#HBF
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HBM之後，HBF來了：3D NAND+TSV+UCIe，512GiB與3.072TB/s重構AI記憶體架構！

🔷不取代HBM，而是擴展HBM：高頻寬Flash將TB級容量進一步推向xPU身邊 🔷模型權重、KV Cache與MoE成為關鍵場景，AI記憶體層級迎來重新劃分 隨著大模型參數規模持續膨脹、Context Length不斷拉長，AI晶片面臨的挑戰已經不只是“算力夠不夠”，Memory Wall正在成為制約GPU/TPU/xPU繼續擴展的重要瓶頸。HBM雖然擁有極高頻寬，但容量擴展壓力越來越突出；傳統NAND容量足夠大，卻又很難滿足AI計算對近端高頻寬資料訪問的需求。正是在這樣的背景下，High Bandwidth Flash（HBF）開始走向台前——它試圖把Flash從傳統記憶體層直接搬到xPU身邊，在HBM與SSD之間建立一個全新的高頻寬、大容量Memory Tier。 這次，小編就帶大家詳細看看這份HBF High-Level Base Die Specification。從3D NAND Stack、Base Die、TSV，到16通道Wide-I/O、UCIe/AXI互連，再到512GiB+容量與最高3.072TB/s目標有效頻寬，HBF正在嘗試用“高平行NAND+先進封裝+Chiplet互連”重新定義Flash的性能邊界。
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科技#HBM#HBF#3D NAND
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閃迪投資者日全解讀：HBF 要讓 4 顆 GPU 干翻 8 顆 HBM？

分享閃迪2026 年投資者日 "IN FOCUS" 的全套演示材料。閃迪 2025 年 2 月剛從西部資料分拆獨立上市，這次投資者日主要想介紹，NAND 快閃記憶體正在從消費類周期品變成 AI 推理時代的戰略資源，而閃迪押注的新產品是 HBF（高頻寬快閃記憶體）。 報告主要內容 公司底子和戰略 閃迪和鎧俠的合資關係延長到 2034 年，兩家合計佔全球 NAND 晶圓產能 33%，是最大生產商。資產負債表乾淨 —— 無債、現金充裕，還參股了南亞約 4% 股權來鎖定 eSSD 用 DRAM。管理層給股東的承諾是三件事：提高盈利、降低周期波動、持續增長。降低周期靠兩條腿，一是消費業務基本盤（35 萬個銷售點，2017 年以來賣了 21 億件產品），二是和雲廠商簽 1 到 5 年的長約，FY27 已有一半供應量被長約鎖價鎖量，FY28 要到三分之二。bit 量增長目標是每年 15% 到 19%。
閃迪投資者日全解讀：HBF 要讓 4 顆 GPU 干翻 8 顆 HBM？
美股#閃迪#投資者日#HBF
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閃迪HBF標準新突破：2027年出樣品2028年量產 或緩解AI記憶體瓶頸

閃迪與SK海力士聯合制定的高頻寬快閃記憶體（HBF）標準規範近日引發行業關注。這項被視為突破"記憶體牆"關鍵的技術，通過融合HBM級頻寬與遠超現有方案的記憶體容量，為AI算力升級提供了新思路。據參與制定標準的企業披露，HBF系統在AI大模型訓練中展現出顯著優勢——僅需4塊GPU即可實現傳統HBM架構8塊GPU的Token輸出效率，這意味著資料中心建設成本有望大幅降低。 技術層面，HBF採用與HBM不同的技術路徑。不同於基於DRAM堆疊的HBM方案，HBF更接近NAND快閃記憶體架構，在保持低成本優勢的同時，實現了0.4TB/s至3.0TB/s的頻寬性能。首版標準支援512GB容量，提供8層或16層堆疊選項，並劃分三個頻寬等級（Grade 1-3）以滿足不同場景需求。這種設計既保證了資料傳輸速率，又通過增加記憶體密度緩解了記憶體容量瓶頸。 行業分析指出，雖然HBF的延遲特性使其難以完全替代HBM，但其在特定場景的價值已獲認可。瑞穗證券研究顯示，解耦式AI推理架構正成為新趨勢，Google、meta等科技巨頭已開始佈局相關技術。HBF的出現恰好契合這種架構需求，通過分離計算與記憶體單元，實現資源更靈活的配置。這種特性在需要處理海量資料的生成式AI應用中尤為突出。 產品化處理程序方面，閃迪已完成首款HBF晶片的流片驗證。按照規劃，2027年將向合作夥伴提供工程樣品，2028年啟動量產。業內人士認為，隨著AI模型參數規模突破兆級，傳統記憶體架構已難以滿足需求。HBF通過平衡性能、成本與容量，為資料中心營運商提供了新的選擇，特別在推理伺服器領域可能引發架構變革。
美股#閃迪#SanDisk#HBF標準
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記憶體晶片四兄弟：帶你讀懂NAND、DRAM、HBM、HBF

當你手機裡存滿照片、當你打遊戲卡頓時、當AI模型訓練到一半報錯"視訊記憶體溢出"——這些日常場景背後，是四類記憶體晶片在無聲分工。它們名字相近，卻有著截然不同的"性格"與"使命"。 開篇：一場關於"速度與容量"的永恆博弈 打開電腦發現它變慢了；手機提示記憶體空間不足；AI模型訓練到一半突然報錯"視訊記憶體溢出"……這些問題看似五花八門，背後卻指向同一個根源：資料跑得沒有計算快。 過去四十年，半導體的"交通規劃"始終面臨一道選擇題——要麼快，要麼多。想速度快，就得接受容量小、成本高；想容量大，就得忍受慢吞吞的讀寫。你桌上的SSD可以存幾TB資料，但打開一個程序要等好幾秒；你的記憶體訪問速度是納秒級，但斷電就清空一切。
記憶體晶片四兄弟：帶你讀懂NAND、DRAM、HBM、HBF
科技#記憶體晶片#NAND#DRAM
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HBM敲響警鐘，Google看上了HBF！

GoogleDeepMind指出，SK海力士目前正在研發的高帶寬閃存（HBF）將成為引領下一代人工智慧（AI）時代的記憶體技術。隨著AI市場重心從訓練轉向推理，HBF被認為是AI推理的最佳記憶體解決方案，能夠快速處理大規模數據。 SK海力士於8月7日宣佈，在8月6日（當地時間）於加州聖克拉拉舉行的「FMS 2026」記憶體技術大會上，該公司與GoogleDeepMind和閃迪的代表探討了HBF（堆疊式NAND閃存）作為解決人工智慧時代內存瓶頸的核心技術。HBF是一種下一代記憶體技術，它通過堆疊NAND閃存來提高記憶體容量和一次性數據交換的帶寬，能夠為圖形處理器（GPU）等人工智慧晶片高效處理海量數據提供支撐。Google和閃迪與SK海力士組成聯盟，並在本次大會上發佈了HBF的標準規範。 GoogleDeepMind的研究員馬曉宇在FMS 2026的小組討論中指出，隨著大型語言模型（LLM）推理任務所需數據量的顯著增長，對高帶寬記憶體器（HBF）的需求也將隨之增長。這意味著，除了訓練數據外，根據用戶請求需要處理的數據量也在激增，使得現有內存系統難以實現快速響應。馬曉宇補充道，具備高容量和高帶寬的HBF能夠同時保證高能效。 會議還討論了HBF作為下一代AI內存所面臨的挑戰。針對有人擔心，如果AI計算過程中頻繁進行數據寫入，NAND閃存單元（記憶體單元）的損壞速度可能會比GPU或HBM更快，SanDisk副總裁Rajiv Nagabirava表示，如果HBF主要承擔數據讀取的角色，這些擔憂就能得到解決。SK海力士副總裁Eui-cheol Lim也提出了一種模型，即在以讀取為中心的AI推理階段，將HBF與HBM聯合使用。
科技#谷歌#HBF#HBM
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HBM和SSD中間，HBF殺出來了

AI時代的記憶體江湖，正在被重新劃分地盤。在HBM高頻寬記憶體和SSD固態硬碟這兩位老玩家之間，一個叫HBF的新角色正式登場了。閃迪（SanDisk）和SK海力士近日共同發佈了高頻寬快閃記憶體（HighBandwidthFlash，簡稱HBF）的首個標準規範，這是繼兩家去年8月啟動HBF標準化合作、今年2月正式成立聯盟之後，歷時約6個月拿出的第一項實打實的成果。比起此前停留在概念和PPT上的描述，這次是帶著完整的介面定義、電氣特性和封裝指南來的，份量顯然不同。 要理解HBF為什麼重要，得先看清它在記憶體裡的位置。HBM雖然頻寬驚人，但容量受限，本質還是昂貴的近記憶體層，而SSD容量大、成本低，可速度又遠遠跟不上GPU的胃口。HBF恰好卡在二者中間，既具備和HBM類似的高速資料傳輸能力，又能基於NAND快閃記憶體大幅把容量做上去。說人話就是，它想把HBM的速度和SSD的肚量揉進同一顆晶片裡。在AI推理普及、資料處理需求暴增的當下，模型參數動輒千億兆、上下文窗口越拉越長，這種又寬又快又能裝的記憶體層級，正是資料中心最缺的那塊拼圖。 規範本身給出了相當具體的技術畫像。HBF定義了兩種容量配置，分別採用8層和16層NAND晶片堆疊，最高能支援到512GB，這個容量放在傳統HBM身上是想都不敢想的數字。頻寬上則按三個等級（Grade 1到3）劃分標準，資料傳輸能力覆蓋約0.4TB/s到3.0TB/s，從入門到高端拉開梯度，方便不同定位的產品各取所需。互聯方面採用了行業標準的UCIe，為HBF和GPU、CPU等不同類型處理器靈活拼接打下了基礎，這意味著它不只是某個廠商的私有玩法，而是從物理層面就奔著通用去的。此外規範還涵蓋了互聯介面與電氣特性、Die堆疊工藝的可靠性與封裝指南，以及資料讀寫的軟體使用說明，一套從晶片到軟體的全端框架已經搭起來了。 最值得玩味的一點是發佈主體。這份HBF技術規範並非某家廠商自說自話的私貨，而是由全球最大的開放式資料中心技術合作組織OCP（Open Compute Project）正式發佈，未來將成為行業通用的開放標準。它用UCIe互聯和開放式封裝指南，把GPU視訊記憶體牆之外那層高速大容量記憶體梯隊的規則先立了起來。在AI算力競賽裡，誰先定義標準，誰就握住後續生態的話語權，閃迪和SK海力士這次聯手搶下的，正是下一代AI記憶體的定義權。標準先行的好處是給整個產業鏈發了明確訊號，無論後續那家原廠跟進，都得在這套開放的框架裡跳舞，而不是各自為政另起爐灶。至於各家後面怎麼出產品、怎麼搶份額，值得持續盯著。
HBM和SSD中間，HBF殺出來了
科技#HBF#AI基礎設施#NAND快閃記憶體
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SK海力士聯手閃迪發佈全球首個HBF標準規範，Google加入生態

SK海力士與閃迪聯合發佈高帶寬閃存（HBF）全球首個標準規範，距聯盟成立僅六個月。HBF定位於HBM與SSD之間的新型記憶體層級，支援最高512GB容量及0.4至3.0TB/s帶寬，採用UCIe開放互聯標準。Google與Tenstorrent已加入聯盟，規範通過OCP向全行業開放。 $SK海力士 (SKHY.US)$攜手$閃迪 (SNDK.US)$，在人工智慧記憶體架構競賽中共同落子。 8月4日，SK海力士攜手閃迪聯合發佈高帶寬閃存（HBF）全球首個標準規範，這一里程碑距HBF聯盟正式成立僅約六個月，標誌著下一代AI記憶體技術的標準化進程正式提速。 上述規範在加利福尼亞州聖克拉拉舉行的"FMS 2026"記憶體峰會上正式亮相。Google與Tenstorrent已宣佈加入HBF聯盟，進一步擴大該技術的產業生態覆蓋。
科技#SK海力士#HBF#閃迪
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周末讀物 | 「HBM之父」金正浩深談：推理階段更重要的半導體是記憶體器，未來電源供應網絡和冷卻技術將變得極其重要

「我認為十年以後，NAND Flash和HBF的市場需求，可能會比HBM還要大。」 「冷卻技術會成為三星和SK海力士之間的性能差異來源。」 “HBM、HBF，甚至其他高帶寬記憶體器，未來都會變成一棟棟『百層大樓』。最上面再放上GPU，進行冷卻。這樣的3D半導體結構，幾乎必然會成為未來AI計算機的架構。這是我現在的判斷。 其中最難的技術之一，就是供電。因為你要供應幾千安培的電流。未來最難的，可能就是電源供應網絡的設計。這會成為真正的技術壁壘。”
科技#HBM#金正浩#NAND Flash