#3D DRAM
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台積電否認！

據The Information近期報導，台積電正應輝達的要求探索3D DRAM的生產，因為人工智慧硬體需求的激增導致全球DRAM供應緊張，價格上漲。 如果該提議最終實現，台積電將獲得一項新的業務，儘管這項業務也容易受到周期性風險的影響，但同時也可能大幅提升其在人工智慧供應鏈中的地位。而台積電方面則表示，公司是一家純粹的邏輯晶片代工廠，並計畫繼續專注於邏輯晶片代工廠業務，這實際上否認了該報導。 台積電發言人告訴Tom's Hardware：“請注意，台積電始終專注於我們的核心業務，即專業的積體電路代工。我們的使命是成為未來多年全球邏輯積體電路行業值得信賴的技術和產能提供商。” 儘管台積電否認了這一消息，但據《The Information》援引兩位知情人士的消息稱，台積電已開始著手準備3D DRAM的生產計畫，這是應其最大客戶輝達的要求而採取的措施。據悉，該計畫由台積電負責先進封裝業務的副總裁、前美光台灣業務負責人許國進負責。此舉正值記憶體短缺問題日益嚴重之際，記憶體已從一種普通商品轉變為一種戰略資產，其供應狀況可能決定一家公司能否按時向客戶交付產品。 儘管台積電在為客戶封裝系統級封裝（SiP）的過程中與DRAM生產商密切合作，但該公司缺乏生產DRAM（更不用說3D DRAM）的專業知識和產能。同時，考慮到即使對於主要的記憶體器製造商而言，3D DRAM的普及也需要數年時間，因此，推行3D DRAM戰略至少在未來五年內無法解決記憶體器短缺問題。
台股#台積電#3D DRAM#輝達
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台積電進軍3D DRAM？

11月6日消息，據外媒《The Information》報導稱，晶圓代工大廠台積電近期已開始規劃3D DRAM的生產方案，而推動這一決策的直接力量來自其最大客戶輝達（Nvidia）。AI算力競賽引發的記憶體短缺與價格飆升，正迫使輝達尋找傳統記憶體三巨頭之外的供應路徑，而台積電被推到了台前。 若計畫落地，台積電將從邏輯晶片代工與先進封裝，進一步切入由三星、SK海力士與美光長期把持的記憶體製造領域。但綜合現有資訊來看，這更像一場以技術儲備為底牌、以客戶壓力為催化劑、以2029年為時間錨點的長期博弈，而非迫在眉睫的產線投資。 輝達的焦慮，台積電的選項 報導援引兩名知情人士透露，台積電正考慮拓展業務至先進記憶體晶片製造領域，並已應其最大客戶輝達的要求，開始啟動了對3D DRAM生產可行性的評估。此舉將有望使台積電未來在AI硬體供應鏈中佔據更大份額。
台積電進軍3D DRAM？
台股#台積電#3D DRAM#AI算力
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長鑫官宣4F²之後，美光急了：我們不走這條路

10 月 21 日，美光總裁兼首席技術及產品官斯科特·德博爾接受了《日經亞洲》的採訪。 記者問的是4F²——當下記憶體行業最熱的技術話題。 他的回答很乾脆：評估了20多年，4F²目前“不在路線圖上”，美光繼續做6F²，直接奔3D DRAM。 有意思的是，4F²是多年來學界與業界認為通向3D DRAM的必經之路，而且就在這份表態出爐前的兩周裡，三星、SK 海力士、長鑫，給的是完全相反的答案。
長鑫官宣4F²之後，美光急了：我們不走這條路
科技#美光#4F²架構#3D DRAM
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長鑫記憶體剛突破，美光宣佈放棄4F² DRAM架構！

隨著AI資料中心對DRAM容量和頻寬的需求持續攀升，記憶體晶片廠商正在加速探索下一代DRAM的微縮路徑。然而，在長鑫記憶體剛剛宣佈4F²架構突破、產品預計年底亮相之際，美國記憶體晶片巨頭美光科技卻作出了不同選擇：不再推進4F²架構的商業化路線，轉而延續現有6F²架構的演進，並將晶圓鍵合和3D DRAM列為未來的重要技術方向。 當地時間10月21日，美光舉行技術路線圖網路研討會，公佈未來多代DRAM、HBM和NAND技術的發展規劃。美光總裁兼首席技術與產品官斯科特·德博爾（Scott DeBoer）在會上表示，公司過去20年一直在研究4F² DRAM，也曾製造原型產品進行比較，但由於該路線面臨複雜度、成本及進一步微縮的限制，美光最終選擇不予推進。 Scott DeBoer還指出，4F²架構相較傳統6F²架構的密度優勢存在被高估的情況，DRAM的位密度在很大程度上取決於記憶體電容的間距和尺寸，而非單純取決於電晶體單元採用4F²還是6F²佈局。 這意味著，美光並非簡單地放棄DRAM微縮，而是正在重新評估先進DRAM的技術演進路徑：與其投入更多資源攻克4F²架構的製造難題，不如繼續推進現有架構的製程微縮，並在適當時機通過晶圓鍵合和三維整合突破平面DRAM的物理限制。
長鑫記憶體剛突破，美光宣佈放棄4F² DRAM架構！
科技#長鑫儲存#美光科技#4F²架構
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正面回應長鑫4F2突破，美光CTO：3D DRAM「長期更可擴展和成本效益」

全球記憶體晶片市場近期估值震盪，技術路線論戰升溫。美光總裁Scott DeBoer表示，儘管內部曾長期評估4F²架構，公司仍將堅守6F²路線並直接邁向3D DRAM，認為4F²的垂直溝道晶體管缺乏可持續擴展路徑。相比之下，此前長鑫記憶體稱計劃年底推出4F²架構DDR5產品，三星亦考慮2028年引入該架構。 近期，全球記憶體晶片市場迎來新一輪估值震盪與技術路線論戰。資本市場上，費城半導體指數與記憶體類股出現較大幅度回撤；而在產業端，長鑫記憶體在4F² DRAM架構上的突破性進展，引發了行業廣泛討論。 10月21日，$美光科技 (MU.US)$總裁兼首席技術與產品官Scott DeBoer主持了一場技術與產品網絡研討會，核心議題之一是回應此前長鑫披露4F²架構計劃後在投資者中引發的擔憂。 Scott DeBoer直言雖然內部曾對4F²進行長期評估和原型驗證，但美光仍將堅持現有的6F²路線，並最終直接邁向3D DRAM。美光認為，從長期演進來看，3D DRAM在「擴展性與成本效益」上是更具確定性的選擇。
科技#美光科技#3D DRAM#長鑫
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拒絕做備胎！長鑫向全球記憶體巨頭髮起代際挑戰

倘若只是把長鑫視作國產自主化棋局裡的一枚接應棋子，那恐怕大大看低了它真正的戰略縱深。 在過去幾十年裡，全球DRAM市場一直被海外三巨頭牢牢攥在手心，格局看似牢不可破。但長鑫要走的，從來不是退守一隅、自給自足的“備胎”路線。它想做的，是躋身牌桌成為名副其實的全球第四極；是在DRAM從二維時代跨越到三維時代的世紀關口，完成從“跟規則的人”到“定規則的人”的換道超車。 這場佈局沒有藏在暗處——它是一場徹頭徹尾的明牌，一場從公司創立那天起，靜靜醞釀了整整十年的陽謀。 謀之一：以架構之變，破封鎖之局
拒絕做備胎！長鑫向全球記憶體巨頭髮起代際挑戰
A股#長鑫存儲#DRAM#3D DRAM
國小沒畢業嗎？不識字？錯別字還放標題上，丟臉。
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三星3D DRAM全面突破：16層垂直堆疊，GAA、水平電容、PoC成三大核心

🔷從平面微縮到垂直堆疊，三星重構下一代DRAM Cell架構 🔷16層VS-DRAM實現晶片級讀寫，劍指10nm以下Scaling 最近在梳理下一代DRAM技術路線時，小編髮現，DRAM正在迎來一次從“二維微縮”走向“三維堆疊”的重要轉折。隨著Cell尺寸不斷縮小，傳統DRAM已經開始面臨儲存電容下降、字線電阻上升以及短溝道效應等一系列Scaling瓶頸，單純依靠XY方向繼續縮小，空間已經越來越有限。 三星給出了一條非常值得關注的新路線——Vertically Stacked DRAM（VS-DRAM）。三星不再只是繼續壓縮平面尺寸，而是開始向Z軸要空間，並展示了16層垂直堆疊DRAM：通過水平電容（Horizontal CAP）、GAA單元電晶體、Peri-on-Cell（PoC）鍵合以及TSDV垂直互連，重新建構DRAM的Cell與外圍電路。更關鍵的是，三星已經完成16層VS-DRAM的晶片級讀寫驗證，並將其視為延續10nm以下DRAM Scaling的潛在技術路線。
三星3D DRAM全面突破：16層垂直堆疊，GAA、水平電容、PoC成三大核心
科技#三星#3D DRAM#DRAM
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DRAM的下一個十年，要“站起來”

2026年9月的第一周，兩則新聞讓整個記憶體晶片行業為之一振。 01 3D DRAM，巨頭角力 AMD近日在內部技術研討會上披露了一項令人振奮的實驗資料：基於混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的3D DRAM架構，其能效相比傳統HBM堆疊最高可提升17倍。這意味著在相同功耗下，資料傳輸效率可實現數量級的飛躍。
DRAM的下一個十年，要“站起來”
科技#3D DRAM#半導體技術#摩爾定律