AMD近日官方公佈了第一份關於Zen6架構設計的檔案《AMD Family 1Ah Model 50h-57h處理器性能監控計數器》，通過性能監視介面了，披露了Zen6架構設計的不少細節。當然，這次講的是EPYC資料中心處理器的Zen6，而不是消費級銳龍，但底層邏輯是相通的。在此之前，我們只知道EPYC Zen6是首個採用台積電2nm工藝的高性能處理器，最多256個核心。最新檔案支出，Zen6架構並不是Zen4/5的漸進式小幅度升級，而是經過了全面翻新，專門為高吞吐量設計的更寬架構，擁有8個寬度的指令調度引擎(蘋果9個寬度)，當然繼續支援SMT同步多線程。Zen6重點增強了對向量(向量)運算、浮點運算執行狀態的監測能力，顯然非常重視密集型數學運算負載。Zen6核心還配備了特殊的計數器，用於統計閒置調度窗口、後端流水線阻塞、線程選擇損耗等，再次印證Zen6架構上對更寬發射技術與SMT仲裁機制的戰略思路。Zen6依然支援512位完整寬度的AVX-512指令集，相容FP64、FP32、FP16、BF16等資料格式，支援FMA(融合乘加)、MAC(乘積累加)運算，以及浮點-整數混合向量執行，包括VNNI(向量神經網路指令集)、AES(高級加密標準)、SHA(安全雜湊演算法)等。不僅如此，Zen6 AVX-512的持續吞吐量極高，需要借助合併式性能計數器才能實現精準測量。這兩年，AVX-512指令集反而已經成為AMD的殺招，Zen6每個時鐘周期能夠完成的向量運算任務量，更是超出了傳統測量方法的適用範圍，所以才需要新的監視介面。總體而言，Zen6將是AMD首次從底層開始、專為資料中心和AI應用場景打造的微架構，必將成為一款計算利器。至於消費級版本將保留那些特性，實際表現如何，還有待觀察。AMD已經確定明年推出Zen6架構的新一代處理器，EPYC產品會首發台積電2nm工藝，銳龍版Zen6還有很多謎團未公佈，預計下月初的CES展會上會有消息。再往後就是Zen7架構了，代號Prometheus，雖然也沒啥規則可說，但它跟Zen6一樣應該都是AM5插槽的，至少會用到2027年。知名爆料大戶Moore's Law is Dead現在又給出了後面的Zen架構路線圖，Zen8代號Penelope，Zen9代號Nemesis，它們的一大升級就是換用新一代的AM6插槽。此前消息稱AM6插槽將擁有2100個針腳，相比AM5插槽的1718個針腳，增加了22%，但尺寸預計將保持與AM5相同，散熱器也是理論上能相容的。Zen8預計在2029到2030年問世，Zen9則是2032到2033年發佈，屆時應該支援DDR6記憶體及PCIe 6.0插槽了。那時候應該會解決記憶體缺貨漲價的問題了，不然未來的處理器成本本身就很貴，再加上記憶體還是高價的話，那DIY真沒得玩了。(硬體世界)

三星Exynos 2600重磅發表：2nm一、全球首款2nm移動晶片周五，三星電子丟下行動半導體產業重磅炸彈－正式公佈業界首款2奈米製程智慧型手機應用處理器Exynos 2600的完整細節。這款承載三星頂尖半導體實力的晶片，不僅標誌著行動晶片正式邁入2nm新紀元，更以環繞閘極（GAA）架構為基石，在性能、AI、影像、散熱四大維度實現顛覆性突破，重新定義旗艦移動運算核心的技術天花板。作為智慧型手機的“超級大腦”，Exynos 2600由三星系統LSI部門傾力打造，代工廠全程保障GAA架構的精密製造，將直接賦能明年初發佈的Galaxy S26系列旗艦機型。基於最新Arm架構的10核心CPU配置堪稱豪華：1顆3.8GHz Cortex-C1 Ultra超級核心領銜，搭配3顆3.25GHz Cortex-C1 Pro性能核心與6顆2.75GHz Cortex-C1 Pro能源效率核心，形成「超高高性能+均衡能效」的黃金組合，整體運算效能較上一代暴漲39%。AI與圖形效能提升顯著：整合32K MAC NPU的AI引擎，使生成式AI負載性能翻倍；三星Xclipse 960 GPU加持下，圖形效能較Exynos 2500飆升100%，配合Kinetic Reality技術，光線追蹤效能提升50%，Exynos Neural Super Samplingling 技術讓遊戲流暢度上升影像能力拉滿：單攝最高支援3.2億像素CMOS及108MP@30fps連拍，雙攝64MP+32MP滿足專業需求；顯示與編解碼實力頂尖，支援4K/WQUXGA@120Hz高刷螢幕、8K編解碼，整合全格式編解碼器覆蓋影音場景。核心亮點在於，Exynos 2600首次在行動SoC中植入散熱路徑模組（HPB），採用高介電常數材料，熱阻最多降低16%，破解高階晶片散熱痛點。同時，作為首款2nm GAA智慧型手機晶片，其率先支援混合後量子加密保障安全，更將成為未來Exynos晶片基礎平台，奠定技術優勢。二、三星手機策略：半數S26機型搭載Exynos 2600量產落地，既是技術突破，也是三星重振自研行動處理器策略的重磅訊號。根據《韓國經濟日報》先前報導，三星計畫為Galaxy S26系列約半數機型配備該晶片，這是其自研晶片受挫後的激進反攻舉措。規劃顯示，韓歐市場Galaxy S26全系列（含Ultra版）將搭載Exynos 2600，美日中市場仍用高通驍龍。這種均衡分佈，意味著三星2021年後首次在旗艦Galaxy系列大規模部署Exynos晶片，標誌自研策略全面回歸。回溯歷史，2015年前三星旗艦Galaxy全用Exynos晶片，2016年開始轉向高通。2022年Galaxy S22系列Exynos晶片的散熱問題與低良率打擊消費者信心，加速轉向。去年起三星開啟自研回歸：Galaxy S24基礎版/Plus版搭載Exynos 2400，後續Galaxy Z Flip7（僅韓國銷售）搭載Exynos 2500，逐步重建信任。如今Exynos 2600量產與大規模搭載，是三星自研回歸的關鍵一步。這反映其對自身半導體能力的自信，也是重構行動晶片市場格局的重要舉措。憑藉2nm製程先發優勢，三星試圖重奪高階行動晶片話語權，扭轉被動局面。隨著Galaxy S26臨近，這場與高通的正面較量，將成2025年高階手機市場最大看點。（深科技）

01. 前沿導讀根據日經中文網發文指出，日經XTECH、日經ELECTRONICS根據日本專利調查公司Patentfield的專利分析工具對中美晶片公司的技術專利進行了總體分析。從整體的數據資訊來看，中國大陸企業在GPU、電晶體結構、晶片製造技術等多個領域開始對美國老牌企業窮追猛打，並且在先進技術領域提前進行技術佈局，與美國、韓國等國家的企業展開持久性的未來競爭。中國企業在晶片產業上搶佔技術制高點的決心，對國際企業造成了一種未知的恐懼感。02. 技術專利2019年，中國企業在GPU領域的專利申請數量開始呈現上升的趨勢。到了2023年，中國的技術申請數量達到了3091項，對比2018年的數量增長幅度將近10倍，相當於美國英特爾的3倍、輝達的5倍，但是遠低於韓國三星。三星電子的大規模專利申請，與高頻寬記憶體有直接關係。高頻寬記憶體與GPU進行ai領域的協同工作，三星本身就是記憶體業務的巨頭，這種大規模技術申請的數量也標誌著三星正在為以後的ai產業埋下技術伏筆。在技​​術含量最高的電晶體和晶片製造領域，中國企業正在緩慢地向前推進。現階段的國際晶片產業，一致認為想要將晶片技術推進到2nm的下一個時代，採用GAA電晶體結構是最直觀的技術方案。晶片的電晶體結構分為三個階段，14nm以上的製程採用平面電晶體結構，14nm及以下製程使用胡正明開發的Fin FET電晶體結構，到了2nm及以下工藝，需要採用GAA電晶體結構。在GAA架構的專利申請中，台積電毋庸置疑的成為了全球企業的老大。而大陸企業則是在2018年開始佈局，2023年的時候申請了大約20項相關專利。雖然數量不多，但還在持續推進，這種在專利層面的循序漸進，也標誌著中國企業正在進行未來2nm晶片的研究，與國際巨頭打持久戰。在EUV以及光刻技術的專利申請上面，中國大陸企業也在積極佈局。由於美國的製裁封鎖，大陸企業無法獲得先進的EUV光刻機，這極大限制了中國開發自主先進晶片的進度。在此之前，中國晶片企業一直以設計為主，並且在某些設計領域具備與美國企業比拚的實力。但是本土製造技術與設計水準存在脫節，以至於美國的出口管制讓許多中國企業空有設計能力，卻無法將晶片製造出來銷售。這也在一定程度上迫使設計企業進入晶片製造領域，並聯合國內的老牌晶圓工廠解決先進晶片的卡脖子問題。03. 技術路徑儘管中國被封鎖了EUV光刻機，但是中國企業曾經採購了一批先進的浸潤式DUV光刻機，這些DUV光刻機搭配先進的刻蝕機，再加上自對準多重圖案化技術（SAQP）實現7nm晶片的製造。根據前側積電研發副總裁林本堅在個人作品中表示，多重圖案化技術對於套刻精度的要求很高，假設套刻的CD偏差為1.5%，如果該偏差無法得到有效的解決，那麼其最終將會導致6階的誤差也就是8.4%，這對於晶片製造來說是致命的影響。前台積電研發處長、前中芯國際董事楊光磊也在接受採訪時表示，採用比EUV差一些的浸潤式光刻機製造先進晶片，這是可行的方案，也是一條被驗證過的方案。但想要繼續製造5nm甚至是更先進的晶片，理論上是可能的，不過良品率不可控，所投入的資源也不可控，這完全是一個技術無人區。尤其是對於那些沒有涉足製造業的晶片公司來說，這個難度就更大了，短時間內看不到成果，需要持續累積經驗才有可能成果。彭博社早在2024年就發布了相關報告，報告指出中國本土企業正在嘗試使用有限的設備，透過傳統方法製造5nm晶片。這種方法無異於霸王硬上弓，目前在國際層面還沒有企業能夠成功。台積電、三星、英特爾都已轉向EUV技術，中國企業是目前唯一以DUV光刻機衝擊5nm晶片的企業。未來2nm晶片的結構將會從Fin FET過渡到GAA，電晶體內部的閘極四麵包圍著奈米片，因此會電晶體會獲得更好的電流控制，盡量避免量子穿隧效應。以現在的情況來看，中國企業已經在積極佈局電晶體結構的技術專利，從底層的基礎結構開始研發，逐步建立一套屬於中國企業的晶片產業鏈。在沒有解決EUV光刻機的情況下，採用浸潤式微影機和自對準多重圖案化技術依然是折中且成熟的方法。麒麟晶片的重新回歸，標誌著中國企業已經走通了採用多重圖案化技術製造先進晶片的路線，下一步就是要繼續降低供應鏈風險，實現晶片製造的可持續性發展。在確保供應鏈體係安全穩定的情況下，去嘗試透過現有的技術設備製造全新電晶體結構的晶片。 （逍遙漠）

最新爆料顯示，蘋果將於2026年推出A20和A20 Pro晶片，台積電2奈米工藝製造，並引入創新的WMCM封裝技術，預計性能提升15%，功耗降低30%。A20系列晶片將是蘋果首次進入2奈米工藝時代，也是其封裝技術從InFO轉向WMCM的重要轉折點。這一變革不僅關乎製程工藝的微縮，更是晶片設計思路從高度整合向模組化靈活配置的轉型。台積電2奈米工藝基於全環繞柵極（GAA）奈米片電晶體技術，電晶體密度較3奈米工藝提升約1.15倍，同時導線電阻降低20%。這一基礎性提升為晶片性能和能效的飛躍奠定了物理基礎。WMCM（晶圓級多晶片模組）封裝技術是此次升級的核心亮點。與當前將所有元件整合在單一晶片上的InFO技術不同，WMCM允許將CPU、GPU和神經網路引擎等多個獨立裸片（die）整合到單一封裝中，而 InFO 封裝則是在單塊裸片上整合各類元件。這種“先封裝再切割”的方式省去了傳統封裝中的中介層，使訊號傳輸路徑更短，延遲更低。各功能模組可以獨立運作，根據任務需求動態調整功耗，從而實現更精細的能效管理。封裝技術的變更將帶來以下多項優勢：更出色的晶片組設計靈活性：通過加入不同裸片，蘋果可採用不同 CPU 和 GPU 核心組合打造多樣化晶片配置。該公司在推出 M5 Pro 和 M5 Max 時可能會採用類似方案，據悉這兩款晶片將具備獨立的 CPU 和 GPU 模組。提升可擴展性，支援多產品衍生：WMCM 可為蘋果提供基準配置，後續可基於該配置設計 A20、A20 Pro，以及性能顯著更強的 M6、M6 Pro 和 M6 Max。能效升級：與單塊裸片整合所有元件的方案相比，多裸片的緊密整合有助於降低功耗。CPU、GPU 和神經網路引擎裸片可獨立運行，並根據具體任務需求調節功耗。簡化製造流程以降低成本、提高良率：WMCM 採用模塑底部填充（MUF）技術，有助於減少材料消耗和工序步驟。簡而言之，蘋果 A20 與 A20 Pro 的產能將進一步提升，同時缺陷晶片數量降至最低，這將有助於抵消明年採用台積電 2nm 工藝所增加的成本。 (半導體技術天地)

除了明年為使用台積電的 2nm 技術支付額外溢價之外，高通和聯發科在準備明年推出 Snapdragon 8 Elite Gen 6 和 Dimensity 9600 旗艦晶片時，現在還不得不應對 DRAM 價格的飆升。有傳言稱，由於 LPDDR6 RAM 價格上漲，只有上述提到的旗艦晶片組將配備下一代記憶體，但這預計不會減輕高通或聯發科的智慧型手機合作夥伴的壓力。高通的Snapdragon 8 Elite Gen 6將有兩個版本，但只有一個支援LPDDR6 RAM；聯發科的Dimensity 9600將僅堅持一個版本。來自微博使用者“數位閒聊站”的爆料稱，明年只有“Pro級”晶片組會搭載 LPDDR6 RAM 晶片出貨。該傳言還暗示，中國的記憶體製造商正在準備明年大規模生產相同的 DRAM 技術，這可能會為高通和聯發科的 Snapdragon 8 Elite Gen 6 和 Dimensity 9600 帶來一些定價談判籌碼。對於不瞭解的人來說，據說高通將推出 Snapdragon 8 Elite Gen 6 和更頂級的版本 Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro。正如你所知，這兩個版本將存在一些差異，數位閒聊站透露，更快的記憶體支援和更快的GPU是其中的兩個區別。該傳言還提到，記憶體價格將在 2027 年開始放緩，這意味著搭載 Snapdragon 8 Elite Gen 7 和 Dimensity 9700 的智慧型手機可能會變得更便宜。雖然 LPDDR6 RAM 成本的增加將對 2026 年的旗艦裝置產生不利影響，但這只是高通和聯發科為台積電 2nm 晶圓支付費用的一小部分。估計每片晶圓的價格為 30,000 美元，這兩家晶片製造商將被迫要麼降低利潤，要麼迫使他們的智慧型手機合作夥伴提高售價。可以想像，這兩種結果都不是積極的。另有傳言稱，高通和聯發科將利用台積電略微改進的 2nm 'N2P' 架構，而蘋果將繼續為 A20 和 A20 Pro 採用 2nm N2 架構。儘管 N2P 節點僅比 N2 提供 5% 的性能提升，但高通和聯發科希望獲得超越蘋果的優勢，即使這意味著 Snapdragon 8 Elite Gen 6 和 Dimensity 9600 的價格會高得離譜。 (半導體行業觀察)

2025年11月21日，經濟產業大臣赤澤昭正宣佈，政府計劃向Rapidus投資1,000億日圓。 Rapidus的實施計畫也於同日公佈，計畫於2031財年左右上市。同日，經濟產業省（METI）將Rapidus公司選定為符合《資訊處理促進法》財政支援條件的下一代半導體製造商。此前，產業結構審議會下一代半導體分會審議了Rapidus公司提交的實施計劃，並根據該計劃報告做出了最終決定。根據該計劃，經濟產業省計劃透過資訊科技促進機構（IPA）從2025財年的初始預算中撥出1000億日圓進行初步投資。Rapidus實施計畫概要目標是在2025財年下半年實現2nm製程的量產，之後每2-3年進行新一代製程的量產。在提交給經濟產業省（METI）的實施計劃中，Rapidus概述了其中期計劃，即在2027財年下半年開始量產2nm流程的半導體。該計劃還概述了此後每兩到三年量產最新一代（1.4nm和1.0nm）過程半導體的中期路線圖。此外，Rapidus還提出了在2029財年左右實現正經營現金流、在2031財年左右實現正自由現金流以及在2031財年左右上市的目標。Rapidus投資計劃/籌資計劃在技​​術研發方面，公司計劃透過單晶圓加工和新型傳輸系統等差異化技術，縮短原型製作和改進所需的時間，力爭在2027財年下半年開始2nm製程量產時，「將電晶體性能和良率提升至足以憑藉晶片品質和成本競爭力吸引客戶的水平」。同時，公司也將全力推動1.4nm製程的研發工作。在後處理方面，公司計劃於2025財年與國際組織合作，開設一條試點生產線，並建立相應的生產技術。Rapidus目前的技術基礎與未來技術發展客戶獲取方面還有很大的進步空間關於客戶獲取，該公司解釋說“客戶獲取空間巨大”，並指出預計到2030財年，全球2奈米半導體市場的供應將比需求缺口約10%至30%。該公司首先的目標是爭取來自為人工智慧資料中心設計客製化半導體的無晶圓廠公司的訂單，然後計劃擴大國內外緣設備（汽車、機器人等）的供應。客戶獲取計劃（半導體產業觀察）

11月21日消息，據Counterpoint Research最新報告顯示，三星計畫在2026年底前將2奈米工藝月產能提升至2.1萬片晶圓，較2025年增長163%。實現此目標的核心在於突破當前技術瓶頸，三星正集中資源提升良率，同步加強工藝控制體系研發。報告同時揭露了五大核心客戶名單：特斯拉AI晶片、三星自研Exynos 2600處理器、MicroBT與Canaan的加密貨幣挖礦晶片，以及高通第五代驍龍8s Elite行動平台。其中，Exynos 2600預計將成為首款量產SF2工藝SoC，而高通旗艦晶片預計2026年初完成流片（TapeOut），為量產鋪平道路。當前台積電以70.2%的全球代工份額佔據絕對主導，三星雖位居第二但份額僅7.3%。三星已將代工業務戰略目標錨定在兩年內實現盈利並奪取20%市場份額，其關鍵路徑包括：持續改善2奈米良率、推動美國泰勒工廠量產，以及深化與高價值客戶的長期合作。若這些舉措順利落地，三星可望在尖端製程領域大幅縮小與台積電的差距。 （國芯網）

台積電近期宣佈，計畫將其下一代2奈米半導體工藝晶圓的生產價格較上一代提高約50%，此舉引發了高通、聯發科等主要客戶的抵制。據報導，高通的盈利能力因台積電提高其現有的3奈米晶片代工服務價格而有所改善，目前正考慮將生產業務分散至三星電子。雪上加霜的是，台積電位於美國亞利桑那州的工廠在人員和裝置最佳化方面面臨挑戰，導致其生產成本高於其位於台灣的工廠。這引發了人們對與現有客戶的價格談判可能變得更加激烈的擔憂。分析師認為，這可能為三星電子的代工部門創造機會，該部門在3奈米工藝受挫後，正致力於憑藉2奈米工藝實現反彈。據業內人士16日透露，台積電提高其最新的尖端移動晶片半導體工藝3奈米（N3P）的價格，預計將導致高通移動應用處理器（AP）價格上漲16%。全球最大的移動晶片製造商聯發科也預計將因3奈米生產成本上升而將晶片價格提高約24%。這些漲價直接影響了兩家公司的盈利能力，導致它們不願接受。近日，高通CEO克里斯蒂亞諾·阿蒙針對台積電的定價動向直言不諱，表示“我們正在考慮儘可能多的代工合作夥伴方案”，同時對近期成功量產18A工藝而備受矚目的英特爾表示“目前還沒有選擇”。鑑於目前全球只有台積電、三星電子和英特爾具備 3 奈米以下工藝的製造能力，阿蒙的聲明被解讀為暗示三星是其潛在的次要合作夥伴。事實上，三星的代工部門已經在與台積電競爭，爭取高通下一代驍龍移動應用處理器的訂單。台積電的定價策略可能會持續下去。在川普政府“美國製造”政策的壓力下，台積電正在加速其亞利桑那州工廠的生產，但正面臨當地勞動力短缺和生產最佳化的困境。業內估計，即使是比2奈米工藝落後兩代的4奈米工藝，台積電美國工廠的生產成本也比台灣工廠至少高出30%。而對於需要極紫外（EUV）光刻等昂貴裝置和更複雜生產步驟的2奈米工藝，成本差距可能擴大到50%。這將削弱台積電在生產成本效率方面的傳統競爭優勢。三星也在德克薩斯州泰勒市建設代工工廠，預計其在美國的生產成本將高於其在華城和平澤的工廠。然而，與台積電相比，三星在美國的風險普遍較低。一位熟悉三星的消息人士解釋說：“與台積電不同，三星在德克薩斯州營運代工工廠已有20多年，並與格芯等當地公司建立了合作體系。這使得三星在裝置、勞動力和生產最佳化方面擁有優勢，能夠更好地適應當地市場。”參考連結https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/10/16/PCOAVQF5DJHWDBVZLG53FE4QBI/ (半導體行業觀察)