前幾篇文章分別寫了記憶體是什麼、過去幾輪周期如何形成，以及供需為什麼會反覆失衡。這一篇開始，會進入對於全球記憶體產業鏈和各環節競爭格局的解讀。

記憶體產業鏈各環節公司都受到全球資料需求和記憶體產業變化的影響，但收入來源、成本結構和核心競爭力卻截然不同。因此，判斷一家記憶體公司，第一步是確認它位於產業鏈那一類價值環節，向誰採購，又把什麼產品賣給誰。

本文會將全球記憶體產業拆成六個環節，從DRAM等底層記憶體介質開始，再沿著記憶體專用裝置、封測、控製器、模組和資料系統逐層向下，建立一張可以用於後續公司研究和投資分析的全球記憶體產業地圖。同步也會把全球66家核心公司放到各自合適的位置（本文先呈現按產業鏈環節分佈的公司全景圖，後續文章會發按國家/地區分佈的同批公司圖譜，從地緣視角再做一層拆解）。

全球記憶體產業可以拆成那六類價值環節？

從一片記憶體晶圓到企業可以直接使用的資料基礎設施，中間涉及晶片製造、封裝測試、資料控制、產品整合、管道流通和系統部署。市場通常把這些企業統稱為“記憶體公司”，但它們創造價值和獲得收入的方式差異很大。更準確的做法，是將全球記憶體產業拆成六類相互連接、又並非嚴格線性排列的價值環節。

第一類公司為DRAM、NAND和HBM製造提供專用裝置、測試工具和封裝測試服務。

在晶圓製造前道工藝中，Lam Research（泛林集團）和中微公司參與3D NAND高深寬比刻蝕等關鍵工藝。進入HBM以後，Hanmi Semiconductor（韓美半導體）提供熱壓鍵合裝置，幫助原廠完成多層DRAM裸片的精確堆疊。

晶片完成製造後，還需要經過測試和封裝。Advantest（愛德萬）提供自動測試裝置，FormFactor提供探針卡。Powertech Technology（力成科技）、ChipMOS（南茂科技）、Hana Micron、SFA Semicon和深科技等公司則直接營運封裝測試產線。

裝置公司銷售生產和測試工具，封測公司提供加工服務。它們都不直接生產記憶體容量，收入主要來自原廠和封測廠的資本投入、工藝升級及實際加工需求。

第二類公司直接生產底層記憶體容量，也是整個產業中行業集中度最高的環節。

DRAM主要承擔計算裝置運行過程中的資料暫存，HBM是面向高頻寬計算的高端DRAM產品。NAND用於SSD、手機記憶體和嵌入式產品。HDD通過磁性盤片提供低成本的大容量記憶體。NOR、EEPROM、SRAM和PSRAM則覆蓋程式碼記憶體、工業控制及其他利基應用。

三星電子、SK海力士、美光、長鑫記憶體、長江記憶體、鎧俠、閃迪、西部資料和希捷科技等公司位於這一層。它們直接決定市場能夠獲得多少DRAM、NAND和HDD容量，也承擔製程研發、產能建設、良率提升和產品遷移所需的長期投入。

記憶體顆粒需要通過控制和連接晶片，才能穩定地接入電腦、伺服器和其他計算系統。

群聯電子、慧榮科技、聯芸科技、Marvell（邁威爾）和FADU等公司提供SSD Controller，即固態硬碟控製器。控製器負責管理NAND讀寫、糾錯、壽命和主機通訊，並與韌體共同決定SSD的性能與可靠性。

瀾起科技、Rambus和Astera Labs則進入伺服器記憶體介面和CXL記憶體擴展領域。它們不生產DRAM顆粒，主要解決處理器、記憶體模組和外部記憶體裝置之間的訊號傳輸、協議轉換與資源連接。

這一環節的主要壁壘來自晶片設計、韌體和協議能力，以及進入處理器平台、記憶體原廠和伺服器客戶供應鏈所需的長期認證。

記憶體顆粒還需要被做成標準化或定製化產品，才能進入電腦、伺服器、汽車和工業裝置。模組和產品公司把DRAM、NAND、控製器及其他晶片組合成記憶體條、SSD和嵌入式記憶體。

三星、美光等原廠擁有自有記憶體模組、SSD和嵌入式記憶體產品。Kingston（金士頓）、SMART Modular、江波龍、佰維記憶體、宜鼎國際和宇瞻科技等獨立廠商，則從原廠採購DRAM或NAND，並通過產品設計、韌體適配、測試驗證和客戶認證建立業務。

同屬這一環節的公司，市場定位也可能完全不同。部分企業依靠消費品牌和全球管道銷售標準產品，部分企業服務工業、汽車和伺服器客戶，還有一些企業正在向CXL記憶體模組等新形態延伸。

分銷商連接記憶體原廠、模組公司和下游裝置客戶。它們通過原廠授權獲得貨源，再完成客戶覆蓋、訂單整合、庫存管理、物流交付和帳期服務。分銷商通常不擁有記憶體晶圓廠，也不一定生產最終產品，核心能力在於能否獲得穩定貨源，並把原廠的大批次供應轉化為面向大量客戶的交付能力。同時需要承擔部分庫存和價格風險。

香農芯創是A股市場中記憶體業務佔比較高的該環節代表公司。與消費電子零售管道相比，授權分銷主要流通DRAM、NAND等晶片和元器件，下遊客戶更多是模組企業、伺服器廠商和電子裝置公司。

記憶體產業繼續向下游延伸後，底層介質會被整合成企業記憶體系統和雲端記憶體服務。

Dell、NetApp和Everpure等公司將SSD、HDD、控製器、網路連線和資料管理軟體組合成企業記憶體系統。Quantum側重檔案、對象和歸檔記憶體。Backblaze以及大型雲平台則進一步把記憶體容量轉化為按容量和使用量計費的雲對象記憶體服務。

這一環節的收入不僅來自硬體，還可能包括軟體、訂閱、維運和資料管理服務。底層DRAM、SSD和HDD仍然重要，但已經只是完整系統中的一部分。

*註：不同資料來源統計口徑及結果不同，僅供參考

由此可以看到，所謂“記憶體公司”至少覆蓋六種完全不同的產業身份。底層原廠出售記憶體容量，裝置和封測公司服務製造過程，控製器和介面公司提供資料管理與連接能力，模組公司完成產品整合，分銷商負責貨物流通，企業系統和雲平台則將記憶體容量轉化為資料基礎設施。理解公司所在的價值環節，是我們之後進一步做產業追蹤、公司分析和投資價值分析的起點。

全球底層記憶體介質由誰供應？

整體來看，DRAM、HBM和HDD由少數企業控制，NAND形成多個公司主體並存的格局，但實際製造體系又比企業數量更集中。NOR和其他利基型記憶體市場能夠容納更多專業廠商，MRAM與ReRAM等新型記憶體則仍處於較早的商業化階段。這些底層原廠通過晶圓投片、技術遷移、良率提升和產品分配，直接影響全球能夠獲得多少可交付記憶體容量。

2026年第一季度，全球DRAM行業收入約970億美元。按收入份額計算，三星電子約佔全球DRAM市場的38%，SK海力士約佔29%，美光約佔22%，三家公司合計達到89%。長鑫記憶體約佔8%，南亞科技約佔2%。

三星、SK海力士和美光均已覆蓋伺服器DDR、移動LPDDR、圖形GDDR和HBM等主要DRAM產品。三家公司擁有全球客戶基礎和大規模晶圓產能，也能夠根據不同產品的需求、價格和技術進度調整研發及產能投入。這三家企業構成了全球DRAM供給的核心。伺服器、手機、個人電腦和AI加速器所使用的不同DRAM產品，絕大部分都來自同一組原廠。

長鑫記憶體已經成為三大原廠之外最值得關注的新增供應商。公司公開產品已經覆蓋DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X。其全球DRAM收入份額由2025年第一季度約3%提升至2026年第一季度約8%，已經具備影響標準DRAM供需的規模。

但長鑫當前的產品結構仍與三大原廠存在明顯差異。三星、SK海力士和美光同時參與DDR、LPDDR、GDDR和HBM市場，長鑫目前公開商業產品主要集中於DDR和LPDDR。

因此，長鑫現階段的產業影響更多體現為標準DRAM供應增加。全球DRAM市場仍由三大綜合原廠主導，但原有三強之外，已經出現了一個具備規模影響力的第四家供應商。

HBM本質上屬於DRAM，其收入已經包含在整體DRAM市場統計中，所以不能把HBM市場規模與DRAM市場規模直接相加。如果單獨來看，美國銀行預計，2026年全球HBM市場規模將達到546億美元，同比增長58%。成為DRAM產業中價值量最高、競爭最受關注的細分產品之一。

2026年第一季度，SK海力士按收入計算約佔全球HBM市場的58%，三星電子和美光分別約佔21%。當前主流商業HBM供應仍全部來自這三家DRAM原廠。

這一排名與整體DRAM市場並不相同。三星在整體DRAM收入中排名第一，SK海力士在HBM市場保持領先，美光在HBM市場中的收入份額也明顯高於其整體DRAM份額。由此可以看到，整體DRAM規模並不能直接代表一家原廠在高端AI記憶體中的競爭位置。

傳統DDR競爭的核心主要集中在製程、良率、單位bit成本和大規模供貨。HBM在此基礎上增加了裸片篩選、TSV、堆疊、鍵合、測試、先進封裝和客戶認證等環節。原廠首先需要生產合格的DRAM Die，即未經封裝的裸片，再把多顆裸片堆疊成完整HBM產品。隨著堆疊層數增加，裸片質量、對位精度和封裝良率都會影響最終能夠交付的產品數量和成本。

HBM對晶圓資源的消耗也高於普通DRAM。隨著原廠把更多晶圓和封裝能力轉向HBM，標準DDR和LPDDR能夠獲得的有效供給也會受到影響。AI需求因此可以通過HBM進一步改變整個DRAM市場。

因此，HBM雖然仍由三家DRAM原廠供應，但其競爭單位已經從單純的DRAM晶圓製造，延伸到晶圓製造、堆疊封裝和客戶協同組成的完整交付能力。長鑫目前暫時沒有大批次製造HBM的能力。

2026年第一季度，全球NAND收入達到460億美元。按收入份額計算，三星電子約佔全球NAND市場的29%，SK海力士體系約佔18%，鎧俠約佔14%，美光、閃迪和長江記憶體分別約佔13%。

從公司主體看，全球NAND已經形成六家主要供應商。但企業數量並不等於六套完全獨立的晶圓製造體系。SK海力士的市場份額統計通常包含Solidigm。Solidigm承接了英特爾原有NAND和SSD業務，目前重點提供企業級和資料中心SSD。其產品和客戶能力已經併入SK海力士整體NAND體系。鎧俠與閃迪則長期共同開發和製造BiCS 3D NAND。兩家公司擁有獨立品牌和客戶，也共同投資日本的NAND晶圓廠，並按照合作協議取得各自產出。因此，鎧俠和閃迪雖然作為獨立公司參與市場競爭，其部分底層晶圓製造能力來自共同建設的生產體系。所以我們看NAND供應時，既要看各家公司收入份額，也要瞭解其背後的聯合製造關係。

長江記憶體已經成為全球NAND市場的重要供應商。按Counterpoint統計，其2026年第一季度收入份額約為13%，與美光和閃迪處於接近水平。

但收入份額接近，並不意味著各家公司在產品和客戶結構上完全相同。傳統海外原廠在全球資料中心客戶、企業級SSD和高端嵌入式記憶體中積累時間更長，長江記憶體則使全球NAND供給體系增加了一個新的大規模製造主體，後續競爭力還取決於先進層數產品量產、產能擴張、企業SSD認證和海外客戶覆蓋。

整體來看，NAND的公司格局比DRAM更分散，但實際晶圓製造體系受到集團並表和聯合製造關係影響，實際製造主體仍然少於排名顯示的公司數量。

AI時代大容量低成本記憶體仍有獨立位置

全球HDD產業經過長期退出與整合，目前只剩Western Digital（西部資料）、Seagate Technology（希捷科技）和Toshiba（東芝）三家規模化供應商。按2025年出貨量估算，西部資料約佔全球市場的42%，希捷約佔40%，東芝約佔18%。三家公司共同控制了全球HDD的主要供應。

2025年2月，西部資料完成Flash業務分拆。此後，西部資料的核心業務主要對應HDD，原有NAND和SSD業務則由獨立上市的閃迪承接。因此拆分後，現在的西部資料與閃迪已經分別對應兩類不同的底層記憶體介質。

隨著SSD逐漸進入個人電腦、高性能伺服器和企業全快閃記憶體系統，HDD的主要需求開始集中於雲資料中心和Nearline Storage（近線記憶體，即保存容量大、訪問頻率相對較低的資料），以及長期歸檔和備份。

AI和雲資料增長同時擴大了高性能記憶體與低成本容量需求。需要頻繁訪問和快速處理的資料更適合放在企業級SSD中，大量低頻資料仍然更關注每TB成本，繼續由大容量HDD承擔。

因此，SSD增長並沒有消除HDD的產業位置，而是推動兩種介質形成更加明確的資料分層。HDD市場已經高度集中，西部資料、希捷和東芝繼續控制全球大容量機械記憶體供給。

NOR與利基記憶體容納了更多專業供應商

由於不同機構對序列NOR、平行NOR和部分嵌入式快閃記憶體的統計口徑不同，當前公開市場規模估算大約為30億至50億美元。2024年，全球前三大NOR供應商合計佔市場的63.2%。兆易創新份額約為18.5%，排名全球第二。華邦電子和旺宏電子同樣位於全球前三。

與DRAM和NAND相比，NOR市場的產品規格更分散，單個產品生命周期通常也更長。汽車、工業裝置、通訊基礎設施和消費電子中的控制晶片，往往分別需要不同容量、電壓、封裝和可靠性等級。客戶完成產品設計匯入和驗證以後，更換供應商通常需要重新進行測試，長期認證關係因此成為了重要壁壘。

這種競爭結構降低了晶圓製造規模在全部競爭變數中的重要性，為Fabless設計公司和專業利基記憶體廠商留下了更大空間。

全球利基記憶體市場還包括SLC NAND、EEPROM、SRAM、PSRAM和Specialty DRAM等產品。這些產品規模通常小於主流DRAM和NAND，卻廣泛進入工業控制、汽車電子、通訊裝置和高可靠性應用。

中國大陸已經形成覆蓋多個利基記憶體細分產品的公司群。兆易創新主要覆蓋NOR Flash和部分NAND產品，北京君正進入利基DRAM、SRAM和Flash，東芯股份覆蓋SLC NAND、NOR和DRAM，普冉股份聚焦NOR Flash與EEPROM，恆爍股份覆蓋NOR及部分嵌入式記憶體，聚辰股份則在EEPROM和記憶體配套晶片中佔據位置。

這些公司雖然都可以被歸入“利基記憶體”，實際產品和客戶並不相同。與大宗DRAM和NAND依靠大規模晶圓製造競爭相比，利基記憶體更加依賴細分產品定義、成熟製程、客戶認證和長期供貨能力。

DRAM、NAND和NOR之外，MRAM與ReRAM代表了兩條已經進入商業化的新型非易失性記憶體路線。

MRAM通過磁性狀態保存資料，兼具斷電保存、較高耐久性和較快讀寫速度。Everspin已經形成面向工業、企業裝置和高可靠性場景的商業產品。

ReRAM通過材料電阻狀態變化保存資料，目前更多以IP授權、嵌入式產品驗證和早期客戶匯入為主，Weebit Nano是這一方向的代表公司之一。

兩類技術均已走出純實驗室階段，但產量、收入和應用範圍仍遠小於DRAM、NAND和NOR，現階段還沒有改變主流記憶體介質的市場結構。

將幾類市場放在一起，可以看到全球底層記憶體供給存在多種完全不同的競爭結構。DRAM和HBM由三家綜合原廠主導，HDD只剩三家供應商。NAND擁有更多企業主體，但集團關係和聯合製造降低了實際製造體系的數量。NOR及其他利基記憶體則能夠容納更多專業公司。MRAM和ReRAM仍處於小規模商業化階段。

底層介質高度集中，記憶體技術升級卻在原廠之外創造了更多裝置、測試與封裝需求。之後幾篇會陸續寫產業鏈其他環節。 (清見涵AI產業觀察)

當下，儲存晶片整體量價齊升。作為半導體行業風向標之一，結合頭部廠商最新財報來深度分析，未來儲存行業趨勢將有何變化？景氣市況能否持續？

通過持續減產保價，儲存行業整體狀態正在不斷回升，儲存晶片價格普遍上漲超過10%，頭部廠商營收逐步扭虧為盈。展望全年，行業景氣度持續回升。

廠商營收持續改善。截至目前，全球頭部儲存廠商均已公佈2024Q1財報，得益於市場供需平衡改善，消費、AI等終端需求持續上升，帶動原廠業績快速成長。

具體看，以三星及SK海力士等為代表的頭部儲存原廠營收快速回呼，儲存季度營收規模均超90億美元，穩居前列水平。第二梯隊中，美光、東芝、西部資料及鎧俠等儲存季度營收在20-60億美元區間，業績成長亮眼。第三梯隊中，南亞科、華邦電等台灣廠商營收優於預期，其他如慧榮等主控晶片廠商，威剛、江波龍等領先模組原廠，兆易創新等國產頭部廠商業績也持續得到改善。

資料來源：各公司最新財報及預測、芯八哥整理

行業增長逐步回正。從廠商最新營收增長資料看，2024Q1以佰維儲存、江波龍及德明利等國產原廠增長位居前列，頭部廠商中SK海力士同比增長144.29%，三星、美光等營收持續回正；淨利潤增長方面，威剛為代表模組廠商盈利改善明顯，三星、SK海力士、美光及西部資料等頭部原廠扭虧為盈，為儲存市場釋放出了良好訊號。

從行業頭部原廠平均營收及及利潤增長走勢看，2024Q1行業觸底回升態勢明顯。

全球上市儲存廠商營收及淨利潤平均增長情況

廠商利潤扭虧為盈。從廠商毛利及淨利情況看，國產廠商效益利多明顯，如瀾起科技等持續受益於AI端應用增長，普冉EEPROM出貨量持續改善，兆易創新客戶提貨意願明顯提高，江波龍毛利率創歷史新高。台灣廠商中，利基儲存龍頭華邦電及旺宏毛利改善明顯，威剛等模組廠商利潤回升明顯。頭部原廠中，三星表示24Q1記憶體業務在連續4個季度虧損後首次恢復盈利，SK海力士利潤持續大幅改善（NAND扭虧為盈），美光毛利表現和未來指引均大超預期。總的來看，國產儲存原廠利潤增長遠超全球平均水平，頭部儲存原廠實現盈利，顯示當前儲存行業上升態勢明顯。

綜上，從營收規模看，三星、SK海力士及美光等三巨頭體量“遙遙領先”，行業頭部集中態勢明顯；業績增長方面，佰維儲存、江波龍及德明利等國產原廠增長明顯，考慮廠商規模看，三星、SK海力士及美光位居前列；從利潤水平看，SK海力士及三星等龍頭廠商優勢明顯，瀾起科技等國產廠商增長勢頭良好。

從廠商庫存走勢看，2023Q1以來儲存行業庫存持續下降，2024Q1受行業需求增長備貨有所增加，庫存小幅回升。SK海力士2024Q1庫存環比變化不大；美光庫存84億美元，環比基本持平。

最新主要儲存廠商存貨周轉天數變化（單位：天）

資料來源：Wind、各公司年報、芯八哥整理

芯八哥分析，儲存原廠經歷了2023年減產去庫存，當前部分產品庫存達到相對健康水平。但相較於行業90-110天左右的常規庫存水平，當前庫存水位仍較高，需要相關從業人員在實際交易中謹慎評估。

最新全球主要儲存廠商平均存貨周轉天數指數走勢

從國內外頭部原廠對比看，以兆易創新為代表的國產廠商在通用消費、智能家居等中低端市場佔比較高，庫存相較於三星等頭部原廠水平較高。

頭部儲存廠商和中國廠商庫存走勢情況對比

綜上，當前儲存晶片行業景氣度逐步回升，但Q1庫存受需求影響有所波動。

從儲存交貨周期看，除部分AI用儲存產品外，大部分都處於正常供應態勢。價格端看，原廠價格持續上升。其中，美光預計2024年DRAM和NAND定價進一步上漲；SK海力士上半年DRAM和NAND價格分別環比上升超20%和30%；三星預計下半年整體價格仍將上漲。

資料來源：各公司財報、富昌電子、艾睿、芯八哥整理

結合Wind資料顯示，2024年初以來，頭部儲存供應商通過強勢減產控價，推動產品進入漲價周期。芯八哥結合相關機構預測看，儲存晶片在二季度仍會延續漲價趨勢。其中，兆易創新表示，2023H2主流DRAM上漲經過1-2個季度的傳導，2024Q1利基DRAM價格溫和上漲，展望2024Q2-Q3價格持續溫和上漲。

總的來看，考慮到目前原廠最新財報跨過盈虧平衡點，因此漲價或將持續一段時間以提高盈利能力。

就當前原廠的訂單及未來預期看，當前儲存市場需求呈現逐步復甦態勢，AI、汽車維持快速增長，消費類需求改善明顯，2024年全年發展預期維持樂觀。從廠商發展重點看，隨著行業供需關係大幅改善，儲存原廠增加資本支出主要用於偏先進產品擴產。其中，SK海力士2024年微弱增加資本支出並主要用於高價值產品擴產，計畫TSV產能翻倍，擴大256GB DDR5、16-24GB LPDDR5T等供應，並拓展移動模組如LPCAMM2和AI伺服器模組如MCR DIMM等產品矩陣；三星繼續增加HBM、1βnm DDR5、QLC SSD等的供應。

資料來源：各公司財報、芯八哥整理

值得關注的是，近期三星、SK海力士正加大對HBM、DDR5 等高端產品投入，計畫逐步退出DDR3等市場。作為DDR3主要供應商，產能調整對於終端供應及價格影響較大。

目前DDR3等產品價格仍處於歷史絕對底部，芯八哥認為，隨著DDR3供應縮減，下半年漲價預期值得重點關注。

長遠看，隨著三星、SK海力士及美光等頭部廠商加速擴產HBM等高端應用品類，國產廠商在DDR3等中低端市場替代潛力巨大。從量產進展看，包括兆易創新及北京君正等均實現了規模出貨，在DDR3產品性能比肩海外廠商，但料號數量方面仍有差距。

綜上，作為全球半導體產業風向標之一的儲存晶片，在2024年上半年仍維持向好趨勢，價格逐步回升，但庫存仍有小幅波動。從儲存行業周期來看，其通常遵循 3-4 年為一個波動周期，經歷去年至暗時刻之後，以及在台灣省花蓮地區的地震後，管道及下遊客戶逐步接受上游漲價，量價齊升，交易景氣度回熱明顯，預計今年儲存器行情大機率將重回上升通道。

2024年全球儲存晶片產業重回上升周期

從全年預期看，儲存維持高增長預期，DRAM和NAND Flash合約價持續上漲。芯八哥建議，重點關注DDR3市場供需變化，兆易創新等國產廠商利多明顯。 (芯八哥)

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全球記憶體產業鏈全景圖：66家核心公司，分別在產業鏈的什麼位置？競爭格局如何？

最新全球儲存廠商業績大PK及行情預判