#研發計畫
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ASML：EUV光刻機十年計畫啟動！

據路透社報導，全球光刻機龍頭ASML正與其光學合作夥伴卡爾蔡司（Carl Zeiss）共同推進一項名為“Hyper NA”的十年期項目，旨在開發下一代晶片製造工具。該裝置預計可列印5奈米級的更小電路，同時將大量復用ASML與蔡司現有的技術系統。 Hyper NA的體積預計比ASML當前的高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機小三分之一以上，這意味著在同等產能下，裝置佔地面積將顯著縮減，為晶圓廠節省寶貴的潔淨室空間。知情人士透露，ASML已啟動相關技術的研發工作，但尚未對量產做出正式承諾，具體推進節奏將取決於公司內部調整、合作夥伴進展以及市場競爭態勢。 在技術路徑上，蔡司已開始製造精度足以滿足Hyper NA要求的反射鏡。其他在研的晶片製造工具也計畫採用更短波長的光源。由於更換光源方案意味著整個照明系統需要重新設計，ASML可能會沿用現有EUV光源技術，以降低開發風險和成本。 當前，晶片製造商正持續在設計、性能和能效方面最佳化半導體，聚焦更小的特徵尺寸以提升速度並降低功耗。在這一處理程序中，光刻技術始終是核心瓶頸。ASML的Hyper NA項目若成功落地，將為未來十年先進製程的持續微縮提供關鍵支撐。不過，從研發到量產，光刻裝置的商業化之路通常漫長且充滿不確定性，Hyper NA能否如期在約十年內面世，仍有待觀察。 (晶片行業)
ASML：EUV光刻機十年計畫啟動！
科技#ASML#EUV光刻機#Carl Zeiss
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挑戰阿斯麥！俄羅斯公佈EUV光刻機研發計畫！

全球高端晶片製造裝備領域出現新的競爭者。俄羅斯近日發佈了極紫外（EUV）光刻機研發路線圖，計畫在未來十餘年內逐步實現從深紫外（DUV）到極紫外光刻技術的跨越，最終在2037年前完成國產EUV光刻系統的開發。根據披露的技術規劃，俄羅斯科研機構將採取分階段實施策略：首先致力於提升現有DUV光刻裝置的性能，隨後開展EUV光源、光學系統和精密控制等核心模組的攻關，最後進行整機整合與工藝驗證。該路線圖顯示，俄羅斯計畫在2030年前完成關鍵技術儲備，2037年前實現工程化應用。行業分析指出，EUV光刻作為7奈米及以下製程晶片製造的關鍵裝置，目前全球僅有少數企業掌握其核心技術。俄羅斯此舉意在建構自主可控的半導體製造能力，但面臨人才、技術和供應鏈等多重挑戰。特別是在精密光學、真空系統和控制軟體等關鍵領域，需要突破諸多技術瓶頸。光刻機研發具有技術密集、資金密集的特點。一台先進的EUV光刻機包含超過10萬個零部件，涉及物理、化學、機械、電子等多個學科的最高水平技術整合。業內人士表示，即使具備明確的研發路線圖，實際推進過程中仍將面臨諸多不確定性。當前全球半導體裝置市場格局正在發生深刻變化。在主要經濟體紛紛加大晶片製造本土化投入的背景下，光刻技術成為戰略競爭的焦點。俄羅斯加入EUV研發行列，反映出各國對晶片產業鏈自主可控的重視程度不斷提升。專家認為，光刻技術的多元化發展有利於全球半導體產業生態建設，但新興參與者需要克服顯著的技術壁壘。未來十年，隨著新材料、新工藝的不斷突破，光刻技術路線可能出現更多創新方向，為後發者提供新的機遇。 (晶片行業)
挑戰阿斯麥！俄羅斯公佈EUV光刻機研發計畫！
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