繼昨天的芯盟科技技術分析，筆者知識星球裡幾十家的一級市場企業的分析文章，今天在結論最近比較火的光刻機企業-光科芯圖。
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最近有不少一級市場朋友向筆者詢問北京光科芯圖，原因也很簡單：光刻機、全息光刻、EUV，這三個詞放在一起，在今天中國半導體投資環境裡實在太容易講故事。
尤其當市場把全息光刻描述成一種可以繞過傳統投影物鏡、甚至可能繞過ASML技術路線的下一代光刻技術之後，對不熟悉光刻歷史的人來說，很容易形成一個錯誤印象。
ASML還在做傳統投影式光刻，而中國突然冒出了一條更先進的「全息光刻」新路線。
但把光刻技術的歷史稍微往前翻，就會發現事情完全不是這樣。
全息光刻並不是什麼2020年代突然出現的下一代技術，接觸式、接近式、干涉式、全息式這些曝光方法甚至比今天大家熟悉的高階Stepper、Scanner古老得多。
中國科學院光電技術研究所早在1998年就申請過「一種全息光刻系統」專利，1999年公開，其中已經非常完整地描述了利用參考光與物光形成全息掩模，再利用衍射重建圖案進行曝光的方案。
換句話說，僅僅看到全息光刻四個字就理解成下一代先進光刻，本身就是對光刻技術發展史不瞭解造成的離譜誤解。
要理解光科芯圖所謂的全息光刻技術，首先必須把整個光刻技術的坐標系重新建立起來。
早期半導體光刻最簡單的是接觸式曝光。
掩模直接貼近甚至接觸塗有光刻膠的晶圓，光從上面照下去，把掩模上的圖案基本按照1:1轉移到晶圓上。
這種裝置光學系統簡單、成本低、曝光面積大，但問題也非常直接：掩模和晶圓接觸會帶來顆粒、污染、刮傷和缺陷，一旦線寬越來越小，良率會迅速惡化。
後來出現接近式曝光，把掩模和晶圓拉開幾十微米甚至更大的Gap，不再直接接觸。
這解決了一部分污染和磨損問題，但距離一拉開就出現菲涅耳衍射，圖形邊緣變模糊，所以接近式曝光的解析度天然受限。
全息光刻今天仍然大量存在於MEMS、LED、功率器件、先進封裝、光學器件等對線寬沒有前道邏輯那麼極端的領域。
SUSS今天仍然大量銷售Mask Aligner，MA300 Gen3就直接定位於200/300mm晶圓的先進封裝、MEMS、LED、功率器件等市場，並沒有因為技術「古老」就消失。
之後真正改變先進半導體製造的是投影光刻。
掩模不再貼著晶圓，而是通過一套高精度投影物鏡把Reticle上的圖形縮小投影到晶圓。
Stepper就是一次曝光一個Field，曝光完成後晶圓平台移動，再曝光下一個Field；Scanner則是在曝光過程中Reticle與Wafer進行精密同步掃描，從而在大視場、高NA、高解析度和像差控制之間取得更好的平衡。
光刻裝置此後的主線其實非常清楚：g-line、i-line，然後是248nm KrF，再到193nm ArF，之後加入液浸形成ArFi，再往後才是13.5nm EUV，以及現在0.55NA的High-NA EUV。
ASML自己的歷史也非常清楚，PAS平台源於上世紀70年代Philips的Stepper研究，1991年PAS 5500推出，之後逐步從i-line、KrF、ArF走到TWINSCAN。
EUV的第一台NXE預量產系統2010年出貨，直到2016年以後才逐漸真正跨過產業化門檻。
這裡其實有一個非常重要的認知：先進光刻技術的演化從來不是看某一個單項原理是否新，而是看Resolution、Overlay、CDU、Defect、Throughput、Availability、Process Window能不能同時成立。
今天一台ASML EUV Scanner的價值，不是因為它能在實驗室裡曝光出十幾nm圖形，而是它能在300mm晶圓上24小時連續工作，在極高加速度下保持亞奈米級控制。
以較早的NXE:3400C為例，官方規格已經可以在20mJ/cm²曝光劑量下做到170片/小時，並且在每一片Wafer曝光過程中持續對光學、平台、Focus、Overlay進行測量和修正。現在的EUV裝置又在此基礎上繼續提升。
所以光刻裝置從來不是「我能不能把圖案印出來」這麼簡單。筆者在知識星球有非常多國產光刻機進度以及市場小作文澄清。
作為全網多年來公認最權威的國產光刻機小作文澄清以及科普專家，有興趣的歡迎加入筆者的知識星球。相關話題較敏感沒辦法在公眾號文章上公開。
全息光刻的基本思路，是把原本由投影物鏡完成的一部分成像工作，轉移到衍射與波前重建上。
最傳統的干涉光刻可以直接用兩束或多束相干光形成周期性干涉條紋，非常適合光柵、光子晶體等周期結構。
更複雜的全息光刻則可以利用特殊的相位掩模或者計算全息圖，讓光經過掩模後在一定傳播距離上通過衍射重新形成目標圖形。
這正是光科芯圖著重的新一代全息光刻的方向，尤其OPC正是實控人俞傯的看家本領，利用其國內領先的OPC技術賦能全習光刻，讓其有更新的前景。
因此，全息光刻真正值得討論的優點主要就是兩個。
第一，可以省掉傳統高NA投影物鏡，光學系統理論上可以簡化很多。
第二，可以進行大面積平行曝光，不像電子束那樣逐點寫入。
這兩點確實有價值，但問題在於市場現在把這兩個優點的價值放大得過頭了。
光科芯圖成立於2022年，公開工商資料顯示註冊資本目前約4.05億元，公司對外的業務定位是基於衍射成像的曝光裝置研發、生產和銷售。
其公開專利已經涉及全息光刻對準、掩模圖案最佳化、曝游標定、掩範本對準、光刻系統、EUV光源等多個方向，所以它顯然不是單純只有一份PPT，而是在真正搭建裝置所需的若干子系統。
但是有技術開發，與它是一台下一代先進光刻機完全是兩回事。
筆者認為目前市場對光科芯圖最大的誤導，就是把公司至少兩條不同時間尺度、不同用途的技術路線混在了一起。
一條是現在真正有希望工程化的紫外/深紫外全息或者衍射曝光裝置。從公司招聘資訊看，目前其應用工程師明確涉及紫外、深紫外曝光裝置以及封裝工藝。
這類裝置的現實目標市場是先進封裝、化合物半導體、MEMS、光通訊等領域，而不是5nm、3nm前道邏輯。
另一條則是EUV相干光、EUV光源以及EUV全息成像等更長期的研究方向。
這兩件事情必須徹底拆開。
今天真正能做成裝置、去Fab或者封裝廠談驗證的，是UV/DUV等相對成熟光源下的衍射曝光；而EUV全息光刻現在在全球範圍內都仍然更接近研究工具和原型技術。
2026年arXiv最新公開的一項EUV Holographic Lithography研究很能說明這個問題。
該研究團隊使用13.5nm EUV、電子束製作的透射式計算全息掩模以及同步輻射光源，最終實現了大約40nm CD的非周期、曲線圖形曝光。
論文對自己的定位也非常克制，主要價值是nanostructure prototyping，也就是奈米結構原型研究，而不是先進邏輯HVM。
這個例子非常重要。
因為同樣是13.5nm EUV，ASML現在的0.33NA EUV系統早已服務先進邏輯和DRAM量產，而一套無物鏡的EUV全息研究系統目前公開結果還是40nm級原型曝光。
所以用了EUV光源和是一台EUV先進光刻機，完全不是一回事。
甚至從研究角度來看，EUV全息光刻最大的近期價值恰恰可能不是取代ASML，而是服務EUV光刻膠、材料、BEUV、新型圖形等實驗研究。
因為普通高校或研究所不可能買一台完整的ASML EUV Scanner，如果利用同步輻射、相干EUV光源和一個全息掩模就可以進行奈米圖案曝光，作為科研工具當然非常有價值。
但是這跟拿來量產CPU晶片相差十萬八千里。
所以光科芯圖如果未來把全息光刻和EUV放在同一張PPT上，投資者第一個要問的問題就是：
這台正在研發或者未來兩三年要形成收入的裝置，到底用的是什麼波長？解析度多少？Overlay多少？Wafer Size多少？Throughput多少？有沒有客戶驗收？
不要看到公司同時有EUV專利，就把一台數百nm甚至微米級應用的UV全息曝光裝置，腦補成未來EUV先進光刻機。
再看它最容易被市場寄予希望的先進封裝領域。
乍一看，全息光刻似乎非常適合先進封裝。
先進封裝線寬比前道寬得多，RDL很多仍然處於幾微米到1μm附近，而且基板尺寸越來越大。既然全息曝光可以大視場、沒有昂貴投影物鏡，似乎很有成本優勢。
但把今天現有產品拿出來比較，事情沒有這麼簡單。
先進封裝現在根本不缺成熟曝光方案。
最便宜的一端有SUSS Mask Aligner，300mm晶圓、厚膠、翹曲、TSV、RDL、Bumping都已經形成完整工藝體系。
往上有Canon的i-line Stepper，例如FPA-5520iV可以做到0.8μm解析度的大視場先進封裝曝光。再往Panel走，Canon已經推出FPA-8000iW，直接針對Panel Level Packaging。
Onto Innovation的JetStep則已經在2.5D、Fan-out和Panel級先進封裝形成實際裝置市場，其S3500公開能力達到2/2μm L/S，並可選擇提升到1/1μm；JetStep系列又能針對大型Panel做高吞吐曝光。
SUSS自己甚至還有DSC300全自動投影Scanner，專門做200/300mm先進封裝。
更有意思的是，Nikon這兩年甚至重新進入先進封裝曝光市場，推出1μm L/S數位光刻裝置，支援最大600mm方形基板。
這說明先進封裝曝光真正的競爭正在變成：大面積、翹曲補償、Die Shift修正、Overlay、厚膠、Panel、Throughput和Cost of Ownership，而不是誰的光學原理聽起來更新。
而且ASML也剛宣佈重點佈局先進封裝光刻市場。
這才是光科芯圖試圖在先進封裝闖出一片天真正要面對的競爭，而且國內的競爭對手上海微在先進封裝上已經成立芯上微裝，直接是可以自我造血產生利潤的企業。
先進封裝或者PCB市場還有雷射直寫的芯碁微裝已儼然是市場該領域龍頭。
如果全息光刻說自己沒有昂貴投影物鏡，所以成本低，問題是，先進封裝今天使用的i-line投影系統本來就不是ASML EUV那套天價光學。
這不是把一套幾千萬美元的Zeiss EUV projection optics拿掉這麼簡單，而是在和已經非常成熟、折舊多年、供應鏈完善的i-line、Mask Aligner、數位曝光裝置競爭。
因此省一套物鏡到底值多少錢，需要重新算。
如果傳統光刻裝置原來成本100，其中真正昂貴的投影光學只佔20，而你的全息裝置為了實現波前精度又新增了相干光源、相位掩模、高精度Gap控制、全息掩模製作、計算反演、調焦調平、Alignment、Mask Calibration，那最後裝置成本未必真的低多少。
更重要的是，Fab買裝置從來不是看BOM。
Fab看的是：Cost per good wafer。
也就是：裝置價格÷產能、良率、稼動率、耗材、維護成本和折舊。
一台1000萬元的裝置，如果每小時只能跑10片，良率又差，另一台3000萬元裝置如果每小時跑80片、良率高、稼動率95%，後者反而便宜。
所以沒有投影物鏡，因此成本更低只能算一個初級工程假設，不能直接推導成商業優勢。那完全是兩碼事，但很容易被拿來斷章取義。
另外一個常見宣傳是全息曝光可以大視場甚至整場曝光，因此效率高。
但同樣需要問：在什麼解析度、什麼曝光劑量、什麼Mask-Wafer Gap、什麼Overlay條件下的大視場？
先進封裝今天真正棘手的問題之一恰恰是基板翹曲、Die Shift和大面積形變。
傳統Stepper、Scanner、數位曝光方案已經建立了Die-by-Die correction、Feed-forward、Warp Compensation等完整體系。
Onto甚至專門提供StepFAST軟體對Fan-out Panel的Die Placement Error進行前饋修正。
如果全息曝光只做到一個大面積漂亮圖形，但是不能針對每顆Die的位置偏移進行高效率補償，在Fan-out先進封裝反而未必有優勢。
所以筆者目前並不認為先進封裝會天然成為全息光刻的大市場。
能做，不代表有必要換。
成熟產線最討厭的事情就是改Process。本來就利潤不高的成熟製程，有什麼動力去大費周章更換早已經折舊完畢的產線？
今天一套i-line Stepper配套的Photoresist、Mask、Alignment、Coater、Developer、Etch、Metrology全部已經跑了十幾二十年。
你要一家Fab把曝光裝置換成完全不同的Holographic Mask與衍射成像體系，客戶一定會問：
我為什麼要換？你便宜30%？Throughput高一倍？Overlay更好？良率更高？
還是傳統裝置根本做不到而你可以做到？
如果這些答案都沒有，只剩下少了投影物鏡，光路更簡單，大視場，那肯定是遠遠不夠。
賣不起價格的成熟製程更是如此。
今天90nm、130nm、180nm甚至更成熟節點，大量使用折舊完成的KrF、i-line裝置，整個產線裝置、光罩、Photoresist、OPC、Metrology和工藝Recipe全部成熟。
要用一種新原理裝置把這些替換掉，在商業上幾乎是最困難的事情之一。因為你要打敗的不是一台新裝置的售價，而是一台已經折舊掉、良率跑熟、工程師用了十幾年的舊Stepper。
因此筆者對光科芯圖在成熟IC前道替代這條路線同樣不樂觀。
那全息光刻到底最適合什麼？答案反而可能不是傳統IC。
第一類是周期性或者准周期性結構。
例如DFB雷射器光柵、光子晶體、衍射光學元件、光柵耦合器、Metasurface等。
這些圖形本身高度周期化，干涉光刻或者全息曝光可以天然地在大面積範圍內一次形成高密度重複結構，這恰恰是電子束最沒有經濟性的地方。
第二類是光學、光通訊、AR/VR等大面積微納結構。
這些領域很多時候並不要求多層CMOS那種極端Overlay，卻非常看重大面積均勻性與成本，因此全息、干涉、奈米壓印本來就是合理技術選項。
也就是說這個全息技術有優勢的領域，還得面臨奈米壓印的競爭，而且奈米壓印走得更快，已經有許多家企業投入，並有實際產出。
第三類是研究裝置。
尤其EUV、BEUV、光刻膠、相幹成像、新型Mask等科研用途。這類市場規模不大，但技術價值很高，而且不需要拿HVM的標準去要求。
第四類可能是一些特殊MEMS、感測器或者少層器件。但這部分一定要看具體Pattern，不能因為能曝光就硬說成市場。
不過，真正先進的Silicon Photonics PIC本身也不能一概說全息最適合。
今天高階SiPh同樣需要多層高精度光刻、CD控制與Overlay，很多核心波導、調製器和電子器件已經直接使用成熟CMOS foundry工藝。
全息光刻更有機會的，是其中某些大面積光柵、周期結構或者特殊光學層，而不是把整個SiPh Fab的Scanner全部換掉。
這也正好可以和另外兩條經常被炒作的非傳統光刻方案比較。
第一個是電子束。
電子束的最大優勢就是解析度極高，而且完全可以Direct Write任意圖形，不需要Photomask。它今天最大的價值之一就是寫Mask和做研發原型。但它最大的缺點也是致命的：逐點、逐線寫入，吞吐量太低。
所以電子束精度比全息高，並不能說明全息沒有價值。
如果我要做一整片高度重複的100nm光柵，電子束一條條寫，當然沒有一次性干涉曝光划算。
這就是Parallel Exposure與Serial Writing的區別。
第二個是Canon的Nanoimprint奈米壓印。
Nanoimprint甚至更加直接，不要投影物鏡，也不要靠光成像，直接拿具有奈米圖案的Template壓進Resist，再UV固化。
Canon目前已經將FPA-1200NZ2C商品化，官方公開的最小線寬達到14nm，並將NIL作為先進半導體潛在量產技術持續推進。
奈米壓印的優勢非常清楚，解析度與投影光學衍射極限基本脫鉤，Template能做多細，就有機會複製多細，而且不需要一套EUV projection optics。
但它的問題同樣非常清楚：Template真的要靠近甚至接觸Resist。
顆粒、污染、Template Defect、Release、Overlay、Residual Layer、Template Lifetime全部會變成HVM問題。
所以奈米壓印和全息光刻其實是兩個完全不同的賭注。
奈米壓印賭的是：我不要成像，直接把圖案複製下去。
全息光刻賭的是：我不要高精度投影物鏡，讓相干光經過Holographic Mask之後自己把圖案衍射重建出來。
前者把難度從光學轉移到機械接觸與Template；後者把難度從投影物鏡轉移到Phase Mask、相乾性、波前控制、Gap、Mask fabrication和計算。
但沒有任何一條路是把物鏡拿掉，剩下都簡單了。
事實上，光科芯圖自己的專利佈局已經反過來證明這一點。
該公司正在做Alignment、Mask Pattern Optimization、Exposure Calibration、Illumination、EUV Source等一系列模組，說明真正做裝置之後，傳統Scanner需要解決的那些工程問題一個都不會憑空消失，只是換了一種形式重新出現。
因此對光科芯圖，我的技術評價很簡單，這不是假技術，但也不是什麼下一代先進光刻的捷徑。
UV/DUV全息曝光本身是一條有幾十年歷史的技術路線，今天借助實控人另一家公司東方晶源的技術，用更好的計算全息、相位Mask、精密平台和演算法，可以重新提高工程能力，但其最合理的市場仍然應該首先尋找那些傳統投影光刻成本過高、電子束效率過低、奈米壓印又不希望接觸，而圖形本身又適合大面積平行曝光的特殊領域。
這個交集不會是零。但也絕對不是先進光刻機四個字聽起來那麼大，甚至跟先進光刻機沒有太大關係。
至於公司的EUV Holographic Lithography，我反而認為現在完全沒有必要給它算商業收入。
全球最前沿公開研究到2026年仍然主要定位於Nanostructure Prototyping，光科芯圖即便佈局EUV光源和EUV相關專利，也應該把它當成一個十年甚至更長時間尺度的技術Call Option，而不能把它算進公司未來三年或五年的裝置收入或者估值模型。
另外還有一個投資層面不能忽略的因素，光科芯圖已於2024年12月被美國BIS列入Entity List。
給出的理由非常直接，稱其與先進節點晶圓製造設施共同開發光刻技術，相關受EAR管轄物項出口需要許可，審查政策為Presumption of Denial。
當然這跟實控人俞總與東方晶源必然是有直接關係的，因為東方晶源也是同一天被check。
這會增加部分海外光源、精密運動控制、量測、光學、EDA或者其他零元件取得的難度。
但從中國一級市場角度看，這件事情又有兩面性。
一方面制裁確實增加裝置研發與供應鏈風險；另一方面，這種被制裁的卡脖子裝置公司又非常符合中國半導體國產替代、政策支援與資本市場估值敘事。
所以最後回到一級市場投資，我的判斷反而和單純產業投資完全不同。
如果我是產業公司，要靠裝置本身賺錢，我目前不會因為全息光刻四個字給光科芯圖很高估值，甚至考慮都不會考慮。
從產業視角我會首先會要求看真實裝置，而不是看PPT。
看已經交付多少台。看客戶是高校還是真正Fab/OSAT。看客戶是否付錢。看裝置是Demo、試用、驗證、驗收還是已經形成重複訂單。
看Resolution、Overlay、Throughput、Wafer/Panel Size、Up Time。
最重要的是看客戶為什麼不用Canon、SUSS、Onto、Nikon或者國產現有曝光裝置，而要換成光科芯圖。
如果這個問題回答不了，那麼它的全息技術再漂亮，商業價值都需要打折。
但是如果我是一級市場財務投資人，評價方式就完全不同。
一級市場投資最終賺的是退出價差，不是陪公司把全世界最好的光刻機做出來。
所以筆者給在知識星球所有做一級市場的同學們的第一優先順序仍然非常直接：
先看它能不能IPO。
這件事情的重要性甚至高於我們剛才爭論與分析的全息光刻最後能不能打敗Stepper。
一家技術普通甚至商業模式一般的公司，只要你入場估值合理，最後可以在科創板或者其他市場按照「國產半導體裝置+光刻+卡脖子」的估值體繫上市，一級投資照樣可能賺錢。
反過來，一家公司技術再性感，如果十年後都不能上市、不能併購、沒有下一輪接盤，一級投資人最後拿著一張沒有流動性的股權證書，也沒有太大意義。
當然，能IPO就一定賺仍然取決於入股估值、上市估值、稀釋、鎖定期以及最終退出價格，不能機械理解成IPO本身保證收益。
但在中國目前這類半導體裝置項目的一級投資邏輯裡，IPO機率確實得排在技術夢想之前。
所以對光科芯圖，我會把盡調優先順序排成：
第一，看股東結構、規範程度、歷史融資、實控人安排、同業競爭、關聯交易以及未來三至五年的IPO路徑。
俞總個人的情況以及其實控公司的情況都要搞明白，其實問題很明顯，就是個人有專利跟竊密的訴訟問題，以及相關公司都是實體清單，這是加分或減分，不同視角去看會有不一樣的答案。
公司目前已有多家產業和財務機構參與，公開融資資料顯示其2025年底仍發生股權轉讓，市場披露的相關機構包括達晨財智等。
而光科芯圖與東方晶源又存在資本和業務關聯。這些都需要在正式投資前把股權穿透與未來上市獨立性做清楚。
第二，看最近兩年的真實訂單。
不要把科研合作、政府項目、Demo裝置、聯合開發協議當成量產訂單。
裝置公司最重要的訊號永遠是：同一個客戶買第二台、第三台。
這比任何院士背書或者專利數量重要得多。
第三，看公司當下能賣的UV/DUV裝置，不要拿EUV故事給今天估值。
如果公司今天真正有競爭力的是先進封裝、光通訊、MEMS或者特殊微納結構曝光裝置，就按照這個市場估值。
EUV全部當免費Option。這樣最安全。
第四，看全息到底解決了一個什麼「非它不可」的問題。
如果答案只是：沒有投影物鏡，所以便宜；大視場，所以效率高；
那必然還遠遠不夠。
真正需要找的是：傳統Stepper做不到、Mask Aligner做不好、Digital Lithography成本又太高，而全息恰好能解決的那一個細分市場。
只要找到這個市場，即便一年只有幾十台裝置，也可以是一門很好的生意。
反過來，如果公司每一個市場都能做：先進封裝也能做、成熟製程也能做、光晶片也能做、EUV也能做、未來3nm也在研發中。
這通常反而需要提高警惕。
因為半導體裝置真正做過量產的人都知道，能把一個Process Layer做到客戶願意重複下單已經非常難，不可能靠一個新原理把所有光刻場景一次通吃。
更何況全息光刻壓跟不是啥新原理，而是幾十年前的老技術。
所以筆者目前對光科芯圖的最終結論是：
技術本身可以研究，公司也值得跟蹤，但絕不能照下一代先進光刻機去理解，更不能把UV/DUV全息裝置、先進封裝曝光和EUV相干光研究混成同一件事估值。
全息光刻不是新技術，更不是因為名字聽起來玄乎就比Stepper、Scanner先進。它是一條歷史悠久、最近因計算光學、相位Mask和精密控制進步而重新獲得工程價值的特殊曝光路線。
它真正最可能找到優勢的位置，大機率還是在：
光柵、DOE、光子晶體、部分光通訊/光晶片結構、Metasurface、AR/VR微納光學、科研原型以及少數特殊微納製造。
先進封裝可以試，但現有Stepper、Scanner、Mask Aligner和Digital Lithography競爭太成熟，不能看到幾百nm、1μm的解析度就認為全息技術有機會。
成熟IC前道更難。
而先進邏輯則現階段根本沒有討論的必要。
EUV Holographic Lithography則是一條值得長期研究、但目前距離HVM極遠的技術支線，現在最實際的價值依然是科研與原型曝光。
所以看光科芯圖真正要問的是：
這家公司今天到底能賣什麼裝置？誰在買？有沒有重複訂單？毛利多少？三年以後收入能做到多少？現在這一輪估值多少？下一輪誰接？最後能不能IPO？
如果IPO路徑很清楚、入場估值又不離譜，即便最後全息光刻只是成為泛半導體裝置裡面的一個小眾曝光分支，一級投資也完全可能成立。
反過來，如果現在估值已經按照國產EUV+下一代光刻革命把十年以後的故事全部算進去了，那就沒有必要陪著市場一起做夢。
對一級投資者來說，技術是判斷公司會不會死，訂單是判斷公司能不能活，而IPO才是判斷這筆錢最後能不能退出。
光科芯圖現階段最應該盯的，不是下一篇宣傳稿又把全息光刻講到了多少nm，而是未來兩三年能不能把一台真正有差異化的UV/DUV曝光裝置，在一個明確細分市場裡做到客戶重複採購，再把收入、治理與資本結構做成可以申報IPO的樣子。
如果能做到這一步，這筆一級投資就有討論價值。
如果做不到，再漂亮的EUV全息故事，也只是遠期研究項目，不應該由今天的一級投資人提前買單。
正如昨天我們討論Simon做3D DRAM的芯盟科技，今天我們把俞總的光科芯圖也納入分析。 (梓豪談芯)