SemiAnalysis分析，3D NAND閃存堆疊層數突破300層後，鎢字線在電阻、化學相容性和深孔填充三方面均觸及物理極限，鉬成為強制替代材料。三星已於2024年量產，美光2025年跟進，SK海力士計劃2026年底推出375層鉬工藝產品。預計鉬沉積設備市場2027年銷售額超10億美元。
8月23日，半導體行業研究機構SemiAnalysis在X平台發佈系列推文，闡述3D NAND閃存製造從鎢（Tungsten，W）向鉬（Molybdenum，Mo）轉型的技術邏輯。
3D NAND大約十年前就停止了橫向縮小，轉而靠垂直堆疊層數來提升記憶體密度。但當層數突破約300層後，連接每個記憶體單元的鎢字線（word lines）遭遇了物理瓶頸：電阻過高、基於氟的化學工藝導致漏電，以及在超深孔中無法完成有效填充。
SemiAnalysis在推文表示：「鉬不是一種優化，是300層以上NAND的必選項。」
