在全球功率半導體市場與學術界，中國企業的存在感正經歷一場深刻的重塑。 曾擔任功率半導體頂級國際會議 ISPSD 大會主席的日本九州工業大學大村一郎教授指出，在碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga₂O₃）以及金剛石等新一代材料的研究與應用中，中國力量正在全面崛起；儘管日本企業目前仍憑憑藉三菱電機、東芝等巨頭在大耐壓矽（Si）基領域保持優勢，但中國在這一傳統陣地上的存在感也在持續攀升。 在最新一屆的 ISPSD 2026 上，中國團隊展現出了強勁的研發爆發力： 在氮化鎵（GaN）領域，中國企業展現出極強的產業與學術主導力，大會關於 GaN 的主要重磅報告絕大多數均來自中國企業，且成果數量遙遙領先。

SiC（碳化矽）和GaN（氮化鎵）無疑是這輪黃金周期中的“主角”。 2026年盛夏，功率半導體行業迎來了一場多年未見的漲價潮。據21世紀經濟報導，全球近20家模擬及功率半導體企業即將於7月1日啟動新一輪漲價。 英飛凌年內第二次發函，德州儀器5月率先出手。國內廠商同樣密集跟進：揚傑科技自7月1日起將全系列產品價格調漲10%至15%，立昂微自6月15日起對功率晶片業務全系產品調漲10%至15%。 漲價之外，交期也在拉長。主流功率半導體交貨周期已普遍延至30周以上。

一、SiC功率半導體技術路線圖（2026-2030） 展望2026至2030年，碳化矽（SiC）功率半導體技術將圍繞“大尺寸、高整合、極致性能與高可靠性”的核心目標，在材料與襯底、器件結構與工藝、性能指標以及應用生態等方面，實現從技術攻堅到產業成熟的系統性躍遷。 1. 材料與襯底技術：邁向低成本、高品質的8英吋時代 2026-2030年將是8英吋（200mm）SiC襯底從量產匯入走向產業主流的決定性時期，其發展將顯著降低器件成本並支撐更大的晶片面積與更高產量。

第三代半導體（SiC/GaN）8英吋全產業鏈全景圖 (先元資本)

2月3日晚間，港股上市公司英諾賽科(02577.HK)發佈重大業務進展的自願性公告，稱公司產品已完成了在Google公司相關AI硬體平台的重要設計匯入，並簽訂了合規的供貨協議。這再次彰顯了英諾賽科在技術先進性、產品性能和質量等方面在氮化鎵行業的領先地位。基於當前的項目開發與客戶對接進展，英諾賽科將聚焦於AI伺服器、資料中心等高增長潛力領域，積極與產業鏈合作夥伴協作，合規地開展相關產品的商業化落地，滿足市場及客戶需求。圖片說明：英諾賽科宣佈與Google簽訂供貨協議，資料來源於公司公告對於英諾賽科來說，上一次類似的重磅公告始於2025年8月1日，彼時公司宣佈與輝達達成合作，聯合推動800 VDC（800伏直流）電源架構在AI資料中心的規模化落地，公司第三代GaN器件為輝達800 VDC架構提供從800V輸入到GPU終端、覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。圖片說明：AI資料中心供電架構，資料來源於公司公告相比於2025年8月1日首次宣佈進入輝達供應鏈，彼時資本市場風險偏好較高，且香港市場流動性極為充沛，英諾賽科股價在短短一個月的時間內就實現了翻倍。本次宣佈進入Google供應鏈後，由於市場整體風險偏好下沉以及流動性欠佳的緣故，英諾賽科的股價表現冷靜了很多，公告發佈前後股價基本沒有變化，即便Google公佈財報後宣佈將2026年的資本開支上調至1750~1850億美元，遠超華爾街預期的1195億美元，公司股價仍然無動於衷。當短期投資者和投機者無利可圖之際，或許恰好就是長期投資者“從從容容、遊刃有餘”的佈局機遇。圖片說明：2025年8月至今英諾賽科股價變化，資料來源於WindGaN（氮化鎵）簡介熟悉北美AI產業鏈的投資者或許非常瞭解，光模組之所以供不應求，瓶頸在於EML雷射器，而導致EML光晶片產能不足的罪魁禍首，是第二代半導體材料InP（磷化銦）的嚴重短缺。GaN（氮化鎵）屬於第三代半導體材料，其主要應用場景在功率（電力電子）行業和射頻（通訊）行業，如無特別說明，本文主要指的是GaN功率半導體。圖片說明：半導體材料的發展歷程，資料來源於晶片技術與工藝與矽和其他半導體材料相比，GaN具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強、導通電阻低、無反向恢復損耗等優勢。其中GaN功率半導體能夠有效降低能量損耗、提升能源轉換效率、降低系統成本、並實現更小的器件尺寸。GaN功率半導體最典型的應用場景就是電源，而電源是所有現代工業領域的基礎。簡單來說，當電源中的矽基MOSFET在頻率、功率、熱管理、傳輸損耗和器件尺寸等方面出現物理瓶頸時，GaN功率半導體便是最理想的替代品。圖片說明：GaN的主要特點與優勢，資料來源於英諾賽科招股書普通消費者接觸最多的GaN產品，就是安克創新、小米、華為等品牌的65W、100W、140W的快充充電頭，幾乎全部採用GaN技術。一般來說GaN充電頭相比於普通充電頭，價格略貴，但具備體積小、充電快、不發熱、同時支援多種快充協議等多種優勢（如一個充電頭可以同時給蘋果裝置和Android裝置充電）。圖片說明：GaN充電頭對比普通充電頭的優勢，資料來源於小紅書過去GaN主要靠“手機快充”養活（即消費電子），後來隨著新能源汽車、太陽能及儲能等行業的快速成長，GaN的驅動力逐漸發生變化，具體來看，根據英諾賽科招股說明書中引用弗若斯特沙利文的資料：消費電子方面。GaN主要用於手機、電腦、PAD、電視、智能家居等裝置的快速充電器，同時USB-C的廣泛採用推動了多連接埠和大功率充電器需求的增加，進一步擴大的GaN的應用範圍。全球GaN功率半導體市場規模由2019年的不足1億元迅速增長至2023年的14億元，CAGR為102%。同時考慮到GaN在消費電子產品的滲透率不斷提升，以及各類消費電子所用GaN價值量上升，預計消費電子領域的GaN功率半導體市場規模將有2024年的25億元增長至2028年的211億元，CAGR高達71%。新能源汽車方面。GaN主要用於車載充電機、DC-DC變換器、雷射雷達驅動器、無線充電模組、無刷直流電機驅動器等部件。全球GaN功率半導體市場規模由2019年的不足500萬元迅速增長至2023年的7000萬元，CAGR為266%。同時考慮到新能源汽車滲透率不斷提高以及GaN產品價值量的提高，預計新能源汽車領域的GaN功率半導體市場規模由2024年的2.5億元增長至2028年的246億元，CAGR高達216%。太陽能及儲能方面。GaN主要用於微型逆變器、DC-DC變換器、儲能電池等。全球GaN功率半導體市場規模由2019年的不足3000萬元迅速增長至2023年的9000萬元，CAGR為32%。同時考慮到全球儲能系統滲透率不斷提高以及GaN產品價值量的提高，預計太陽能及儲能領域的GaN功率半導體市場規模由2024年的2億元增長至2028年的16億元，CAGR高達69%。圖片說明：GaN按下游應用區分的市場規模及增速，資料來源於英諾賽科招股書要說明的是，儘管弗若斯特沙利文的統計和測算往往過於偏樂觀，其資料作為參考即可，未必能夠完全當真，但從中能夠確定的是，GaN的增長趨勢相當迅猛。為什麼說，AI時代，GaN的好戲才剛剛開始注意到，上述資料的引用，主要來自於英諾賽科的招股說明書，其中市場規模的統計和測算的截至時間節點為2023~2024期間，彼時AI雖然非常火熱，但輝達尚未正式量產BlackWell系列也未正式發佈Rubin系列，伺服器機架的功率密度尚未從30kW飆升至100kW+，儘管傳統矽基電源體積很大、效率較低，但仍可以塞進H100、H200甚至Blackwell的機架內。因此彼時的資料，面對日益革新的AI資料中心，時效性未必足夠。2025年，輝達發佈的新資料中心架構，並正式與多家GaN功率半導體製造商的合作浪潮，包括德州儀器、Navitas、英飛凌科技、英諾賽科等，目標是共同推動資料中心向800V高壓直流架構的轉變。輝達2025年與多家GaN廠商的合作，標誌著AI資料中心大規模部署GaN的開端，基本可以確定的是，高功率密度的GaN將成為解決下一代AI資料中心電源瓶頸的唯一解。Yole Group認為，輝達對人工智慧資料中心的推動，正在為GaN技術創造類似“特斯拉推動SiC（碳化矽）”時刻的市場機遇。圖片說明：下一代AI資料中心需要匹配下一代的電源系統，資料來源於Yole Group根據Yole Group在其報告《Power GaN 2025》中測算，GaN市場的CAGR從2024年的3.6億美元增長42%，隨後增長六倍，到2030年約30億美元。其中電信和基礎設施類股預計將以53%的CAGR增長，到2030年GaN收入將超過3.8億美元，使資料中心成為GaN市場中最有前景的增長支柱之一。”TrendForce的測算更加樂觀一些，認為到2030年GaN市場規模將達到44億美元，並預計到2030年，AI伺服器電源需求將推動GaN在非消費電子領域的佔比從23%提升至48%。圖片說明：Yole測算GaN市場規模及增速，資料來源於Yole Group除了AI資料中心外，AI時代隨著端到端大模型的逐步成熟，另一台GaN的好戲，便是人形機器人。人形機器人本質上是“戴著腳鐐跳舞”的，每一克重量、每一立方釐米空間都要斤斤計較。人形機器人通常擁有40多個自由度或關節（如特斯拉Optimus僅靈巧手就22個自由度），每個關節都需要一個電機來驅動，這便是GaN發揮最大價值的地方。圖片說明：特斯拉靈巧手，資料來源於國金證券例如，傳統矽基MOSFET體積大、發熱嚴重，為了散熱，電機通常無法直接整合在關節內部，需要安裝在機器人軀幹，通過長電纜連接電機，這會導致布線複雜、重量增加（銅線很重）。因此，要想將電機做得足夠小、小到可以直接塞進人形機器人的關節裡，GaN幾乎就成為了一個必選項。換句話說，人形機器人是繼資料中心之後，在AI時代的第二台好戲，這台好戲才剛剛開始。GaN上市公司簡介在港股市場中，涉及GaN業務的公司主要是英諾賽科。在A股市場中，涉及GaN業務的公司包括但不限於三安光電(600703.SH)、聞泰科技(600745.SH)、士蘭微(600460.SH)等等。在全球市場中，涉及GaN業務的公司主要有：英諾賽科、EPC、英飛凌、Navitas及Power Integrations等等。其中英諾賽科2023年的收入在全球氮化鎵功率半導體企業中排名第一，市場份額33.7%。按折算氮化鎵分立器件出貨量計，2023年英諾賽科的市場份額為42.4%，同樣排名第一。圖片說明：2023年全球前五大GaN企業，資料來源於英諾賽科招股書英諾賽科創始人為駱薇薇，應用數學系博士，曾於美國宇航局（NASA）任職十五年，並擔任首席科學家，2015年回國創業，並於2017年成立英諾賽科，IDM模式，成為全球首家實現8英吋GaN晶圓量產的企業。能夠同時進入Google和輝達的供應鏈，已經無需再多言英諾賽科的技術實力如何，前文中關於GaN下游應用和增長前景的論述也無需再贅述，站在資本市場角度，更多關心的是如何估值，尤其是在港股這個環境中。按當前510億港幣市值計算，對應人民幣約450億元，或許當前的估值中，已經蘊含了市場希望在未來幾年內，能夠看到在一個完整會計年度內，淨利潤至少達到10億元的水平。不過好在的是，英諾賽科2025H1的毛利率已經實現了轉正（同比提升28.4個百分點），隨著IDM模式下規模效應的持續顯現，以及下游應用場景的非線性增長，GaN行業或許還有更多驚喜在等待著資本市場。 (估值之家)

近年來，5G/6G通訊、資料中心及量子應用需求增長，傳統矽工藝在高頻高效上遇瓶頸。氮化鎵（GaN）因寬頻隙、高遷移率備受關注，但高成本和整合難題限制應用。MIT團隊提出新工藝：在GaN晶圓批次製備微型電晶體，精準切割成約240×410微米晶粒，再通過低於400°C的銅-銅鍵合，將晶粒粘接到標準矽CMOS晶片。該方法成本低、相容主流流程，兼具GaN性能與先進矽工藝優勢，可提升頻寬和能效並降低溫度。以功率放大器為示範，晶片面積不足0.5平方毫米，增益和效率超傳統矽方案，有望提升手機通話質量、無線頻寬和續航。同時相容現有製造流程，不僅可最佳化當前電子裝置，也為未來低溫量子異質整合奠定基礎。研究人員開發出了一種全新的晶片製造工藝，能夠以低成本、可擴展的方式，將高性能氮化鎵（GaN）電晶體整合到標準的矽基CMOS晶片上｜圖源：研究團隊提供麻省理工學院研究生、該方法論文第一作者Pradyot Yadav表示：“如果我們能夠降低成本、提高可擴展性，同時增強電子器件性能，那麼採用這項技術顯而易見。我們結合了矽技術的優勢與氮化鎵電子學的最佳性能。這些混合晶片可徹底變革眾多商業市場。”Pradyot Yadav 是麻省理工學院電子工程與電腦科學系的博士研究生，研究聚焦於異質整合、三維晶片結構以及射頻與功率電子等前沿方向。作為本研究的第一作者，他主導開發了一種創新工藝，通過低溫銅-銅鍵合方式，將微型氮化鎵電晶體高效整合到矽晶片上，是這一整合平台的核心奠基者。論文合作者包括MIT研究生Jinchen Wang、Patrick Darmawi-Iskandar；MIT博士後John Niroula；高級作者、微系統技術實驗室（MTL）訪問科學家Ulrich L. Rohde；EECS（電氣工程與電腦科學系）副教授、MTL成員Han Ruonan；Clarence J. LeBel電子工程與電腦科學教授、MTL主任Tomás Palacios；以及佐治亞理工學院和美國空軍研究實驗室的合作者。該研究成果最近在IEEE射頻積體電路研討會上進行了展示。Han Ruonan是MIT電氣工程與電腦科學系副教授、微系統技術實驗室（MTL）核心成員，長期專注於高速無線通訊、毫米波/太赫茲積體電路和異質整合系統等領域研究。作為本研究的高級作者之一，他為整體架構設計和理論創新提供了關鍵指導，是推動該技術邁向實際應用的重要學術力量。電晶體替換：整合思路概述氮化鎵是世界上第二大使用最廣泛的半導體，僅次於矽。其獨特特性使其在照明、雷達系統和功率電子等應用中表現優越。氮化鎵材料已有數十年歷史。若要發揮其最大性能，需要將氮化鎵晶片與數字矽晶片（即CMOS晶片）互聯。目前部分整合方法是通過銲接將氮化鎵電晶體粘接到CMOS晶片上，但這限制了氮化鎵電晶體的最小尺寸。而電晶體越小，其可工作的頻率越高。也有方法將整片氮化鎵晶圓疊加到矽晶圓上，但這會消耗大量氮化鎵材料，成本極高，且實際上只需在極少數微小電晶體部分使用氮化鎵，剩餘大部分材料浪費嚴重。Yadav解釋：“我們希望在不犧牲成本或頻寬的前提下，將氮化鎵功能與矽數字晶片性能結合起來。我們的做法是在矽晶片上方直接加入超微小的離散氮化鎵電晶體。”新晶片實現依賴多步驟工藝：首先，在整片氮化鎵晶圓表面製作密集排列的微小電晶體。利用精細雷射技術，將每個電晶體切割至僅包含電晶體自身尺寸，即約240×410微米，形成所謂“晶粒”（dielet）。（1微米等於一百萬分之一米。）每個電晶體表面製備微小銅柱，用於與標準矽CMOS晶片表面的銅柱直接銲接。銅-銅鍵合溫度低於400°C，足以避免損傷兩種材料。金屬成本高且需要更高溫度及更大壓力；此外，金可能污染多數半導體代工廠裝置，需在專用設施中操作。Yadav指出：“我們需要低成本、低溫、低壓力工藝，銅在這些方面均優於金，同時導電性能更好。”專用工具：實現奈米級對準與鍵合為支援該整合流程，團隊開發了一種專用工具，可在奈米級精度下，將極微小的氮化鎵晶粒與矽晶片精確對準並鍵合。該工具通過真空吸持晶粒，在矽晶片表面移動、定位，並借助先進顯微技術監控銅柱介面。當晶粒精確就位後，施加熱和壓力，使氮化鎵電晶體牢固粘接到矽晶片上。Yadav回憶：“在每一步，我都需要找到相應技術的合作者，向他們學習，然後將技術整合到我的平台中。花了兩年時間不斷學習和打磨。”示範：高性能功率放大器完善工藝後，研究團隊利用該方法製作了功率放大器——一種提高無線訊號強度的射頻電路。實驗裝置在頻寬和增益上均超越傳統矽電晶體器件。每個緊湊晶片面積不足0.5平方毫米。此外，所用矽晶片基於Intel 16工藝節點、22奈米FinFET技術，具有先進的金屬互連和被動元件選項，能夠整合諸如中和電容等常見矽電路元件。這顯著提高了放大器增益，更接近下一代無線技術的需求。IBM研究科學家Atom Watanabe（未參與本研究）評論：“為應對摩爾定律在電晶體縮放上的放緩，異質整合已成為實現系統持續擴展、縮小體積、提升功效並最佳化成本的有前景方案。尤其在無線技術領域，將化合物半導體與矽基晶圓緊密整合，對於建構從天線到人工智慧平台的前端積體電路、基帶處理器、加速器和儲存器的統一系統至關重要。這項工作通過展示多片氮化鎵晶片與矽CMOS的三維整合，在當前技術能力之上邁出重要一步。”前景與支援該研究部分由美國國防部通過國防科學與工程研究生獎學金計畫（NDSEG Fellowship Program）及JUMP 2.0項目下的CHIMES中心資助，後者隸屬半導體研究公司（SRC）與國防部及國防高級研究計畫局（DARPA）合作。製造工作在MIT.Nano、美國空軍研究實驗室和佐治亞理工學院設施中完成。由於該整合工藝相容現有流程，不僅可提升當前電子產品性能，還可為未來新興技術奠定基礎。例如，在許多量子計算方案所需的低溫環境下，氮化鎵優於矽，若能通過此方法將氮化鎵器件與數字處理單元結合，或將加速量子應用的發展。這項技術將氮化鎵和矽兩大半導體各自優勢巧妙結合，既克服了GaN高成本與專用工藝限制，又利用成熟CMOS平台，實現性能與規模的平衡。隨著標準化流程的落地推廣，未來我們有望在手機、基站、資料中心甚至量子計算系統中見到更高速、更節能、更緊湊的器件設計。 (MITCEO)

近日，輝達與納微半導體(Navitas)展開戰略合作，開發下一代資料中心供電架構，特別是針對輝達未來的高性能計算平台。這項合作聚焦於創新的800伏高壓直流系統，旨在為包括 Rubin Ultra 在內的GPU提供穩定高效的AI算力供電，支援“Kyber系統”等先進AI資料中心基礎設施。納微的氮化鎵和碳化矽技術將在這一合作中發揮關鍵作用。納微半導體首席執行官指出，納微的創新技術正在AI資料中心 等市場中創造新的市場增長點。這項納微輝達合作預計將顯著提升電源效率約5%，並有望將資料中心的維護成本降低高達70%，為AI資料中心電源 帶來革命性的改進。有媒體指出，這代表了資料中心基礎設施領域的重大技術飛躍，特別是在支撐GW級AI計算負載方面，納微的技術將一定程度上大幅提升能效並降低銅材使用量。周三美股盤後，納微股價一度暴漲200%。(雅時化合物半導體)