SemiAnalysis分析，3D NAND閃存堆疊層數突破300層後，鎢字線在電阻、化學相容性和深孔填充三方面均觸及物理極限，鉬成為強制替代材料。三星已於2024年量產，美光2025年跟進，SK海力士計劃2026年底推出375層鉬工藝產品。預計鉬沉積設備市場2027年銷售額超10億美元。
8月23日，半導體行業研究機構SemiAnalysis在X平台發佈系列推文，闡述3D NAND閃存製造從鎢（Tungsten，W）向鉬（Molybdenum，Mo）轉型的技術邏輯。
3D NAND大約十年前就停止了橫向縮小，轉而靠垂直堆疊層數來提升記憶體密度。但當層數突破約300層後，連接每個記憶體單元的鎢字線（word lines）遭遇了物理瓶頸：電阻過高、基於氟的化學工藝導致漏電，以及在超深孔中無法完成有效填充。
SemiAnalysis在推文表示：「鉬不是一種優化，是300層以上NAND的必選項。」
與鎢相比，鉬具備三項關鍵優勢：更低的電阻（帶來更快的讀寫速度）、無需氟基化學工藝，以及在高深寬比結構中更好的填充能力。這三點恰好對應鎢在深層堆疊中暴露出的三個核心缺陷，使得材料替換具有技術必然性，而非可選的工程改進。
行業現狀：量產仍在2xx層，轉折點已至
SemiAnalysis梳理了當前各大廠商的層數位置：鎧俠/閃迪（Kioxia/SanDisk）處於218層，美光（Micron）276層，三星（Samsung）286層，SK海力士以321層處於行業前沿。
向3xx至4xx層的躍遷正在啓動。SemiAnalysis估計，鉬在NAND總產能中的佔比將從2025年的中個位數百分比，增長至2027年的約30%。
三大廠商全面押注
主要NAND製造商均已明確承諾轉向鉬工藝，時間表清晰：
三星是先行者，鉬字線產品自2024年起已進入量產階段。
美光於2025年在Lam Research的ALTUS Halo設備上啓動大規模量產。
SK海力士計劃於2026年底推出採用鉬工藝的375層NAND。
設備商：超10億美元的新增市場
每一次從鎢到鉬的轉換，都意味著需要新的沉積設備。SemiAnalysis估計，僅2027年一年，NAND鉬沉積設備的銷售額就將超過10億美元，並隨著DRAM和邏輯晶片的跟進，到2030年增長至約20億美元/年。
受益格局方面，Lam Research最先獲益，TEL（東京電子）緊隨其後；AMAT（應用材料）、ASMI及中國設備商Naura（北方華創）則更多受益於後續DRAM和邏輯晶片的轉型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的細分市場層面測算已納入其前道設備（WFE）模型。 (華爾街見聞)