NAND快閃記憶體重大突破 三星電子有望重新確立其在全球儲存晶片市場的技術主導地位。 據韓國電子新聞報導，三星電子近期成功實現全球首個900層級V-NAND原型系統，並驗證了正常的單元運作特性。這一成果意味著三星在研發階段一舉跨越至900層高地，而當前量產市場的最高紀錄仍停留在321層。消息公佈後，業界普遍認為三星已在下一代NAND技術競爭中搶佔有利位置，同時為應對中國廠商的價格與產能攻勢構築起更高的技術壁壘。 三星不僅在量產端推進第十代V-NAND（V10，400層以上）的準備工作，同時在研發端實現跨代式領先，雙線並進的佈局有助於鞏固其在AI伺服器及端側AI儲存市場的長期競爭力。

在人工智慧 (AI) 熱潮的推動下，三星電子和 SK 海力士等儲存半導體公司的股價一路飆升，但與此同時，也有人警告稱，該行業特有的“繁榮與蕭條”周期可能會重演。 當地時間5月25 日，美國經濟媒體 CNBC 以題為《投資者警告：人工智慧熱潮下的儲存股存在繁榮與蕭條周期》的報導指出，“儘管過去幾年儲存股的超額收益推動了美國和韓國股市的顯著上漲，但市場專家警告投資者不應忽視市場的周期性。” 自 2022 年 12 月 ChatGPT 發佈以來，儲存行業一直保持著持續增長，這引發了對高頻寬記憶體 (HBM) 的巨大需求。韓國三星電子和SK海力士是全球最大的HBM晶片生產商之一，自年初以來，它們的股價分別飆升了114%和186%。同樣，同期美國公司如美光科技和閃迪的股價也分別上漲了141%和156%。 CNBC分析指出，支撐記憶體相關股票上漲的核心邏輯在於，人們普遍認為該行業已經擺脫了以往的周期性波動，即儲存需求大幅波動而供應基本保持不變。報告指出：“高管們認為，人工智慧已經顛覆了該行業以往的繁榮與蕭條周期，由於結構性供應短缺，價格可能會在未來幾年內保持高位。”

近日，三星電子發佈 2026 年第一季度儲存業務核心經營資料，在全球 AI 算力基礎設施建設浪潮的強力帶動下，疊加行業儲存晶片價格上行周期紅利，以及自身前沿儲存技術的率先落地應用，其儲存類股實現季度銷售額、營運利潤跨越式增長，創下自身季度銷售歷史新高。 從經營資料來看，三星裝置解決方案（DS）部門 2026 年第一季度銷售額達 81.7 兆韓元，其中記憶體業務銷售額 74.8 兆韓元，營運利潤飆升至 53.7 兆韓元。對比 2025 年一季度、四季度資料，營運利潤從 1.1 兆韓元、16.4 兆韓元實現量級式躍升，充分印證了AI 高附加值儲存產品的超強盈利溢價能力，也體現出儲存行業從傳統消費級向算力級的結構轉型紅利正在快速釋放。 本次業績爆發，是需求、周期、技術三重因素共振的結果。首先，全球 AI 算力軍備競賽帶來剛性需求，儘管高端 HBM、高速記憶體等產品供給受限，但輝達等頭部 AI 廠商的算力平台對高附加值儲存晶片需求激增，三星精準切入這一增量市場；其次，2026 年以來全球儲存晶片全行業開啟價格上行周期，供需格局收緊推升產品盈利空間；最關鍵的是，三星依靠差異化技術優勢搶佔先機，成為行業內首個實現HBM4、SOCAMM2 大規模量產供貨的廠商，產品直接配套輝達 Vera Rubin 算力平台，同時完成 PCIe Gen6 高速 SSD 的技術落地，提前鎖定下一代高速儲存市場的先發優勢。 面向未來，三星已清晰規劃出分階段的增長佈局，瞄準 AI 技術迭代的長期紅利。在 2026 年第二季度，三星計畫交付首批 HBM4E 樣品，進一步夯實高端 HBM 領域的技術壁壘，持續領跑全球 AI 高頻寬記憶體賽道；下半年則提前卡位新一代 GPU、CPU 上市窗口期，針對 DRAM、NAND 快閃記憶體全面推行AI 產品導向的銷售策略，精準承接算力硬體升級帶來的儲存增量。

日本缺乏對戰略產業的”持久戰”定力和”整體戰”視野 短期缺晶片，永遠缺儲存。 5月上旬，全球儲存行業迎來一輪超級景氣周期。 SK海力士一年半內股價暴漲10倍，市值逼近9420億美元；三星單季營業利潤達2607億元，同比增幅超750%；美光市值直逼9000億美元，連續多日創下新高。

三星電子成功實現全球首個900層V級NAND原型技術，向“千層NAND時代”又邁進了一步。在與競爭對手激烈的堆疊技術競爭中，三星電子憑藉這一突破迅速確立了顯著的技術領先優勢，備受讚譽。 據半導體行業25日報導，三星電子近期成功實現了採用“單元多重鍵合（CMB）”技術的900層V級NAND整合系統，該技術將兩片450層單元晶圓鍵合為一體。 NAND快閃記憶體是人工智慧伺服器、智慧型手機和資料中心固態硬碟（SSD）的核心元件，用於儲存資料。如同建造公寓樓一樣，堆疊層數越多，容量越大，在有限的晶片尺寸內即可儲存更多資料，同時最大限度地提高能效。這項技術被認為是三星電子在人工智慧伺服器和終端人工智慧市場佔據主導地位的關鍵，因為在這些市場中，高容量和高效率的元件至關重要。 目前，SK海力士憑藉其321層的4D NAND快閃記憶體在量產市場佔據層數最高的地位。然而，三星電子通過同時推進其第十代V-NAND（V10，超過400層）的量產，並在研發階段迅速突破900層大關，從而在下一代NAND市場中佔據了有利地位。

5月25日行業最新消息，三星電子完成全球首款900層V級NAND快閃記憶體原型晶片研發。 這次技術突破，直接改寫全球3D NAND快閃記憶體堆疊賽道的競爭格局。 三星本次採用單元多重鍵合CMB工藝，將兩片450層晶圓鍵合整合，成型900層完整整合系統。 3D NAND快閃記憶體可以類比高層樓宇，堆疊層數越高，單顆晶片儲存容量越大。

周二，三星電子最大兩家工會的成員就一項臨時薪資協議所進行的投票進入第五天。截至周一，投票率已達87%。然而，來自第三大工會的反對意見成為影響最終結果的潛在變數。 據媒體周二報導，代表三星電子非半導體部門（即裝置體驗事業部）員工的工會已向一家韓國法院申請禁令，試圖叫停半導體部門員工正在進行的一項關於績效獎金上調的投票。 據悉，申請禁令的是三星第三大工會同行工會（Donghaeng Union），該工會由來自三星電子智慧型手機、電視和家電部門的約13000名員工組成。 一位工會代表稱，非晶片工會在被告知其無權參與半導體部門工會成員的投票後採取了行動。

韓國將於本周三推出與三星電子和SK海力士掛鉤的單只槓桿交易所交易基金。 韓國將於本周三推出與半導體巨頭三星電子和SK海力士掛鉤的單只槓桿交易所交易基金，這為投資者提供更大的收益可能性。 據韓國金融服務委員會和金融監督院發佈的檔案顯示，三星資管、未來資產、韓國投資、KB、新韓、韓華、Kiwoom和韓亞八家資產管理公司將在韓國股市上市共計16隻基於三星電子和SK海力士的單只槓桿及反向ETF。未來資產證券還將推出兩種類型的ETN。 此次推出正值韓國投資者越來越關注與本地股票掛鉤的海外上市槓桿產品之際，韓國監管機構尋求將零售交易活動吸引回國內市場。而三星電子和SK海力士是韓國最大的兩家公司，且都是人工智慧相關晶片需求不斷增長的主要受益者。