#GaN
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全球首座12英吋GaN工廠！

10月27日，英飛凌宣佈將在歐洲打造全球首個基於300毫米（12英吋）晶圓的新一代氮化鎵（GaN）功率半導體大規模生產基地。項目選址奧地利菲拉赫工廠，計畫到2034年累計投入約11億歐元（約合81.73億元人民幣，匯率僅供參考），改造升級廠區現有潔淨室設施，新產線規劃於2027年底投產。 歐盟委員會已批准為該項目提供3.19億歐元國家補助，補助依據《歐洲晶片法案》框架發放，奧地利經濟主管部門後續將完成資金落地流程。菲拉赫基地本身是英飛凌功率半導體研發製造核心據點，現有4800名在崗員工，此前已經具備200毫米氮化鎵產線能力，本次項目是在現有產線基礎上升級擴容，轉向更大尺寸晶圓工藝。 這次擴產的重點，是把300毫米GaN晶圓技術從研發階段進一步推向大規模生產。相比常見的200毫米晶圓，300毫米晶圓面積更大，單片晶圓可生產的晶片數量約為前者的2.3倍，有助於提高生產效率、降低單顆晶片的製造成本。 事實上，英飛凌早在2024年就成功加工出全球首片300毫米氮化鎵晶圓，實現了技術上的里程碑。與傳統的矽基功率器件相比，GaN 器件具有更快的開關速度、更低的功率損耗和更少的發熱量，從而能夠實現更小、更高效的功率轉換系統。
全球首座12英吋GaN工廠！
科技#英飛凌#GaN工廠#12英吋
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英諾賽科穩居第一，英飛凌升至第二！

近期，市場研究機構Yole Group發佈了年度報告《Power GaN 2026》，對功率氮化鎵（GaN）半導體產業的市場、生態、供應鏈和技術進行了全面分析。 2031年功率GaN市場將達35億美元，電信與基礎設施領域增速最快 報告指出，過去數年功率GaN主要在消費級快充充電器領域完成技術驗證，但這一階段即將落幕。GaN正在進入更廣泛的多市場應用周期，AI資料中心、電動汽車、工業系統和可再生能源均成為重要需求驅動力。 Yole預計，2025年至2031年，全球功率GaN器件市場將以約35%的年複合增長率（CAGR）持續擴張，到2031年達到約35億美元。作為參照，2025年全球功率GaN器件市場規模約為5.88億美元，同比增長約63%，顯示市場已經進入明顯的加速增長階段。
英諾賽科穩居第一，英飛凌升至第二！
美股#英諾賽科#英飛凌#功率氮化鎵
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中國氧化鎵，強勢崛起

在全球功率半導體市場與學術界，中國企業的存在感正經歷一場深刻的重塑。 曾擔任功率半導體頂級國際會議 ISPSD 大會主席的日本九州工業大學大村一郎教授指出，在碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga₂O₃）以及金剛石等新一代材料的研究與應用中，中國力量正在全面崛起；儘管日本企業目前仍憑憑藉三菱電機、東芝等巨頭在大耐壓矽（Si）基領域保持優勢，但中國在這一傳統陣地上的存在感也在持續攀升。 在最新一屆的 ISPSD 2026 上，中國團隊展現出了強勁的研發爆發力： 在氮化鎵（GaN）領域，中國企業展現出極強的產業與學術主導力，大會關於 GaN 的主要重磅報告絕大多數均來自中國企業，且成果數量遙遙領先。
科技#中國#氧化鎵#半導體
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AI算力引爆功率半導體，SiC與GaN迎來黃金窗口

SiC（碳化矽）和GaN（氮化鎵）無疑是這輪黃金周期中的“主角”。 2026年盛夏，功率半導體行業迎來了一場多年未見的漲價潮。據21世紀經濟報導，全球近20家模擬及功率半導體企業即將於7月1日啟動新一輪漲價。 英飛凌年內第二次發函，德州儀器5月率先出手。國內廠商同樣密集跟進：揚傑科技自7月1日起將全系列產品價格調漲10%至15%，立昂微自6月15日起對功率晶片業務全系產品調漲10%至15%。 漲價之外，交期也在拉長。主流功率半導體交貨周期已普遍延至30周以上。
AI算力引爆功率半導體，SiC與GaN迎來黃金窗口
科技#功率半導體#SiC#GaN
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功率半導體(Power Semiconductor)-8 一文看懂，先進功率半導體技術路線圖：SiC、GaN與先進封裝

一、SiC功率半導體技術路線圖（2026-2030） 展望2026至2030年，碳化矽（SiC）功率半導體技術將圍繞“大尺寸、高整合、極致性能與高可靠性”的核心目標，在材料與襯底、器件結構與工藝、性能指標以及應用生態等方面，實現從技術攻堅到產業成熟的系統性躍遷。 1. 材料與襯底技術：邁向低成本、高品質的8英吋時代 2026-2030年將是8英吋（200mm）SiC襯底從量產匯入走向產業主流的決定性時期，其發展將顯著降低器件成本並支撐更大的晶片面積與更高產量。
功率半導體(Power Semiconductor)-8 一文看懂，先進功率半導體技術路線圖：SiC、GaN與先進封裝
科技#功率半導體#碳化矽#SiC
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第三代半導體（SiC/GaN）8英吋全產業鏈全景圖

第三代半導體（SiC/GaN）8英吋全產業鏈全景圖 (先元資本)
第三代半導體（SiC/GaN）8英吋全產業鏈全景圖
科技#第三代半導體#化合物半導體SiC/GaN#產業鏈
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Google和輝達雙重認證！AI時代的氮化鎵，好戲剛剛開始

2月3日晚間，港股上市公司英諾賽科(02577.HK)發佈重大業務進展的自願性公告，稱公司產品已完成了在Google公司相關AI硬體平台的重要設計匯入，並簽訂了合規的供貨協議。這再次彰顯了英諾賽科在技術先進性、產品性能和質量等方面在氮化鎵行業的領先地位。基於當前的項目開發與客戶對接進展，英諾賽科將聚焦於AI伺服器、資料中心等高增長潛力領域，積極與產業鏈合作夥伴協作，合規地開展相關產品的商業化落地，滿足市場及客戶需求。圖片說明：英諾賽科宣佈與Google簽訂供貨協議，資料來源於公司公告對於英諾賽科來說，上一次類似的重磅公告始於2025年8月1日，彼時公司宣佈與輝達達成合作，聯合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI資料中心的規模化落地，公司第三代GaN器件為輝達800 VDC架構提供從800V輸入到GPU終端、覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。圖片說明：AI資料中心供電架構，資料來源於公司公告相比於2025年8月1日首次宣佈進入輝達供應鏈，彼時資本市場風險偏好較高，且香港市場流動性極為充沛，英諾賽科股價在短短一個月的時間內就實現了翻倍。本次宣佈進入Google供應鏈後，由於市場整體風險偏好下沉以及流動性欠佳的緣故，英諾賽科的股價表現冷靜了很多，公告發佈前後股價基本沒有變化，即便Google公佈財報後宣佈將2026年的資本開支上調至1750~1850億美元，遠超華爾街預期的1195億美元，公司股價仍然無動於衷。當短期投資者和投機者無利可圖之際，或許恰好就是長期投資者“從從容容、遊刃有餘”的佈局機遇。圖片說明：2025年8月至今英諾賽科股價變化，資料來源於WindGaN（氮化鎵）簡介熟悉北美AI產業鏈的投資者或許非常瞭解，光模組之所以供不應求，瓶頸在於EML雷射器，而導致EML光晶片產能不足的罪魁禍首，是第二代半導體材料InP（磷化銦）的嚴重短缺。GaN（氮化鎵）屬於第三代半導體材料，其主要應用場景在功率（電力電子）行業和射頻（通訊）行業，如無特別說明，本文主要指的是GaN功率半導體。圖片說明：半導體材料的發展歷程，資料來源於晶片技術與工藝與矽和其他半導體材料相比，GaN具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強、導通電阻低、無反向恢復損耗等優勢。其中GaN功率半導體能夠有效降低能量損耗、提升能源轉換效率、降低系統成本、並實現更小的器件尺寸。GaN功率半導體最典型的應用場景就是電源，而電源是所有現代工業領域的基礎。簡單來說，當電源中的矽基MOSFET在頻率、功率、熱管理、傳輸損耗和器件尺寸等方面出現物理瓶頸時，GaN功率半導體便是最理想的替代品。圖片說明：GaN的主要特點與優勢，資料來源於英諾賽科招股書普通消費者接觸最多的GaN產品，就是安克創新、小米、華為等品牌的65W、100W、140W的快充充電頭，幾乎全部採用GaN技術。一般來說GaN充電頭相比於普通充電頭，價格略貴，但具備體積小、充電快、不發熱、同時支援多種快充協議等多種優勢（如一個充電頭可以同時給蘋果裝置和Android裝置充電）。圖片說明：GaN充電頭對比普通充電頭的優勢，資料來源於小紅書過去GaN主要靠“手機快充”養活（即消費電子），後來隨著新能源汽車、太陽能及儲能等行業的快速成長，GaN的驅動力逐漸發生變化，具體來看，根據英諾賽科招股說明書中引用弗若斯特沙利文的資料：消費電子方面。GaN主要用於手機、電腦、PAD、電視、智能家居等裝置的快速充電器，同時USB-C的廣泛採用推動了多連接埠和大功率充電器需求的增加，進一步擴大的GaN的應用範圍。全球GaN功率半導體市場規模由2019年的不足1億元迅速增長至2023年的14億元，CAGR為102%。同時考慮到GaN在消費電子產品的滲透率不斷提升，以及各類消費電子所用GaN價值量上升，預計消費電子領域的GaN功率半導體市場規模將有2024年的25億元增長至2028年的211億元，CAGR高達71%。新能源汽車方面。GaN主要用於車載充電機、DC-DC變換器、雷射雷達驅動器、無線充電模組、無刷直流電機驅動器等部件。全球GaN功率半導體市場規模由2019年的不足500萬元迅速增長至2023年的7000萬元，CAGR為266%。同時考慮到新能源汽車滲透率不斷提高以及GaN產品價值量的提高，預計新能源汽車領域的GaN功率半導體市場規模由2024年的2.5億元增長至2028年的246億元，CAGR高達216%。太陽能及儲能方面。GaN主要用於微型逆變器、DC-DC變換器、儲能電池等。全球GaN功率半導體市場規模由2019年的不足3000萬元迅速增長至2023年的9000萬元，CAGR為32%。同時考慮到全球儲能系統滲透率不斷提高以及GaN產品價值量的提高，預計太陽能及儲能領域的GaN功率半導體市場規模由2024年的2億元增長至2028年的16億元，CAGR高達69%。圖片說明：GaN按下游應用區分的市場規模及增速，資料來源於英諾賽科招股書要說明的是，儘管弗若斯特沙利文的統計和測算往往過於偏樂觀，其資料作為參考即可，未必能夠完全當真，但從中能夠確定的是，GaN的增長趨勢相當迅猛。為什麼說，AI時代，GaN的好戲才剛剛開始注意到，上述資料的引用，主要來自於英諾賽科的招股說明書，其中市場規模的統計和測算的截至時間節點為2023~2024期間，彼時AI雖然非常火熱，但輝達尚未正式量產BlackWell系列也未正式發佈Rubin系列，伺服器機架的功率密度尚未從30kW飆升至100kW+，儘管傳統矽基電源體積很大、效率較低，但仍可以塞進H100、H200甚至Blackwell的機架內。因此彼時的資料，面對日益革新的AI資料中心，時效性未必足夠。2025年，輝達發佈的新資料中心架構，並正式與多家GaN功率半導體製造商的合作浪潮，包括德州儀器、Navitas、英飛凌科技、英諾賽科等，目標是共同推動資料中心向800V高壓直流架構的轉變。輝達2025年與多家GaN廠商的合作，標誌著AI資料中心大規模部署GaN的開端，基本可以確定的是，高功率密度的GaN將成為解決下一代AI資料中心電源瓶頸的唯一解。Yole Group認為，輝達對人工智慧資料中心的推動，正在為GaN技術創造類似“特斯拉推動SiC（碳化矽）”時刻的市場機遇。圖片說明：下一代AI資料中心需要匹配下一代的電源系統，資料來源於Yole Group根據Yole Group在其報告《Power GaN 2025》中測算，GaN市場的CAGR從2024年的3.6億美元增長42%，隨後增長六倍，到2030年約30億美元。其中電信和基礎設施類股預計將以53%的CAGR增長，到2030年GaN收入將超過3.8億美元，使資料中心成為GaN市場中最有前景的增長支柱之一。”TrendForce的測算更加樂觀一些，認為到2030年GaN市場規模將達到44億美元，並預計到2030年，AI伺服器電源需求將推動GaN在非消費電子領域的佔比從23%提升至48%。圖片說明：Yole測算GaN市場規模及增速，資料來源於Yole Group除了AI資料中心外，AI時代隨著端到端大模型的逐步成熟，另一台GaN的好戲，便是人形機器人。人形機器人本質上是“戴著腳鐐跳舞”的，每一克重量、每一立方釐米空間都要斤斤計較。人形機器人通常擁有40多個自由度或關節（如特斯拉Optimus僅靈巧手就22個自由度），每個關節都需要一個電機來驅動，這便是GaN發揮最大價值的地方。圖片說明：特斯拉靈巧手，資料來源於國金證券例如，傳統矽基MOSFET體積大、發熱嚴重，為了散熱，電機通常無法直接整合在關節內部，需要安裝在機器人軀幹，通過長電纜連接電機，這會導致布線複雜、重量增加（銅線很重）。因此，要想將電機做得足夠小、小到可以直接塞進人形機器人的關節裡，GaN幾乎就成為了一個必選項。換句話說，人形機器人是繼資料中心之後，在AI時代的第二台好戲，這台好戲才剛剛開始。GaN上市公司簡介在港股市場中，涉及GaN業務的公司主要是英諾賽科。在A股市場中，涉及GaN業務的公司包括但不限於三安光電(600703.SH)、聞泰科技(600745.SH)、士蘭微(600460.SH)等等。在全球市場中，涉及GaN業務的公司主要有：英諾賽科、EPC、英飛凌、Navitas及Power Integrations等等。其中英諾賽科2023年的收入在全球氮化鎵功率半導體企業中排名第一，市場份額33.7%。按折算氮化鎵分立器件出貨量計，2023年英諾賽科的市場份額為42.4%，同樣排名第一。圖片說明：2023年全球前五大GaN企業，資料來源於英諾賽科招股書英諾賽科創始人為駱薇薇，應用數學系博士，曾於美國宇航局（NASA）任職十五年，並擔任首席科學家，2015年回國創業，並於2017年成立英諾賽科，IDM模式，成為全球首家實現8英吋GaN晶圓量產的企業。能夠同時進入Google和輝達的供應鏈，已經無需再多言英諾賽科的技術實力如何，前文中關於GaN下游應用和增長前景的論述也無需再贅述，站在資本市場角度，更多關心的是如何估值，尤其是在港股這個環境中。按當前510億港幣市值計算，對應人民幣約450億元，或許當前的估值中，已經蘊含了市場希望在未來幾年內，能夠看到在一個完整會計年度內，淨利潤至少達到10億元的水平。不過好在的是，英諾賽科2025H1的毛利率已經實現了轉正（同比提升28.4個百分點），隨著IDM模式下規模效應的持續顯現，以及下游應用場景的非線性增長，GaN行業或許還有更多驚喜在等待著資本市場。 (估值之家)
Google和輝達雙重認證！AI時代的氮化鎵，好戲剛剛開始
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《台亞攜手台灣伊藤忠推供應鏈合作 強化化合物半導體與智慧醫療布局》台亞半導體（TW 2340）12日與台灣伊藤忠（ITOCHU Taiwan）就「半導體供應鏈與資源共享合作」簽署合作意向書，未來雙方將聯手於「化合物半導體SiC/GaN」與「非侵入式血糖監測技術」兩大領域展開深度合作。本次結盟整合台亞的研發製造優勢與伊藤忠集團強大的全球通路與商社資源，預期將加速技術商業化並強化國際市場布局。值得一提的是，伊藤忠作為日本五大商社之一，近年也獲得全球資本市場高度關注，包括投資大師沃倫·巴菲特（Warren Buffett）旗下波克夏·海瑟威（Berkshire Hathaway）多次增持其股份，更凸顯伊藤忠在全球供應鏈中的長期價值與成長潛力，而本次合作中，台亞將透過旗下子公司積亞半導體負責提供 SiC（碳化矽）晶片，而冠亞半導體則提供GaN（氮化鎵）晶片，促使本次結盟更具國際戰略意義。簽約儀式現場，由伊藤忠（東亞區）總裁-三村 剛、台灣伊藤忠董事長兼總經理-桐山 寛史、機械事業部（東亞區）總經理-佐佐木 將博，及台亞半導體董事長-李國光、副董事長-戴圳家、總經理-蔡育軒等雙方經營高層代表出席。依照合作內容，台亞與伊藤忠集團將成立聯合工作小組，並共同爭取台日雙方政府或產業計畫支持，預計優先於日本市場進行小規模示範專案，後續再擴大至亞洲及其他國際市場。受惠於新能源車、工業設備以及通訊基礎設施的持續成長，化合物半導體需求快速提升，同時全球對非侵入式血糖監測技術的醫療需求也逐年增加。台亞與伊藤忠透過本次合作，將共同推動關鍵技術落地，並強化兩國在材料、半導體與智慧醫療領域的合作能量。伊藤忠（東亞區）總裁三村 剛表示，本次合作代表伊藤忠集團對化合物半導體及智慧醫療領域的高度重視，期待與台亞攜手推動技術應用加速成長。台亞董事長李國光指出，本次與伊藤忠集團合作主要是雙方看好化合物半導體未來的應用發展，以及非侵入式血糖監測市場，建立彼此緊密的合作關係，加速技術的商業化，在功率元件領域，台亞將透過旗下子公司積亞半導體提供SiC（碳化矽）晶片，而冠亞半導體提供GaN（氮化鎵）晶片，並負責產品的相關研發、設計與技術支援。伊藤忠集團則將運用其全球客戶網絡，協助推廣應用於新能源車、工業設備及通訊基站等高成長利基市場，共同提升供應鏈穩定性並降低生產成本與風險。而在非侵入血糖監測合作方面，則是透過台亞最新的HUSD （Hybrid Ultra Sensing Device）光學感測技術，搭配伊藤忠集團所屬醫療領域相關部門，協助在日本與亞洲醫療機構導入及推廣，並協助完成法規審查與臨床試驗規劃，推動產品邁向醫療級監測市場，並運用至全球供應鏈與客戶網絡。台亞半導體副董事長暨日亞化學專務取締役戴圳家表示，此次跨界合作展現台亞深耕感測技術 40 年的成果，也是落實「感測半導體 × 智慧醫療」願景的關鍵一步。來將持續與合作夥伴緊密協作，從材料到終端應用提升供應鏈效率，並共同打造具全球競爭力的產品與服務。
台亞攜手台灣伊藤忠推供應鏈合作 強化化合物半導體與智慧醫療布局
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