ASML High-NA EUV光刻機取得重大突破！

4 月18 日消息，荷蘭阿斯麥(ASML) 公司宣布，其首台採用0.55 數值孔徑(NA) 投影光學系統的高數值孔徑(High-NA) 極紫外線(EUV) 光刻機已經成功印刷出第一批圖案，這標誌著ASML 公司以及整個高數值孔徑EUV 微影技術領域的重大里程碑。

ASML 公司在聲明中表示：「我們位於埃因霍芬的高數值孔徑EUV 系統首次印刷出10 奈米線寬（dense line）圖案。此成像是在光學系統、感測器和移動平台完成粗調校準後實現的。

目前世界上僅有兩台高數值孔徑EUV 光刻系統：一台由ASML 公司在其荷蘭埃因霍芬總部建造（該公司還與比利時領先的半導體研究機構Imec 在此地聯合設立了High-NA 實驗室），另一台則正在美國俄勒岡州Hillsboro 附近英特爾公司的D1X 晶圓廠組裝。

ASML 公司似乎是第一家宣布使用高數值孔徑EUV 微影系統成功進行圖案化的公司，這對於整個半導體產業來說都是一個重大突破。值得一提的是，ASML 公司的Twinscan EXE:5000 型光刻機將僅用於其自身研發以及技術改進。

英特爾公司則將利用其Twinscan EXE:5000 型光刻機學習如何使用高數值孔徑EUV 微影技術進行晶片量產。英特爾計劃將其用於其18A (1.8nm 級) 製程製程的研發，並將在未來的14A（1.4nm 等級）製程產線中部署下一代Twinscan EXE:5200 型光刻機。

與目前13nm 解析度的EUV 光刻機相比，ASML 公司配備0.55 NA 鏡頭的新型Twinscan EXE:5200 型光刻機能夠實現8nm 的超高分辨率，這是一個顯著的提升。這項技術允許在單次曝光下印刷出尺寸減小1.7 倍、電晶體密度提高2.9 倍的電晶體。相較之下，傳統的低數值孔徑(Low-NA) 系統雖然可以達到相同的精度，但卻需要使用昂貴的雙重曝光技術。

實現8nm 製程對於製造計畫在2025-2026 年上市的3nm 以下製程晶片至關重要。高數值孔徑EUV 技術的引入將消除對EUV 雙重曝光的需求，從而簡化生產流程、有可能提高產量並降低成本。然而，每台高數值孔徑光刻機的價格高達4 億美元，並且在應用於尖端製程的過程中會遇到許多挑戰。(飆叔科技洞察)