據TrendForce援引多方消息報導，中國初創公司朗道賽萊克斯（Langdao Silex）在本周於上海舉行的第26屆中國國際工業博覽會上，展示了一款極紫外（EUV）光源原型，輸出功率超過15瓦，90% 的元件為國產，並具備較好的運行穩定性。然而，該公司還需三到五年才能將其技術商業化，且光源本身並不等同於完整的EUV光刻機。
朗道賽萊克斯成立於2024年，創始團隊來自清華大學氣體放電電漿體實驗室。其展示的FlintNano LPP-OXXO系統採用與ASML現代光源相同的雷射電漿體（LPP）技術，通過高能雷射脈衝轟擊微小的加熱金屬液滴產生極熱電漿體，從而輻射出EUV光。該系統配備1000瓦驅動雷射（推測為CO₂雷射），工作頻率為1kHz至20kHz，轉換效率超過2%。其EUV輸出超過15瓦（推測是在電漿體處測量，而非中間焦點，因為該公司尚未展示完整的EUV收集系統），亮度達到100 W/(mm²·sr)。
根據朗道公佈的規格，FlintNano LPP-OXXO可連續運行超過100小時，電漿體穩定性為3% RMS，EUV輸出功率穩定性為5%。這些特性使該系統適用於半導體曝光實驗，但其輸出仍不足以用於高產量晶片生產。對於一台預生產光源而言，“超過100小時”的可用性令人印象深刻，但這一說法目前無法核實。
朗道還在開發FlintMicro-LPP高功率EUV光源，據稱已完成原理驗證，但未披露其輸出功率、轉換效率或工作壽命。從紙面資料看，朗道的光源輸出與西方和日本裝置製造商最早開發的EUV光源相當，但存在一個重要區別：朗道似乎在電漿體處測量EUV功率，而非像ASML那樣在收集器之後或中間焦點處測量。
歷史上，ASML早期的EUV演示裝置在2007年使用約10瓦的中間焦點DPP光源；Cymer的LPP光源在2012年安裝於早期NXE:3100系統時，在晶圓曝光期間可提供高達11瓦的功率。到2013年，Cymer展示了在長時間運行中約40瓦的中間焦點功率；日本Gigaphoton在2013年首台原型機目標為25瓦，2014年初演示了43瓦，到2014年底在10分鐘測試中達到了118瓦。然而，由於這些歷史資料涉及不同的測量條件和執行階段長，直接比較並不精準。
朗道聲稱其原型90% 的元件為國產，關鍵部件大多在中國開發。但該公司未說明國產化率是基於元件數量、價值還是其他指標。其代表還承認，提高EUV輸出和改善長期運行穩定性是實現光源商業化的目標。
即便沒有完整的EUV光刻機，朗道的光源也可支援EUV光刻膠開發、掩模檢測研究、EUV收集與照明光學開發，以及最終的實驗性曝光測試。但開發完整的EUV光刻掃描器還需要在EUV收集與照明系統、高精度多層反射鏡、晶圓台與掩模台、套刻精度和系統整合等方面取得進一步突破。所有這些裝置都需要一個目前在中國幾乎不存在的獨立供應鏈。因此，即使朗道成功開發出其EUV光源並將輸出提升至適合高產量製造的水平，也並不意味著中國能在短期內製造出自己的EUV光刻機。況且，ASML/Cymer花了約六年才將其LPP EUV光源的輸出從11瓦提升至125至150瓦，朗道的光源在未來三到五年內除了開發工具之外，不太可能用於其他用途。(晶片行業)