🔷從See-Through Imaging到Contour-Based EPE，突破先進3D器件深層量測瓶頸 🔷融合SEM Simulation與AI演算法，加速先進製程Time to Yield 隨著GAA、3D DRAM、3D NAND以及High-NA EUV不斷向前推進，先進製程正在進入一個前所未有的複雜時代。 小編在看完Applied Materials這份最新報告後發現，真正決定先進晶片能否快速量產的，已經不只是工藝能不能做出來，而是能否更快發現缺陷、定位良率根因，並完成工藝閉環。