記憶體巨頭長單將延長至2035年

RexAA
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受AI資料中心需求激增影響,儲存晶片面臨長期短缺風險。Google 等科技巨頭正嘗試將供應合同延長至2035年,美光等製造商則透過長期協議確保營收穩定並對沖市場波動。分析指出,由於產能向 HBM 傾斜,DRAM 與 NAND 可能在2030年前持續短缺,價格趨勢看漲。此趨勢為三星與 SK 海力士等業者提供了長期繁榮的積極訊號,改變了市場對半導體週期下行的悲觀預期。

隨著人工智慧(AI)資料中心市場記憶體晶片持續短缺,包括Google(Google)在內的一些客戶據稱正在尋求將長期供應合同延長至2035年。

儘管市場擔憂AI基礎設施投資可能放緩,且半導體行業或將面臨下行周期,但越來越多的觀點認為,三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等企業的強勁財務表現,其持續時間可能會超出此前的預期。

10月19日,投資新聞媒體The Motley Fool報導稱,美光科技(Micron)近期簽署的長期供應協議,對於記憶體晶片股的投資者而言,可能成為一個“改變遊戲規則”的轉折點。

這一評估基於投資銀行KeyBanc的一份報告。報告指出,包括惠普(HP)和戴爾(Dell)在內的多家美國大型伺服器製造商,已將其與美光科技的長期合同延長至2031年。

此外,據報導,Google母公司Alphabet也正在商討將其與記憶體晶片製造商的供應合同延長至2035年。

The Motley Fool將這些動態解讀為一個“積極訊號”,表明當前記憶體晶片行業的繁榮期可能會比市場預期持續更久。

與此同時,三星電子、SK海力士和美光科技等全球主要記憶體晶片企業的股價在整個10月份均出現了顯著下跌。

這一趨勢源於市場日益加劇的擔憂:受利率上升和盈利能力疲軟等因素影響,專注於AI的企業在籌集資金時可能面臨困難,進而導致資料中心投資縮減。鑑於近期AI資料中心的投資熱潮是推動DRAM、NAND快閃記憶體及高頻寬記憶體(HBM)等記憶體晶片需求增長和價格上漲的主要動力,這一動向顯然是一個負面因素。 The Motley Fool 指出,隨著投資者對記憶體半導體行業的繁榮能否持續產生懷疑,美光科技(Micron)目前的股價對應的市盈率(P/E)僅為 5 倍左右(基於 2027 年的預期淨利潤計算)。

然而,Google(Google)等公司出於對長期半導體短缺及價格持續上漲的擔憂,正尋求籤訂直至 2035 年的長期供應合同;這一動向被視為行業的一個積極訊號。

記憶體晶片長期供應合同有望延續至 2035 年,這為三星電子(Samsung Electronics)和 SK 海力士(SK Hynix)的持續繁榮釋放了積極訊號。

儘管 The Motley Fool 提醒稱“很難斷言記憶體半導體行業的繁榮一定會持續到 2035 年”,但該機構也補充道:“主要客戶紛紛延長合同期限,表明該行業的強勁表現可能會比預期持續更久。”

KeyBanc 預計,第四季度 DRAM 的平均價格將較第三季度上漲 15%–20%,而 NAND 快閃記憶體價格預計將上漲超過 20%。這表明,關鍵記憶體半導體產品的價格上漲趨勢在短期內仍將持續。

在 9 月 30 日(當地時間)舉行的 2024 財年第四季度財報電話會議上,美光科技宣佈已與客戶達成了 26 份長期供應協議。據稱,到 2030 年,這些協議預計將貢獻約 35% 的營收。

即便記憶體半導體需求出現下滑、價格漲勢放緩(正如市場所預期的那樣),企業也有望通過設定了“價格下限”的長期合同,在一定程度上穩住其財務表現。

在 7 月份舉行的第二季度財報電話會議上,三星電子和 SK 海力士均表示正在擴大與客戶的長期供應協議,這一舉措與美光科技的做法如出一轍。他們極有可能在定於10月下旬舉行的第三季度財報電話會議上,披露這些長期合同的進展情況。

據《The Motley Fool》報導:“SK海力士(SK Hynix)預計,到2027年,DRAM供應短缺將達到歷史最嚴重水平,並將持續至2030年。”

此外,記憶體半導體製造商紛紛將產能集中於HBM(高頻寬記憶體),也被認為是導致DRAM和NAND快閃記憶體長期短缺的一個潛在因素。

《The Motley Fool》分析指出,在市場開始擔憂記憶體半導體行業可能於2030年前後陷入低迷之際,部分客戶決定將供應合同延長至2031年甚至更久,這一舉動構成了一個重要的變數。 (晶片說 IC TIME)