9月14日消息，據台媒《經濟日報》援引供應鏈消息報導稱，晶圓代工大廠台積電正持續衝刺先進製程產能，並首次曝光了明年最新2nm和3nm的擴產目標。
報稱，台積電3nm月產能去年底達12萬至13萬片後，今年底進一步擴增至18萬片。雖然2nm量產後，3nm已不是台積電最先進的製程，但市場需求仍強勁，台積電因而持續擴大3nm產能，目標明年中3nm月產能超21萬片，半年內增加16%，換算2025年底至2027年中的一年半內，增加近70%產能。
在2nm產能方面，供應鏈指出，台積電今年底2nm月產能將達9萬片，明年中將進一步擴大至11萬片，半年內增加22%產能。
台積電此前表示，2026年資本支出將介於600億美元至640億美元，其中約70%至80%用於先進製程。 該公司正在新增三座3nm晶圓廠，分別位於台灣、美國亞利桑那州及日本，同時，台積電在台灣也在持續轉換5nm裝置來支援3nm產能。
台積電還在持續建設2nm以下更先進的製程技術發展，包括A16、A14、A13、A12等。 該公司日前並與ASML共同宣佈發起合作，將推動高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）自當前的6英吋光罩，轉移至更大的12英吋光罩。
近日，比利時微電子研究中心（IMEC）也宣佈，攜手ASML及材料供應商，成功利用High NA EUV單次曝光，完成22nm間距導線的單次圖形化，較先前驗證的28nm間距再進一步縮小。並驗證多種接近實際晶片片設計的複雜結構，顯示成熟CAR光阻技術有望延伸至A14、A10等埃米世代，應用於部分關鍵金屬層與通孔層。 (芯智訊)