隨著製程節點不斷微縮，繼續依靠傳統的尺寸縮減來維持性能提升變得越來越困難。因此，晶圓代工廠開始轉向結構創新，以緩解製程微縮帶來的瓶頸。
對於那些無法獲得 EUV（極紫外光刻）裝置的中國晶片製造商而言，在進一步實現製程微縮、提升電晶體密度和性能方面面臨更多限制，因此，像背面供電（BSPD）這樣的技術路線正變得越來越重要。
在這一背景下，業內消息人士稱，中國領先的半導體裝置廠商正在加大對中芯國際（SMIC）BSPDN技術研發的支援，目標是將其應用於N7和N5製程。
背面供電是將傳統位於電晶體層上方的供電網路轉移至晶圓背面，通過垂直通孔（如奈米矽通孔）直接為電晶體供電，此舉可顯著提升晶片性能、降低功耗並增加電晶體密度，但也面臨晶圓減薄、散熱管理、工藝複雜性與成本升高等挑戰。
目前，代工巨頭均已推進該技術的量產應用。
英特爾率先實現其PowerVia技術的量產，該技術已隨Intel 20A製程於2024年上半年進入生產準備階段，並應用於Intel 18A等製程節點，其性能增強版本18A-P已於2026年進入風險試產。
台積電計畫在其2026年推出的N2P及A16製程節點中引入其超級電源軌（Super PowerRail）技術。
三星則計畫在其2027年量產的SF2Z（1.4nm）節點中應用BSPDN技術，且由於測試結果良好，正考慮將其應用節點從原計畫提前至2nm節點。
值得注意的是，據報導中微公司和北方華創正在與中芯國際合作，推進面向N7/N5節點的 BSPD技術開發。
其中，中微公司的原子層沉積裝置已經通過中芯國際的驗證。ALD裝置在製造精密薄膜層時至關重要，其通過驗證意味著國產裝置在先進製程供應鏈中取得了關鍵突破。
對於中芯國際而言，BSPD技術是在無法獲取EUV光刻機的情況下，不依賴縮小節點也能提升晶片性能、密度和能效的重要替代路徑。這標誌著中芯國際在先進製程的競爭中，正通過技術創新和國產裝置協同，尋找新的突破口。(印科技)