🔷當電晶體尺寸縮放逼近極限，應變工程成為提升晶片性能的關鍵技術路徑 🔷從晶格調控到器件增強，揭秘SiGe、Si:C如何突破MOSFET性能瓶頸 當晶片製程不斷逼近物理極限，單純依靠電晶體尺寸縮小已經越來越難以帶來性能躍升。那麼，下一代晶片性能提升的突破口在那裡？ 最近深入研究這份關於應變矽MOSFET（Strained Silicon MOSFET）技術的資料後，我發現一個非常關鍵的趨勢：先進電晶體的競爭，正在從“尺寸微縮”轉向“材料工程與結構創新”。