長鑫正在從“國產替代”,走向全球DRAM第四極

北風窗
AI速讀
長鑫存儲近期推出 LPDDR6 量產、G5 製造平台及 HBM3E 小批次生產,顯示其戰略目標已從「填補國內空白」提升至「挑戰全球高端 DRAM 市場」。儘管在 HBM 等尖端技術上與美、韓三巨頭仍有代際差距,但透過產品結構上移,長鑫正試圖建立自己的先進製造體系。分析認為,長鑫能否成為全球第四極,取決於其在高端產品的良率穩定性與成本控制能力,而非單純的產能擴張。

最近長鑫有三個動作,我覺得應該放在一起看。

9月7日,LPDDR6在旗艦手機實現量產商用;9月20日,第五代DRAM技術平台G5宣佈量產;再往前,媒體披露長鑫已經開始小批次生產HBM3E,平頭哥、寒武紀等國內AI晶片廠商正在測試。

這三件事指向的是同一個變化:

長鑫正在從“有沒有國產DRAM”,進入“能不能做高端DRAM”的階段。

過去談長鑫,最核心的邏輯是國產替代。

三星、SK海力士和美光長期控制全球絕大部分DRAM市場,中國需要自己的DRAM供應商。長鑫這幾年快速擴產,也確實抓住了一個窗口——國際大廠把更多產能轉向DDR5、伺服器和HBM之後,LPDDR4X等成熟產品供給收縮,長鑫迅速補了上來。

TrendForce今年已經把三星、SK海力士、美光和長鑫稱為Mobile DRAM的“Big Four”,長鑫甚至依靠LPDDR4X快速逼近美光在手機DRAM市場的營收份額。

但這也說明,過去長鑫份額增長和真正的技術追趕,不能完全畫等號。

LPDDR4X做得再多,和進入LPDDR6、先進DDR5、HBM,還是兩件事。

所以最近真正值得看的,是產品結構開始往上走。

先看G5。

G5不是一顆晶片,而是長鑫第五代DRAM製造平台。

長鑫披露,這個平台把DRAM記憶體陣列有源區半間距進一步壓縮到11.95奈米,並使用四重圖形化等工藝。首批產品包括兩款24Gb LPDDR5X,單顆容量提高50%,相比上一代平台,單位晶圓能夠產出的裸片數量至少提高50%。

這個數字其實比“11.95奈米”本身更重要。

因為記憶體晶片最後拼的不是誰先喊出一個先進節點,而是同一片晶圓能做多少Bit,良率能不能穩定,成本能不能不斷往下降。

三星、SK海力士和美光真正難追的地方,就是幾十年積累出來的工藝和成本曲線。

所以G5的意義,是長鑫開始從“能生產高性能DRAM”,進一步走向“建立自己的先進DRAM製造平台”。

第二條線是LPDDR6。

9月7日,長鑫宣佈LPDDR6已經量產商用,首發進入小米18 Fold。最高傳輸速率12.8Gbps,相比公司上一代LPDDR5X,峰值頻寬提高60%,功耗下降20%。

這意味著長鑫第一次把產品真正推到了旗艦移動DRAM的最前沿代際。

這一點和過去做LPDDR4X最大的區別,是競爭方式變了。

中低端產品更多看成本、產能和供應保障;進入旗艦手機以後,客戶看的還有功耗、性能、穩定性、良率和長期供貨能力。

長鑫要面對的已經不只是“國產客戶願不願意用”,而是自己的產品能不能長期留在高端客戶的供應鏈裡。

這是完全不同的一場競爭。

再往上,就是HBM。

這也是目前長鑫和全球前三差距最明顯的地方。

8月底The Information報導稱,長鑫已經開始小批次生產HBM3E,並由平頭哥、寒武紀等國內AI晶片廠商進行測試,計畫在驗證順利後於2027年擴大生產。

但這裡要注意,目前的資訊仍然來自媒體報導,長鑫沒有正式確認大規模商業化。

小批次做出來,只代表開始進入驗證。

能不能穩定量產、良率怎麼樣、能不能和AI晶片完成長期系統驗證,才決定它最後能不能真正進入市場。

而且對手已經繼續往前走了。

三星今年已經開始出貨HBM4,SK海力士和美光也在推進HBM4量產和認證。

換句話說,長鑫目前在HBM上仍然存在明顯代際差距。

但我反而覺得,這才是接下來觀察長鑫最有價值的地方。

以前的問題是,中國能不能造DRAM。

現在這個問題基本已經過去了。

接下來真正要看的,是三個東西:

G5能不能把先進工藝和成本繼續往前推;LPDDR6能不能從一款旗艦機擴散到更多高端終端;HBM3E能不能從測試樣品變成穩定供貨。

這三件事如果持續兌現,長鑫的身份才會真正發生變化。

因為所謂“全球第四極”,關鍵從來不是排名第四。

而是當三星、SK海力士和美光推出下一代產品的時候,全球市場開始習慣性地問一句:長鑫做到那一步了?

到了那個階段,國產DRAM才算真正從國產替代,進入全球競爭。 (楷叔投研)