過去十年，半導體領域最大的故事之一就是在電力電子領域意外超越傳統矽——碳化矽(SiC) 和氮化鎵(GaN) 已超越矽，佔領了價值數十億美元的細分市場市場的。隨著主要應用落入這些具有優越屬性的新貴手中，一個問題自然而然地出現了。

下一個新型功率半導體是什麼——其卓越的能力能否將從SiC 和GaN 手中奪取主要市場份額？

人們的注意力集中在三種候選材料：氧化鎵、鑽石和氮化鋁(AlN)。它們都具有顯著的特性，但也存在迄今為止阻礙商業成功的根本弱點。然而，現在，由於最近的幾項突破，包括名古屋大學在去年12 月於舊金山舉行的最新IEEE 國際電子器件會議上報告的一項技術進步，AlN 的前景已大大改善。

IEDM 論文描述了基於氮化鋁合金的二極管的製造方法，該二極管能夠承受每厘米7.3 兆伏的電場，這個數字大約是碳化矽或氮化鎵所能承受的電場的兩倍。值得注意的是，該裝置在傳導電流時也具有非常低的電阻。 「這是一個了不起的結果，」IEEE 高級會員、喬治亞理工學院電機與電腦工程教授W. Alan Doolittle說。 「特別是這個東西的導通電阻，非常好。」 名古屋大學的論文有七位共同作者，其中包括IEEE 會員天野浩(Hiroshi Amano)，他因發明藍色LED 而獲得2014 年諾貝爾獎。

氮化鋁長期以來一直吸引著半導體研究人員。

功率半導體最重要的特性之一是其帶隙。它是半導體晶格中的電子從價帶躍遷到導帶所需的能量，以電子伏特為單位，在導帶中電子可以在晶格中自由移動並導電。在具有寬帶隙的半導體中，例如氮化鎵（GaN）或碳化矽（SiC），原子之間的鍵很強。因此，在鍵斷裂和晶體管被破壞之前，該材料能夠承受非常強的電場。但與AlN 相比，它們都相形見絀。 AlN的帶隙為6.20電子伏特；對於GaN，該值為3.40；對於最常見的SiC 類型，該值為3.26。

AlN 的一個長期存在的問題是摻雜，即插入雜質元素，使半導體產生過量電荷，從而使其能夠承載電流。化學摻雜AlN 的策略近年來才開始出現，尚未完全成熟，其有效性在研究人員中是一個有爭議的話題。在摻雜過程中，多餘的電荷可以是電子，在這種情況下，半導體被稱為“ n型”，或者它們可以是缺電子，稱為空穴，在這種情況下，半導體是“ p型」。幾乎所有商業上成功的裝置都是由這種夾在一起的摻雜半導體組成。

但事實證明，雜質摻雜並不是摻雜半導體的唯一方法。

一些基於含有元素週期表中第III 族（又稱鈧族）和第V 族（釩族）元素的化合物的半導體（例如化合物氮化鎵）具有不尋常且顯著的特性。在兩個這樣的半導體相遇的邊界處，即使沒有化學摻雜，它們也可以自發地產生一個由極高移動性的電荷載流子組成的二維池（two-dimensional pool ），稱為二維電子氣（ 2-dimensional electron gas）。

它是由晶體內部電場產生的，而晶體內部電場具有幾個屬性：其一，這些III-V 族半導體的晶體具有不同尋常的極性：在晶體的晶胞（ unit cells）內，電子雲和帶正電的原子核彼此偏移，足以為每個晶胞提供不同的負電區域和正電區域（偶極子：dipole)）。此外，只要使晶格變形，就可以在這些半導體的晶格中產生電荷，這種現象稱為壓電（piezoelectricity）。

2000 年代初期，加州大學聖塔芭芭拉分校的研究人員利用這些特性開發了一種稱為分佈式極化摻雜（distributed polarization doping）的技術，該技術使他們能夠在沒有雜質的情況下獲得塊狀（三維）氮化鎵的n型摻雜。該小組包括IEEE 院士Umesh Mishra（現任UCSB 工程系主任）和他的研究生Debdeep Jena和Huili (Grace) Xing，兩人現在都在康乃爾大學。 Jena 和Xing 都是IEEE 院士，隨後於2010 年在康乃爾大學展示了p型分散式極化摻雜，然後於2018 年在康乃爾大學展示了無摻雜劑二維空穴氣體（hole gases）。

名古屋小組在這些先前成果的基礎上，在氮化鋁（或更準確地說，由AlN 和GaN 的混合物組成的鋁鎵氮化物(AlGaN) 合金）中實施無摻雜劑分佈式極化摻雜技術。

與任何二極體一樣，他們的裝置具有與n摻雜區域配對的p摻雜區域，其間有一個稱為結（junction）的邊界。對於這兩個區域，摻雜都是透過分佈式的偏振摻雜（distributed polarization doping）來完成。他們透過在每個摻雜區域建立合金中AlN 與GaN 百分比的梯度，實現了不同的極化（ n型和p型）。摻雜是n型還是p型只取決於梯度（gradient）的方向。

Jena 表示：「鋁成分不是均勻的AlGaN 成分，而是以線性方式在空間上變化。」 p摻雜層從鄰近陽極接觸一側的純氮化鎵開始。朝向帶有n摻雜層的結移動，AlGaN 合金中氮化鋁的百分比增加，直到在結處達到95% 的AlN。繼續沿著相同方向移動，穿過n摻雜區域，AlN 的百分比隨著距結的距離的增加而下降，從95% 開始，到最低點為70%，其中該層與純AlN 基板接觸。

「這是半導體裝置的新概念，」名古屋裝置的Jena 說。他補充道，下一步是製造一種在結點處有一層純AlN 的二極管，而不是95% 的AlN。根據他的計算，一層僅兩微米厚的氮化鋁就足以阻擋3 千伏特的電壓。 「這正是在不久的將來將會發生的事情，」他說。

在喬治亞理工學院，Doolittle同意這種說法，透過在未來的設備中加入更高含量的純氮化鋁，仍有巨大的改進空間。例如，名古屋二極體的擊穿電場為7.3 MV/cm，令人印象深刻，但AlN 裝置的理論最大值約為15。更多的AlN 也會大幅提高熱導率。導熱能力對於功率元件至關重要，而AlGaN 合金的導熱率一般，低於50瓦每米開爾文。另一方面，純氮化鋁的320 ℃ 值非常可觀，介於GaN（250 ℃）和S​​iC（490 ℃）之間。

Jena 和Doolittle 表示，最終目標是商用AlN 功率晶體管，其性能大大優於現有的選擇，而名古屋的工作毫無疑問最終會實現這一目標。 “目前這只是工程，”Doolittle 說。他們都指出，名古屋二極體是垂直裝置，這是功率半導體的首選方向。在垂直裝置中，電流從基板向上直接流到裝置頂部的接點，這種配置允許最大電流流動。

近年來，至少有六種基於AlN 的電晶體被展示，但這些電晶體都不是垂直元件，也沒有一個具有與商用GaN 或SiC 電晶體競爭的特性。他們在設備的關鍵組件中也採用了AlGaN。

名古屋論文的合著者、IEEE 會員Takeru Kumabe在給IEEE Spectrum的電子郵件中寫道：「我們相信利用分散式極化摻雜技術展示具有商業競爭力的[功率晶體管]...... 基於AlN的垂直異質結雙極電晶體由兩個p - n結組成，具有良好的功率和麵積效率，是我們的目標器件，也是我們要實現的夢想。”

Kumabe 補充說，為了實現這個夢想，團隊將專注於更深入地了解電荷遷移率、「載子壽命、臨界電場和深層缺陷」。還應該開發能夠生產高品質元件層並在加工過程中引入更少損壞的晶體生長和裝置製造技術。 」

「我們希望在3-5 年內解決這些問題，並在2030 年代實現基於AlN 的功率裝置的商業化，」他說。

在2022年4月，NTT Corporation宣布，其已使用高品質氮化鋁(AlN)實現了晶體管的運作。

電晶體是半導體功率元件的重要組成部分，用於家用電子設備和電動車中的功率轉換，其效率的提高將有助於節能。用於超寬頻隙（UWBG）半導體的AlN具有大的擊穿電場，因此是用於實現低損耗、高壓功率裝置的有前途的半導體材料。

據報導，NTT 已利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD) 成功生產出高品質的AlN，並開發了歐姆和肖特基接觸的形成方法。這些技術使我們能夠首次展示AlN 電晶體。此外，即使在500°C的高溫下，AlN電晶體也表現出良好的裝置特性。這些成果將有助於實現超低損耗功率元件和高溫電子元件。

圖3：每種半導體材料的特定導通電阻和擊穿電壓之間的關係

NTT Corporation表示，用於功率轉換的半導體功率裝置廣泛應用於家用電子產品、個人電腦和智慧型手機、以及資料庫伺服器和電動車。近年來，功率元件的應用已擴展到光伏發電、鐵路等高功率運作領域。為了實現碳中和，電力設備的損耗應該會進一步減少。矽(Si) 通常用於半導體功率元件。透過使用具有大擊穿電場的寬頻隙半導體，可以減少損耗並提高擊穿電壓。因此，正在開發用於功率元件的寬帶隙半導體，例如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）。擊穿場大於SiC或GaN的UWBG半導體進一步提高了功率元件的性能（圖3）。 UWBG 半導體包括AlN、鑽石和氧化鎵(Ga 2 O 3 )（表I）。對於AlN功率元件，理論上功率損耗預計僅為Si的5%、SiC的35%、GaN的50%。

表1：半導體材料的帶隙能與擊穿場

自一個多世紀前首次合成以來，AlN 一直被用作絕緣體。 2002年，NTT在世界上首次成功製造出半導體AlN，從而開闢了半導體裝置應用的新途徑。在UWBG半導體中，AlN的優點在於可以在大規模晶圓上製造裝置，並且可以透過與其他氮化物半導體（例如GaN）形成異質接面來獲得各種裝置結構。然而，關於這方面的功率裝置製造的報道很少，並且其特性需要改進。

NTT 首次使用MOCVD 製造的高品質半導體AlN 成功實現了具有良好特性的電晶體運作。 AlN電晶體的電流-電壓特性顯示出良好的歐姆特性（圖4和圖5）和極小的漏電流。擊穿電壓高達1.7kV。

圖5：(a) AlN 電晶體的汲極電流與汲極電壓特性；(b) AlN電晶體的斷態擊穿特性。

NTT在新聞稿中強調，他們也證實了AlN電晶體可以在高溫下穩定運作（圖6）。與傳統半導體材料相比，AlN 電晶體在高溫下表現出更好的性能。隨著環境溫度從室溫升高到500°C，漏極電流增加到約100 倍。此外，即使在500℃下，漏電流也保持在10 -8 A/mm的極低水準。結果，在500℃下獲得了106的高漏極電流開/關比。

圖6：AlN 電晶體在室溫(RT) 至500°C 範圍內的汲極電流與閘極電壓特性

在NTT看來，要實現氮化鋁，需要解決以下技術問題：

首先要解決的技術問題是高品質AlN的晶體生長技術。透過採用特殊設計的反應器開發獨特的高溫MOCVD，降低了AlN 中殘留雜質和晶體缺陷的密度。由此，NTT 實現了具有世界最高電子遷移率的高品質n 型AlN 半導體。

第二點是如何實現良好的歐姆接觸。 AlN對金屬具有較大的能壘，使其難以在其上形成歐姆接觸。 NTT 在AlN 和金屬電極之間使用了成分梯度的AlGaN 層，以獲得良好的歐姆接觸（圖7）。

圖7：金屬/n 型AlN 接觸結構（a）具有和（b）不具有成分漸變的AlGaN 層。 (c) 有和沒有梯度層的電流-電壓特性。

第三點是如何實現肖特基接觸良好的整流。肖特基特性受半導體的晶體質量、半導體與金屬電極之間的界面狀態以及歐姆電極的接觸電阻的影響。如上所述，由於高品質的AlN和良好的歐姆接觸，NTT實現了近乎理想的肖特基特性和良好的整流性。

這些基本技術的建立導致了AlN 電晶體的成功運作。在這些廠商和研究機構的努力下，半導體的未來指日可待。（半導體產業洞察）

1.https://spectrum.ieee.org/aluminum-nitride

2.https://group.ntt/en/newsrelease/2022/04/22/220422a.html

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