分享佳能於2026年發表的技術演示，介紹了佳能的奈米壓印光刻（NIL）和噴墨自適應平坦化（IAP）技術，重點闡述了這兩種技術在計量、缺陷控制和工藝性能方面面臨的獨特挑戰與解決方案，內容涵蓋了從NIL基本原理、掩範本製造與檢測，到IAP技術的工藝優勢與性能資料。 報告指出，NIL技術因其1x掩範本特性，在計量和缺陷控制方面面臨獨特挑戰，但通過專用的檢測工具和工藝最佳化，已逐步滿足量產要求。同時，IAP作為一種與光刻技術無關的平坦化方案，在局部和大範圍平坦化、間隙填充及缺陷控制方面展現出巨大潛力，是先進製程中一項極具前景的新技術。 報告主要內容 奈米壓印光刻（NIL）基礎與應用

2023 年 10 月，佳能發佈了一台很不像光刻機的光刻機。它沒有 EUV 那套錫滴、雷射、真空腔和蔡司反射鏡，也不靠鏡頭把電路圖案縮小投到晶圓上。它的辦法更直接，把刻好電路圖案的石英模具壓到晶圓表面的樹脂上，再用紫外光固化，揭開模具，圖案就留在了晶圓上。 像蓋章。 這台機器叫 FPA-1200NZ2C，佳能把它歸入奈米壓印光刻。嚴格說，它沒有擺脫所有光，因為樹脂固化還要用紫外光；它擺脫的是傳統投影曝光裡的光源、透鏡和縮小成像。EUV 要先造出 13.5 奈米極紫外光，再用一組反射鏡把圖案轉移過去。奈米壓印繞開了這條路，模具上是什麼尺寸，晶圓上就儘量複製什麼尺寸，中間少了一套昂貴的光學系統。 佳能官方說，FPA-1200NZ2C 可以形成最小 14 奈米線寬圖案，相當於現有 5 奈米節點邏輯晶片製造所需水平。如果繼續改進掩模，未來有望做到 10 奈米線寬，對應 2 奈米節點。DNP 也說，在佳能、Kioxia 和 DNP 的合作開發中，奈米壓印可把曝光環節功耗降到傳統方法約十分之一。對於一台 EUV 機器動輒上億美元、整套工藝耗電驚人的行業來說，這個路線當然有吸引力。