據The Information近期報導，台積電正應輝達的要求探索3D DRAM的生產，因為人工智慧硬體需求的激增導致全球DRAM供應緊張，價格上漲。 如果該提議最終實現，台積電將獲得一項新的業務，儘管這項業務也容易受到周期性風險的影響，但同時也可能大幅提升其在人工智慧供應鏈中的地位。而台積電方面則表示，公司是一家純粹的邏輯晶片代工廠，並計畫繼續專注於邏輯晶片代工廠業務，這實際上否認了該報導。
台積電發言人告訴Tom's Hardware：“請注意，台積電始終專注於我們的核心業務，即專業的積體電路代工。我們的使命是成為未來多年全球邏輯積體電路行業值得信賴的技術和產能提供商。”
儘管台積電否認了這一消息，但據《The Information》援引兩位知情人士的消息稱，台積電已開始著手準備3D DRAM的生產計畫，這是應其最大客戶輝達的要求而採取的措施。據悉，該計畫由台積電負責先進封裝業務的副總裁、前美光台灣業務負責人許國進負責。此舉正值記憶體短缺問題日益嚴重之際，記憶體已從一種普通商品轉變為一種戰略資產，其供應狀況可能決定一家公司能否按時向客戶交付產品。
儘管台積電在為客戶封裝系統級封裝（SiP）的過程中與DRAM生產商密切合作，但該公司缺乏生產DRAM（更不用說3D DRAM）的專業知識和產能。同時，考慮到即使對於主要的記憶體器製造商而言，3D DRAM的普及也需要數年時間，因此，推行3D DRAM戰略至少在未來五年內無法解決記憶體器短缺問題。
與將記憶體單元排列在單個平面上的傳統DRAM不同，3D DRAM將記憶體單元垂直排列成多層，以提高每片晶圓的容量。三大DRAM製造商——美光、三星和SK海力士——都在研發各自的3D DRAM項目。然而，在3D DRAM真正問世之前，美光的DRAM戰略至少還包括四種其他的平面DRAM工藝技術。
儘管台積電擁有業內公認的頂尖邏輯工藝技術，但DRAM的生產需要完全不同的製造工藝。如果台積電想要為客戶生產記憶體器，就必須開發出相應的工藝。同時，3D DRAM的生產也需要完全不同的製造技術，才能在控制缺陷和保持可接受的良率的同時，建構多層記憶體單元。如果沒有具有競爭力的平面DRAM工藝技術，幾乎不可能開發出3D DRAM製造工藝，而台積電目前並不具備這樣的技術。
台積電進軍DRAM業務的途徑之一是收購一家擁有自主製程能力的小型專業記憶體器生產商。這將為台積電提供一條可靠的途徑，使其能夠進入先進的DRAM製造領域，而無需從零開始開發底層記憶體器技術和智慧財產權。然而，小型製造商並不具備領先的通用DRAM製程工藝，因此台積電仍然需要投入數十億美元和數年時間進行研發，以開發先進的DRAM製程技術。
然而，進軍DRAM製造領域將使台積電面臨巨大的市場風險。記憶體短缺往往會導致產能擴張，最終造成供應過剩，從而壓低價格並降低利潤。這種不確定性無疑會讓台積電在決定進軍DRAM領域之前三思而行。此外，進入DRAM業務也可能使台積電與大型DRAM製造商的關係更加複雜，尤其是與SK海力士的關係。SK海力士已於2024年與台積電達成合作，共同生產下一代HBM產品的邏輯晶片。
台積電進軍DRAM製造領域的潛在舉措也可能引發反壟斷方面的質疑，尤其是在該公司將其在尖端邏輯電路製造、先進晶片封裝以及不斷擴大的記憶體器產能等領域的統治地位結合起來的情況下。監管機構可能會審查這種垂直整合是否會使台積電偏袒自家記憶體器產品，或使缺乏這種垂直整合的競爭對手處於不利地位。另一方面，台積電自主研發DRAM也可能通過在目前由三家廠商主導的市場中引入另一家供應商來加強競爭。
然而，台積電並非一定要生產DRAM才能從日益增長的先進記憶體器需求中獲益。它可以通過生產用於HBM的精密邏輯晶片、利用其SoIC混合鍵合技術將記憶體器與處理器整合，以及與GUC等合作夥伴和成熟的DRAM製造商共同開發定製化記憶體器解決方案，從而獲得DRAM市場更大的價值份額。這種方式可以讓台積電在先進記憶體器市場拓展業務，而無需投入數十億美元從零開始研發具有競爭力的DRAM工藝技術，也無需耗資數百億美元新建晶圓廠。(半導體行業觀察)