據8月15日業內消息，日本半導體封裝基板製造商新光電氣工業（Shinko Electric Industries）已在玻璃基板技術領域取得重大突破——成功建構出22層銅布線結構，即在玻璃基板兩面分別堆疊11層銅布線層。這一成果標誌著玻璃基板向高層數、高密度封裝邁出了關鍵一步。
長期以來，玻璃基板在半導體封裝領域的推廣受困於所謂的 “SeWaRe”問題（即玻璃內部出現裂紋或分層）。玻璃材料雖具備優異的平整度和低熱膨脹係數，但其脆性導致在加工和熱循環過程中極易產生微裂紋，嚴重影響產品良率與可靠性。新光電氣此次通過材料創新成功攻克了這一瓶頸——在玻璃基板邊緣應用高分子（聚合物）系列保護材料，有效分散了熱量施加時集中在特定部位的應力，即便在熱負載之後也能成功抑制SeWaRe的發生。
在技術實現層面，新光電氣同步推進了玻璃通孔（TGV）工藝——即貫穿玻璃基板的微細孔洞製備技術，以及絕緣層與銅布線層的多層堆疊技術。22層結構的實現意味著玻璃基板已具備與當前高端有機基板同等等級的布線能力，同時在尺寸穩定性和抗翹曲方面具備顯著優勢。
新光電氣工業成立於1946年，1959年以玻璃-金屬密封技術為基礎進軍半導體封裝領域，是英特爾、AMD等晶片巨頭的重要供應商。該公司於2023年由富士通出售給日本政府支援的投資公司JIC、大日本印刷（DNP）及三井化學等組成的財團。
當前，玻璃基板被業界視為AI晶片封裝的關鍵發展方向。隨著AI晶片向多晶片整合演進，封裝尺寸持續擴大，傳統有機基板因熱翹曲問題日益凸顯，而玻璃基板憑藉高剛性、低熱變形等特性，成為支撐大型AI晶片的理想選擇。目前，三星電機已通過與東友Fine-Chem成立合資公司“GlaSSEM”加速佈局玻璃基板業務；英特爾也在2026年初宣佈攻克“No SeWaRe”難題；台積電則發佈了CoWoS玻璃基板開發計畫。
業內普遍將2026年視為玻璃基板商業化元年。據機構測算，2026年全球封裝玻璃基板市場規模預計達186億美元。新光電氣此次22層玻璃基板的突破，不僅驗證了高層數堆疊的技術可行性，更為玻璃基板從實驗室走向大規模量產鋪平了道路。 (TGV玻璃基板前沿)