長鑫LPDDR6旗艦手機首發量產
長鑫存儲自主研發的LPDDR6晶片已實現量產商用，首發搭載於小米18 Fold 折疊旗艦手機，這是全球範圍內LPDDR6產品首次在旗艦手機端落地商用。該款產品晶片容量為16GB，最高傳輸速率可達12800Mbps，與SoC搭配速率為10667Mbps，可為 SoC 提供充裕的資料頻寬，滿足旗艦級智慧型手機及高性能終端裝置對計算能力的嚴苛需求。
此次長鑫量產的LPDDR6單顆粒容量為16Gb，封裝晶片容量達16GB，遵循JEDEC LPDDR6標準，採用1295 Ball FBGA全新封裝。該晶片最高傳輸速率可達12800Mbps，與速率10667Mbps的LPDDR5X相比，頻寬提升60%*。該產品的功耗相比上一代的LPDDR5X降低了20%*，能夠有效延長移動裝置的續航。
*性能對比源自內部測試資料，其中60%頻寬提升基於產品的峰值頻寬對比。
此次長鑫LPDDR6的研發及量產背後涉及多項創新：
- 在設計方面：採用雙子通道架構，常規模式下配置24bit原生I/O，其高速介面支援每路訊號引腳獨立調校預加重（pre-emphasis）、訊號均衡（DFE）參數，配合智能訓練機制，充分保障高速傳輸下的訊號精準性與運行穩定性。在能效管理方面，LPDDR6採用了雙軌DVFS的設計，該設計提供了硬體層面的電壓分離能力。同時，LPDDR6也引入動態效率模式，實現策略調度。這些功能支援LPDDR6在不同負載下始終保持最佳能效比，為兼顧高算力與長續航的移動裝置提供了靈活的記憶體支撐。在可靠性方面，LPDDR6在原有Link ECC、On Die ECC基礎上，新增每行啟動計數（PRAC）防止行錘攻擊，以及內建自測試（MBIST）等功能，以多重機制保障資料完整性與系統穩定性。
- 工藝設計協同創新：通過工藝與設計的協同創新，針對CMOS 區域的關鍵電路和設計規則LDR 進行了超過100項深度最佳化和創新， 成功製造出尺寸更小，性能更優的CMOS 電晶體，支撐了產品性能高頻寬低功耗的升級需求。
- 在封裝方面：此次後道封裝採用的是1295 Ball的FBGA封裝，由於該封裝的焊球面積相對LPDDR5的496 Ball大50%，製造難度也同步提升。在塑封環節長鑫採用了高導熱型High K EMC（高導熱環氧塑封料）對晶片整體進行包覆保護，可使顆粒熱阻下降40%左右，大幅改善LPDDR6高負載執行階段的熱量匯出效率，充分保障顆粒性能穩定發揮。
當下，高性能、低功耗記憶體需求持續增長。LPDDR6作為最新一代低功耗高速率產品，未來落地場景涵蓋手機、電腦、智能汽車、邊緣伺服器、智能穿戴裝置和機器人等領域。
長鑫存儲此次成功推出LPDDR6，是公司在高端記憶體自主研發中的重要里程碑。該產品目前正加速商業化與規模化應用，公司將持續最佳化其性能表現、豐富產品線組合，攜手產業鏈夥伴，共同推動LPDDR6記憶體技術在更廣泛智能場景中落地。 (芯榜)