SK海力士HBM3E正式量產，全球供貨啟動

SK海力士計劃從本月下旬開始向全球客戶供貨。

HBM(High Bandwidth Memory)，直接翻譯即是高頻寬內存，是一款新型的CPU/GPU內存晶片。自2022年1月誕生以來，HBM3作為最新一代的高頻寬內存，憑藉其獨特的2.5D/3D內存架構，迅速成為高效能運算領域的翹楚。沿襲了前代產品的優秀基因，HBM3同樣採用了寬達1024位的資料路徑，以6.4 Gb/s的速度飛馳，提供高達819 Gb/s的驚人頻寬。

而今，SK海力士將這項標準再度提升，推出了HBM3E。這款新型記憶體不僅繼承了HBM3的所有優點，更將資料速率提升至9.6 Gb/s，為進階AI工作負載提供了前所未有的效能支援。憑藉其卓越的頻寬、龐大的容量以及緊湊的佔用空間，HBM3E正逐步成為現代AI運算中的首選記憶體解決方案。

SK海力士近日宣布，其最新研發的超高性能AI記憶體產品HBM3E已開始正式投入量產，並計劃從本月下旬開始向全球客戶供貨。這項重要進展距離去年8月公司宣布開發該產品僅過了7個月，顯示了SK海力士在半導體技術領域的強大實力和高效執行力。

作為首家採用高性能DRAM 晶片的HBM3E 供應商，SK 海力士在推出HBM3 後延續了其成功記錄。該公司預計，HBM3E 的成功量產，加上其在提供HBM3 方面的先鋒作用，將鞏固其作為AI 記憶體領域領導者的地位。

在當今人工智慧驅動的環境中，快速資料處理勢在必行，半導體封裝的組成起著至關重要的作用。全球主要科技公司對AI 半導體性能的要求越來越高，SK 海力士將其HBM3E 定位為滿足這些不斷升級的要求的最佳解決方案。

HBM3E 作為業界最重要的人工智慧記憶體產品，在所有基本參數上都表現出色，包括速度和熱量管理。每秒處理資料量高達1.18TB，相當於一秒處理230 多部全高清電影，樹立了效率和效能的新標竿。

此外，考慮到人工智慧記憶體固有的高速運行，有效的熱量控制至關重要。 SK Hynix 的HBM3E 得益於先進的MR-MUF（大規模回流成型底部填充）工藝的集成，其散熱性能比其前代產品提高了10%。

MR-MUF是SK海力士先進技術的關鍵方面，涉及堆疊半導體晶片並在它們之間注入液體保護材料，以增強散熱並確保電路保護。與傳統方法相比，這種創新方法顯著提高了散熱效率，有助於HBM 生態系統內的穩定量產。

SK 海力士HBM 業務負責人Sungsoo Ryu 對HBM3E 量產完成後公司全面的AI 記憶體解決方案陣容充滿信心。

SK Hynix 的HBM 容量約為120K，但容量可能會根據驗證進度和客戶訂單而變化。

TrendForce表示，就目前主流HBM3產品的市場份額而言，SK海力士佔據HBM3市場90%以上的份額，預計三星將緊隨其後，隨著AMD MI300在未來幾季的逐步發布。

根據TrendForce的數據，三星的HBM總產能預計到年底將達到約130K（包括TSV）。
图片 HBM應用前景
隨著AI大模型、智慧駕駛等新技術的興起，對高頻寬記憶體的需求越來越大。

AI伺服器需求將快速成長。 AI伺服器能夠在短時間內處理大量數據，而GPU可以提升數據處理量和傳輸速率，因此對頻寬的要求更高，HBM成為AI伺服器的標配。

汽車也是HBM值得關注的應用領域。需要快速傳輸大量資料以及處理資訊的攝影機數量不斷增加，HBM具有較大的頻寬優勢。

AR和VR也是HBM未來的發力點。這些系統需要高解析度顯示器，並且需要更多的頻寬來傳輸資料。同時，即時處理大量資料也需要HBM的強大頻寬支援。

此外，智慧型手機、平板電腦、遊戲機和穿戴式裝置的需求也在成長，這些裝置需要更先進的記憶體解決方案來滿足不斷增長的運算需求，因此HBM在這些領域也有望成長。此外，5G和物聯網等新技術的出現也進一步推動了對HBM的需求。

隨著AI和ML技術的蓬勃發展，對資料處理速度的需求日益迫切。 SK海力士憑藉其創新的HBM3E技術，以前所未有的速度引領著產業潮流，並有望徹底改變AI運算領域的格局。隨著這項技術的廣泛應用，人工智慧的記憶體系將迎來重塑，並推動整個領域發生巨大變革。(半導體產業縱橫)