研究機構SemiAnalysis分析指出,3D NAND堆疊層數突破300層,傳統鎢制字元線(word line)已在三方面逼近物理極限,讓“鉬”從製程最佳化材料,變成必要的替代材料,意味著NAND製造正迎來關鍵材料轉型。
對300層以上的NAND而言,鉬不是最佳化選項,而是必要材料。
3D NAND大約十年前就停止橫向微縮,改以垂直堆疊提高記憶體密度,但當堆疊層數超過約300層後,連接各記憶單元的鎢制字元線便面臨三大物理瓶頸:電阻過高、含氟化學製程導致漏電,以及超深孔難以有效填充。
相較下,鉬在奈米維度互連線的電阻較低,可提升讀寫速度,且不需要使用含氟化學製程,可避免漏電問題,在高深寬比結構中的填充能力也更好。