分享佳能於2026年發表的技術演示，介紹了佳能的奈米壓印光刻（NIL）和噴墨自適應平坦化（IAP）技術，重點闡述了這兩種技術在計量、缺陷控制和工藝性能方面面臨的獨特挑戰與解決方案，內容涵蓋了從NIL基本原理、掩範本製造與檢測，到IAP技術的工藝優勢與性能資料。

報告指出，NIL技術因其1x掩範本特性，在計量和缺陷控制方面面臨獨特挑戰，但通過專用的檢測工具和工藝最佳化，已逐步滿足量產要求。同時，IAP作為一種與光刻技術無關的平坦化方案，在局部和大範圍平坦化、間隙填充及缺陷控制方面展現出巨大潛力，是先進製程中一項極具前景的新技術。

奈米壓印光刻（NIL）基礎與應用

本章介紹了NIL技術的基本原理及其廣闊的應用前景。

基本原理： 佳能NIL工藝使用透明掩範本和噴射式抗蝕劑，在室溫低壓下將圖案壓印到晶圓上，然後通過紫外光固化。該方法有利於套刻精度最佳化和殘餘層厚度均勻性控制。

應用空間： NIL技術因其圖案靈活性和成本結構，可應用於從VR/AR金屬透鏡（Metalens）、量子計算到3D NAND、DRAM、邏輯晶片（CPU/GPU）等廣泛領域。

性能展示： 展示了FPA-1200 NZ2C裝置在5nm節點的性能，其套刻精度（m+3σ）在最佳晶圓上可達X方向2.20nm，Y方向2.10nm。

本章深入探討了NIL技術對計量學的特殊要求，核心在於其“1x”掩範本。

1x掩範本挑戰： 與傳統的4x縮小投影光刻不同，NIL的掩範本是1:1圖案，所有關鍵尺寸（CD）、線寬粗糙度（LWR）和圖像 placement（IP）的測量都必須在1x尺度上進行，這對計量精度提出了更高要求。

掩範本製造： 主掩範本（Master Mask）通過電子束寫入、顯影、刻蝕等標準流程製造。報告顯示，主掩範本的CD均勻性（CDU）可控制在0.44nm（3σ）以內，圖像 placement（IP）精度可達0.91nm（3σ）。

掩範本複製： 由於壓印過程會損傷掩範本，需要複製掩範本（Replica Mask）。佳能的FPA-1100NR2複製工具可實現每小時4片的產能，複製掩範本的CDU為0.8nm（3σ），IP精度為1.0nm（3σ）。

檢測： 電子束檢測解析度高但速度太慢；光學檢測速度快但解析度不足。NuFlare開發的NX-8000專用檢測工具在SIRIUS模式下可實現15nm的缺陷靈敏度。

修復： 使用Zeiss（原Nawotec）的電子束修復系統，可進行減材（刻蝕）和增材（沉積）修復。

本章分析了NIL工藝中的兩類主要缺陷。

隨機缺陷（Random Defects）： 主要來源是填充不全（non-fill）和特徵坍塌（feature collapse）。資料顯示，其缺陷密度已能滿足3D NAND量產水平。

重複缺陷（Repeater Defects）： 主要由顆粒引起。目標是每2500片晶圓產生一個缺陷，該目標已在多個機台上實現。掩範本壽命可達80個批次（Lot）。

本章介紹了與NIL技術同源的IAP技術，用於解決晶圓表面的形貌問題。

技術原理： IAP使用噴墨技術在整片晶圓上噴射可固化材料，再用玻璃壓板壓平並紫外固化，從而實現全晶圓範圍的平坦化。

技術優勢： 相比傳統的步進重複式NIL，IAP具有更高的吞吐量，避免了場拼接（field stitching）問題，並能將重複缺陷的影響降至最低（每個缺陷僅在晶圓上出現一次）。

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