這一輪半導體週期可能遠遠超越想像

在上週的《誰是AI晶片的超強輔助？ 》一文中，我們以「輝達計畫採購三星HBM」為切入點，系統介紹了記憶體晶片市場、儲存復甦對於整個半導體週期的意義，以及記憶體晶片的新路線、AI算力晶片的好搭檔——HBM 。到今天，HBM的熱度仍在發酵，以儲存技術著稱的韓國晶片股漲勢紅火，推動中韓半導體指數上行。

我們不妨重申HBM的投資邏輯：AIGC模型需要AI伺服器進行訓練和推理→AI伺服器採用中高端GPU是發展趨勢→HBM具有高頻寬、高容量、低延時、低功耗等優勢，可作為GPU內存晶片加快AI數據處理速度；也即，無論是科技大廠間關於AI的“軍備競賽”，還是AI模型對下游千行百業的賦能，AI伺服器需求的爆發或將持續帶動HBM市場規模擴張，打開各儲存廠業績成長預期。

那麼，這個熱鬧該怎麼看呢？

相關性較強的無疑是手握技術與產品的公司。同樣在《誰是AI晶片的超強輔助？ 》一文中，我們提到當下的HBM市場基本上也是被三大儲存巨頭（SK海力士、三星、美光）瓜分，2022年三家市佔率分別為50%、40%、10%。

暫時領先的SK海力​​士佔的是先行者的便宜：2014年與AMD聯合開發全球首款HBM，之後持續研發迭代HBM2（2018）、HBM2E（2020）、HBM3（2021）、HBM3E（2023），併計劃在2026年量產HBM4，可以說，SK海力士一手引領了從HBM1到HBM3E的技術路徑，其發展方向主要以堆疊層數增加、速率/頻寬/IO數量增長為主。以業界最新技術HBM3E（依堆疊層數可進一步細分為8層HBM3E和12層HBM3E）為例，作為輝達先前唯一的HBM3供應商，SK海力士宣布已正式量產8層HBM3E，並在GTC大會上表示將率先向輝達供應。（來源：TrendForce，GTC 2024）

在其身後，三星電子虎視眈眈，其佈局直接從HBM2開始：2016年量產HBM2，2020年推出HBM2E，2021年推出HBM-PIM（存算一體）將內存半導體和AI處理器合二為一，2022年量產HBM3，2024年發布HBM3E。尤其令它的競爭對手感到危機感的是，三星前幾天在GTC大會上公開了它的12層HBM3E實物並獲得了黃仁勳認證，而據報道，輝達最快預計將從9月開始大量購買三星的12層HBM3E，後者或成為輝達12層HBM3E的獨家供應商。須知，SK海力士雖然開始量產8層HBM3E，但因部分工程問題，並未能推出12層HBM3E，而12層HBM3E相對於8層HBM3E的好處正是其增幅超過50%的頻寬和容量。（來源：TrendForce，alphabiz，中金公司）

相較於你追我趕的韓國公司，美國的美光更顯低調。據TrendForce，該公司進軍HBM相對較晚，2020年開始提供HBM2，並直接跳過HBM3佈局HBM3E（2023），並同樣在今年官宣量產8層HBM3E，此外，據美光透露，其8層HBM3E將供給輝達的AI晶片H200 GPU。同樣據公司透露，其HBM3E今年的產能已經全部賣光，明年的大部分產能也已經被預訂。

市場火熱程度可見一斑。握有大手筆擴產計畫的韓國公司則更受青睞。

三星目前已花費105億韓元購買韓國天安廠區內部分建築及設備，計劃在天安廠建立一條新封裝線，用於大規模生產HBM，並預計追加投資7,000億-1兆韓元。在此步調下，公司預計2024年HBM產量將比2023年成長2.5倍，2025年或將再次翻倍。

SK海力士亦預計2024年HBM產能可望同比翻倍成長、到2030年公司HBM出貨量可達到每年1億顆，還計劃在美國印第安納州建造一座先進製造工廠、並與閃存製造商鎧俠在日本共同生產HBM。 SK海力士也更想花錢：計畫在2024年維持10兆韓元的新增資本支出（比2023年增加近七成）以支持HBM產能成長。對這家公司來說，決勝在當下，更在未來——

SK海力士計畫在2026年發布並量產的HBM4可能會直接堆疊在邏輯晶片（GPU）上，而非像前幾代一樣放置在GPU一旁的中介層上。其可行性我們今天尚且不做討論，只假設技術成立，那麼過去邏輯晶片與記憶體晶片相互獨立的情況將有可能被顛覆，面對一個邏輯+儲存的融合體，我們所熟悉的半導體生態和產業分工可能會迎來巨震。

這是技術進步的魅力，也是半導體產業正在發生的事情。本輪AI革命為基座產業帶來的煥新，可能遠遠超乎我們想像。

繼續提示關注中韓半導體指數。(華泰柏瑞指數投資)