，帶動今日台積電股價大漲至1155元、市值重返30兆，不過智霖老師在昨日直播中已提醒，法說內容只是確認趨勢，不代表當下就是追價的買點。從盤面觀察，大盤雖然上漲超過200點，但高達七成個股留下上影線，櫃買指數一度翻黑，顯示中小型股普遍出現開高走低壓力，從老師掌握的即時籌碼來看，追價力道並不強勁，反倒是融資餘額再度增加10億元，透露市場情緒偏熱、散戶搶進，但並未帶動真正的攻擊波段，今日創高但多數個股開高走低，反映短線賣壓沉重，這樣的盤勢正如老師在直播所說：「市場急，你更不能急。」如果缺乏操作依據，容易陷入高檔追價、低檔停損的循環，錯過真正的波段行情。〈聚焦三大產業主軸：AI、2奈米與生技〉目前市場焦點仍圍繞在AI與半導體供應鏈，尤其在台積電法說利多帶動下，相關個股短線氣勢強勁，但整體評價已偏高，不宜貿然追高，老師先前點名的ABC族群中的世芯-KY（3661-TW），就是法人重點關注標的之一，今日股價依舊強勁，顯示市場對ASIC技術與長期成長性依舊高度期待。台積電即將於下半年量產的2奈米製程，也推升先進製程耗材與設備需求，相關材料供應鏈如EUV光罩、先進封裝材料等，正是老師「藏寶圖」中的策略型個股，股價基期低、籌碼穩定，正待轉強訊號浮現。生技族群方面，隨著亞洲生技展將於下週登場，市場資金已開始提前卡位，保瑞（6472-TW）連三日上漲，不僅反映展覽題材，也代表生技CDMO產業的成長動能，智霖老師在節目中多次點名這檔個股，會員更在低檔提前布局，後續爆發力值得期待。〈立即填表體驗陳智霖分析師APP的3福利〉建議忠實粉絲觀眾立即填表申請體驗陳智霖分析師APP的三福利，讓老師帶你掌握市場脈動、操作節奏！：https://lihi.cc/RFzlE/0718〈穩中求勝，防禦型配置不能少，輪動產業具潛力〉面對下半年景氣仍有不確定雜音，防禦型持股的重要性不容忽視，重電族群的華城（1519-TW）、中興電（1513-TW）雖然短線未大幅表態，但籌碼穩定、訂單能見度高，具備中長期續航力，能源股的泓德能源（6873-TW），近期雖受颱風干擾而修正，但股價仍守住5月大股東加碼成本區，基本面並未轉弱，後續整理完成後依舊具備回升空間。雖然今日大漲令人振奮，但若從盤面結構來看，真正具備續航力的個股仍是少數。接下來的操作，多數熱門股已反應利多，應避免高檔追價，優先布局具評價空間與法人認同標的，防禦型資產配置也要維持一定比重，智霖老師所點名的「藏寶圖」，已經鎖定具備爆發潛力的個股，隨時準備出手，若你也想在震盪盤中找出黃金買點，邀請投資人下載老師的APP，填寫表單申請體驗陳智霖分析師APP三福利，加入我的行列、親身感受專業操作來帶領，提前布局下半年關鍵行情，更詳細的內容請收看最新的直播節目。最新影音(請點影音上方標題至Youtube收視品質會更佳)https://youtu.be/DFp65DA3ivk〈立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@〉掌握市場脈動！最新股市趨勢解析、熱門產業的深入洞察，點擊連結立即加入陳智霖分析師正版官方LINE@，接收好康資訊：https://lihi.cc/5dEsA/0718錢進熱線 02-2653-8299，立即邁向系統依據的股票操作。文章來源：陳智霖分析師/ 亨達投顧

近日台積電在北美舉辦了一場技術研討會，這場研討會硬核內容很多，以TSMC目前的影響力，他們規劃的roadmap足以影響全球半導體的發展。在這次研討會中，台積電披露了其通過N2（2025量產）、A16（2026量產）和A14（2028量產）等先進製程持續引領半導體創新，結合3DFabric封裝技術（CoWoS/SoIC/SoW）實現晶片性能與整合度突破，目標以更高能效的AI/HPC晶片驅動2030年全球半導體市場達1兆美元，同時佈局AR、人形機器人等新興領域，鞏固其在AI算力基礎設施中的核心地位。註：台積電PPT獲取上方微信私信01AI驅動半導體增長應用場景擴展，AI從資料中心滲透至邊緣裝置（如AI手機、機器人計程車、AR/VR），推動智能終端與雲端協同。02市場增長與行業趨勢全球半導體市場預計在2030年突破1兆美元規模，TSMC憑藉其技術領先地位，計畫將收入從2024年的2500億美元翻倍至2030年的5000億美元以上。這一增長主要由AI技術驅動，從資料中心到邊緣裝置的全面滲透成為核心動力，AI加速器、高性能計算晶片（HPC）及智能終端（如AR裝置、人形機器人）的需求持續爆發。與此同時，AI技術逐步向中低端消費電子（如物聯網裝置、平價手機）下沉，推動主流製程技術的長期需求，例如N3C和N4P等節點將服務於更廣泛的市場。03先進製程技術路線N2節點：2025年下半年量產，聚焦能效提升，性能較N3E提升18%，功耗降低36%，邏輯密度提升1.2倍。A16節點：2026年推出，採用背面供電（Super Power Rail），最佳化資料中心HPC產品的訊號與電源傳輸，晶片密度提升7-10%。A14節點：2028年量產，第二代奈米片電晶體技術，速度提升10-15%，功耗降低25-30%，邏輯密度達N2的1.23倍。此外，N3系列通過多樣化分支（如汽車級N3A、高性價比N3C）覆蓋移動裝置、汽車電子等多元化場景，鞏固其作為“長生命周期節點”的地位。04封裝技術與系統整合創新為應對AI算力對晶片規模和能效的極致要求，TSMC的3DFabric技術體系持續迭代。CoWoS封裝支援多HBM堆疊與超大尺寸基板（120x150mm），2027年推出的SoW-X技術將實現晶圓級邏輯晶片與儲存的整合，突破傳統晶片尺寸限制。3D堆疊方面，2025年量產的SoIC技術以6微米間距實現N3與N4晶片的垂直互聯，2029年計畫完成A14與N2的跨節點堆疊。針對高功耗場景，TSMC提出“供電-濾波-散熱”一體化方案，如單片整合的PMIC與電感將功率密度提升5倍，CoWoS-L封裝嵌入的eDTC/DTC濾波模組有效穩定千瓦級供電系統。05新興應用場景TSMC的技術佈局緊密圍繞下一代智能裝置展開。在增強現實（AR）領域，通過先進製程壓縮顯示引擎體積、最佳化低延遲通訊晶片、開發高能效PMIC，推動輕量化沉浸式裝置的落地。人形機器人被視為未來關鍵市場，其“感知-決策-執行”鏈條依賴多類晶片協同：高性能AP運行AI模型、高精度MCU控制。06總結台積電通過製程微縮（N2/A16）、3D整合（3DFabric®）、系統級創新（SoW） 三重路徑，鞏固其在AI/HPC時代的領導地位。未來市場將呈現以下特徵：AI晶片需求爆發：資料中心與邊緣裝置雙輪驅動，2025-2030年複合增長率超20%。能效與密度優先：液冷+先進封裝成高算力場景標配，PUE<1.1的資料中心逐步普及。新興應用重塑供應鏈：人形機器人、AR/VR、自動駕駛催生專用晶片需求，TSMC技術平台覆蓋全場景。台積電的技術路線與市場佈局，不僅響應了半導體行業的“AI Everywhere”趨勢，更定義了下一代計算的性能與能效標竿。資訊來源：台積電，傅里葉的貓(零氪1+1)