美國投資銀行高盛(Goldman Sachs)8月24日發佈的一份研究報告指出,儘管光刻裝置仍是制約中國半導體完全自主的最薄弱環節,但中國大陸晶圓代工廠的快速擴產正推動先進晶片供需缺口在未來十年內大幅縮小。
報告預測,2025年至2035年間,採用7奈米及以下先進製程的晶圓供給將以46% 的復合年增長率擴張,遠超同期國內需求17% 的增長預期。這一增速將推動中國先進製程晶圓月產能從當前水平增長至41萬片,而同期國內需求預計為61.9萬片,供需缺口將從2025年的92% 縮小至34%。
高盛模型假設中國最大晶圓代工廠中芯國際(SMIC)在2026至2031年間每年新增3萬至5萬片先進節點晶圓月產能,此後至2035年每年再增2萬片。同時假設其先進製程良率從2026年的23% 提升至2030年的50%,並在2035年達到75%。作為參照,全球晶圓代工龍頭台積電(TSMC)自2018年量產7奈米晶片以來,根據晶片設計和裸片尺寸不同,良率可超過90%。
報告指出,中國晶片自給率按產量計已在2026年6月達到約70%,而2010年1月僅為38%;但按產值衡量,自給率的缺口仍遠大於產量資料。