2026年9月20日，長鑫記憶體在世界製造業大會上正式宣佈第五代DRAM技術平台（以下簡稱“G5平台”）實現量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫記憶體在高端記憶體技術路線上的里程碑式突破，將為全球記憶體產業提供更具創新性、更具供應鏈韌性的解決方案選擇。

G5平台在關鍵工藝維度實現了多項行業領先的技術突破。依託創新的四重曝光技術把記憶體陣列的有源區半間距微縮至11.95奈米，接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程。通過變革工藝流程、採用新材料，記憶體電容深寬比達45:1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762奈米。

研發過程中，長鑫記憶體在現有工藝模組的基礎上，創造了獨特的數字孿生系統，貫穿包括設計、開發、製造、維護等全生命周期的產品研發過程，在這一虛擬研發線中，搭建先進DRAM工藝模型，加速研發處理程序。同時，在介面工程、鞍形鰭式結構、低k間隔層位線等核心工藝上實現突破。

G5微縮工藝的突破推動記憶體密度實現跨越式提升：每片晶圓產出裸片數量較第四代平台提升至少50%*，在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。

本次大會同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496Ball、245Ball封裝規格，可適配中高端智慧型手機、可攜式消費電子等不同場景需求，目前均已進入規模量產階段。

長鑫記憶體表示，未來將持續面向全球市場需求推進技術迭代，推出更高性能、更高可靠性的記憶體產品，為全球數字產業發展提供堅實的底層記憶體支撐。 (半導體芯聞)

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剛剛，長鑫宣佈，實現微縮工藝新突破