SK海力士CEO預警：2027年將現史上最嚴重儲存晶片短缺，緊缺或將延續至2030年後

2026年7月10日，SK海力士CEO郭魯正發佈重磅預判：全球儲存晶片行業將在2027年遭遇史上最嚴峻的供應短缺，市場需求持續大於產能的局面，將一直延續至2030年之後。

該預警發佈當日，正是SK海力士美國存托憑證（ADR）於納斯達克交易所正式掛牌交易的首日。（史上第二大IPO，來了！（附PPT））

2026 年 7 月 10 日，美國紐約，儲存晶片企業 SK 海力士 CEO 郭魯正出席公司納斯達克上市敲鐘儀式並做出手勢。

史上最嚴重的供應短缺即將到來：郭魯正認為，全球儲存晶片行業將在 2027 年迎來極其嚴重的供不應求局面。

供需失衡將呈長期化趨勢：客戶對儲存晶片的需求極為強勁，這種需求超過公司產能的局面並不僅僅是短期波動，而是將一直持續到 2030 年之後。

下遊客戶正陷入“焦慮”並搶佔產能：由於對長期短缺的擔憂，下遊客戶為了保障自身供應鏈安全，正在密集且積極地與 SK 海力士簽署長期供貨合同（LTA）。

1. 關於2027年最嚴重短缺與長期供需失衡

"The global memory chip industry will face the 'most severe supply shortage in history' in 2027, and the situation where customer demand exceeds our capacity will persist until after 2030."(“全球儲存晶片行業將在 2027 年迎來‘史上最嚴重的供應短缺’，客戶需求超過公司產能的局面將持續到 2030 年之後。”)

"Customers are aggressively signing long-term supply contracts because they believe the shortage will last for a longer period."(“客戶正在密集簽署長期供貨合同，因為他們相信短缺會持續更長時間。”)

1、晶圓缺口超20%，暫無快速解決方案

本輪短缺的核心問題清晰明確，但破解難度極大。

SK集團會長崔泰源早在2026年3月就指出，全球晶圓結構性缺口已超20%。

他同時預警，半導體產能擴張周期長達數年而非數月，這一供需缺口在2030年前無法填補。

面對行業困境，SK海力士推出大規模擴產計畫：未來五年，公司計畫將儲存晶圓產能翻倍，同時積極評估赴美新建晶片製造工廠的可行性。

本輪短缺的根本誘因正是人工智慧。

AI產業對高頻寬記憶體（HBM）產生了海量剛需，這類專用晶片主要搭配GPU，廣泛應用於AI訓練叢集與推理伺服器，需求近乎無窮無盡。

當前HBM市場由SK海力士、三星電子和美光三家企業壟斷。

行業高度集中的格局意味著，這三大核心供應商之一的高管預判未來數年持續短缺，整個科技產業鏈都需高度重視。

3、擬赴美建設晶圓廠，多地區選址評估中

郭魯正透露，美國是公司未來晶圓代工建廠投資的備選地之一，目前尚未敲定最終方案。

他表示，公司選址將優先考量土地、電力、水資源充足、用工技能成熟且製造成本具備優勢的地區。“只要條件達標，美國、日本、東南亞均在備選範圍。目前一切尚未敲定，我們正在評估各地區的綜合商業優勢。”

SK海力士現有核心廠區位於總部所在地韓國利川、清州，同時正在龍仁市建設大型新廠區。

目前，SK海力士與三星電子均參與了韓國政府的產業規劃，計畫五年內將韓國儲存晶片整體產能翻倍。兩家企業將各自投入400兆韓元（約合2660億美元），在韓國西南部佈局晶片生產基地。

不過該擴產計畫引發了部分投資者擔憂，市場擔心一旦行業周期下行，大規模產能或將讓企業面臨更大經營風險。

在美國市場，SK海力士已投入約40億美元，在印第安納州建設先進晶片封裝工廠；同時斥資100億美元在美佈局AI解決方案公司，打造全新AI增長引擎。

首先，直接影響GPU供貨。與AI企業形成硬體資源競爭。

長期的儲存晶片短缺，將推高各類採購成本，還可能放緩依賴消費級、企業級GPU的公鏈算力增速。

其次，推高全鏈條營運成本。一旦DRAM、HBM因產能緊缺大幅漲價，全行業營運成本將全面攀升。

對於關注納斯達克上市的美光、三星、SK海力士的投資者而言，長期產能稀缺是一把雙刃劍。供給緊張會抬升單顆晶片營收，大幅改善企業利潤空間；但同時會引發下遊客戶牴觸、加速替代技術研發，還可能引來監管審查——關鍵基礎設施高度依賴少數幾家供應商，本身就存在產業風險。

目前，專業投資者重點關注兩大核心動向：SK海力士的五年產能翻倍計畫、美國新工廠建設進度。一旦相關規劃出現延期，本輪晶片短缺危機或將持續至2030年以後。

5、儲存晶片超級緊缺行業解讀問答版

Q1：那家企業高管預警儲存晶片史上最嚴重短缺？給出怎樣的時間預測？

A：SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-jung）在公司納斯達克ADR上市採訪中預警，2027年將迎來儲存晶片史上最嚴重供應短缺；即便公司持續擴產，市場需求高於產能的局面會延續至2030年以後。

Q2：還有那些行業大佬持相同觀點？

A：1. 美光CEO桑賈伊·梅赫羅特拉上月財報會表態，無法預判儲存供應何時追上上漲需求；

2. 輝達黃仁勳同步稱AI儲存短缺將持續數年，SK海力士仍是輝達最大HBM供應商。三家上下游核心企業CEO形成統一緊缺判斷。

Q3：下遊客戶如何應對長期緊缺預期？

A：全球資料中心、終端廠商密集簽訂長期供貨協議，用長單鎖定產能與定價，避險未來供給缺口風險；頭部儲存廠2026年HBM產能已全部提前售罄。

二、SK海力士265億美元美股募資相關問題

Q1：本次募資規模行業地位如何？上市表現怎樣？

A：通過美國存托憑證（ADR）募資265億美元，創下外資企業赴美同類發行最高紀錄；7月10日納斯達克上市首日收漲13.08%。

Q2：大額募資主要用途與戰略目的是什麼？

A：1. 深度繫結美國AI核心客戶，拓展AI高端人才資源；

3. 評估在美國新建儲存晶圓廠，選址需滿足電力、水資源、高端人才硬性標準，目標貼近美國AI產業叢集。

三、本輪儲存緊缺核心根源：AI+ HBM結構性瓶頸

Q1：本輪短缺和以往晶片周期最大區別是什麼？

A：過往儲存緊缺、汽車晶片短缺屬於脈衝式短期錯配需求，產能落地後供需快速反轉；本輪是AI大模型帶來結構性剛性需求，模型參數每翻倍，HBM容量、頻寬需求同步提升，不存在短期回落邏輯。

Q2：HBM是什麼？為何成為AI剛需？

A：HBM（高頻寬記憶體）是專為AI加速器設計的堆疊式儲存，通過TSV矽通孔多層垂直堆疊DRAM；對比DDR5優勢：

1. 頻寬是DDR5十幾倍，上千條資料通道，解決AI訓練“儲存牆”；

2. 輝達H100/H200/B200等AI GPU標配，單顆下一代GPU規劃搭載1TB HBM。

Q3：為什麼不能靠砸錢快速擴產HBM？兩大物理瓶頸是什麼？

A：1. HBM堆疊工藝壁壘高：專用產線、特殊裝置，SK海力士耗時近十年才穩定量產良率；同等容量HBM佔用晶圓面積是普通DRAM的4倍，成本溢價5-6倍；當前僅佔DRAM出貨8%，貢獻30%營收。

2. 台積電CoWoS先進封裝產能卡死：HBM無法直接搭配GPU，必須依靠矽中介層2.5D封裝；2026年底CoWoS產能僅12-14萬片，交付周期超50周，2nm訂單排至2028年，全年產能100%被提前鎖定，裝置端同步產能不足，短期無法擴產。

Q4：為什麼消費級DDR5、手機記憶體同步漲價？

A：三星、SK海力士、美光優先將晶圓產能傾斜至高利潤HBM，分流傳統DDR產線產能，消費電子、PC、汽車終端儲存同步承壓漲價。

四、CEO集體喊缺，是否存在商業敘事成分？

Q1：頭部廠商同步釋放緊缺預警，各自有什麼商業訴求？

A：1. SK海力士：剛完成265億美元大額美股融資，長期緊缺敘事穩定股價、支撐估值，消化市場對AI周期見頂的擔憂；公司近一年股價漲超7倍，2025年利潤翻倍。

2. 美光：財報節點引導市場上調業績預期，強化儲存漲價邏輯。

3. 輝達：維持市場對AI算力長期投入信心，HBM佔GPU成本持續走高，供給越緊張，儲存廠商議價權越強，整條AI產業鏈定價支撐力更強。

Q2：緊缺是完全炒作嗎？參考2021年汽車晶片荒，這次會快速反轉嗎？

A：供給瓶頸真實存在，但企業存在適度放大緊缺預期的商業動機；但不會像2021年汽車晶片荒快速過剩：

汽車晶片是短期訂單錯配，AI HBM是持續擴張的結構性剛需，瑞銀、摩根士丹利一致預判，DRAM行業至少2028年第二季度才有望重回供需平衡。

五、產業鏈應對方案：短期鎖長單，長期佈局替代技術

Q1：下游企業短期該如何應對儲存漲價、產能緊缺？

A：1. 資料中心、AI訓練叢集：提前簽署長期供貨協議，優先鎖定擁有台積電CoWoS配額的晶片廠商貨源；

2. PC、手機、車企：接受硬體成本抬升，或下調終端儲存規格；

3. 行業普遍現象：儲存從普通元器件變為算力戰略資源，採購預算持續上浮。

Q2：中長期有什麼技術路線可以降低對HBM的依賴？

A：核心方向為近存計算（PIM）、存內計算（CIM），將計算單元嵌入儲存晶片，減少資料傳輸頻寬消耗：

1. 日韓原廠：SK海力士、三星推進LPDDR6-PIM商用；

2. 國內進展：後摩智能鴻途H30存算智駕晶片2025年量產；清華、華為、字節推出28nm混合存內計算晶片；

3. 市場規模：2025年全球存算一體晶片市場破120億美元，國內廠商佔30%份額。

Q3：替代技術能完全取代HBM嗎？

A：短期無法完全替代：存算一體當前主要落地邊緣推理、終端AI場景；大模型訓練對精度、通用算力、超高頻寬要求極高，HBM+GPU組合仍是未來數年主流方案；僅垂直行業推理、輕量化裝置可優先佈局替代架構避險成本。

Q：本輪儲存周期核心特徵是什麼？

A：傳統儲存2-3年一輪緊缺-過剩循環被AI打破；供給端HBM工藝、先進封裝雙重產能硬約束，需求端大模型持續擴張形成剛性增量，2027年迎來短缺峰值，緊張周期拉長至2028年後，儲存行業中長期盈利確定性大幅提升。 (芯榜+)

隨著中國晶片行業的快速發展，28nm晶片製造領域迎來了新的變局。

繼中芯國際之後，中國大陸又有一家企業成功進入28nm晶片量產階段，這就是晶合整合。

這則消息無疑讓國產晶片行業為之一振，畢竟28nm雖然不是當今最尖端的工藝，但其市場需求依然龐大。

晶合整合不僅通過了28nm晶片的功能性驗證，還成功點亮了終端產品，進入量產已經指日可待。

說實話，晶合整合這家公司可能很多人並不太熟悉。

成立於2017年，作為一名行業”新人”，晶合整合此前一直在150nm到40nm的工藝上打磨，低調得幾乎沒有存在感。

然而，這次他們在28nm工藝上的突破，徹底改變了這一切。

28nm可不是普通的節點，它是全球晶片製造的分水嶺，尤其是在汽車電子、物聯網等領域，28nm仍然是”香餑餑”。

晶合整合這次攻下28nm的技術壁壘，說明他們的研發實力已經不容小覷。

我們都知道，晶片製造從來不是一個輕鬆的行業，投入高、技術難度大、周期長。

而晶合整合能夠在短短幾年內取得這樣的成績，離不開國家政策的扶持和資本的注入。

據瞭解，晶合整合從創業初期就獲得了大量資金支援，這為他們的技術研發提供了堅實基礎。

很多人可能會疑問，28nm技術都已經是”上個時代”的工藝了，為什麼還值得關注？確實，台積電、三星這些國際巨頭早已衝刺到了3nm、2nm的賽道，但別忘了，28nm工藝依然佔據著全球75%以上的市場份額。

尤其是在一些不需要高性能但追求成本效益的領域，比如車規級晶片、家電控制晶片、工業裝置晶片等，28nm依然是主流選擇。

對於中國企業來說，28nm的突破不僅意味著技術上的進步，更是市場機會的到來。

全球晶片短缺的情況下，擁有28nm晶片的量產能力，晶合整合無疑能夠分得一杯羹。

而且，28nm技術相對來說成熟度更高，良品率也更有保障，這對企業的盈利能力和市場競爭力都是巨大的加分項。

晶合整合的28nm突破，雖然讓人振奮，但我們也不能忽視前方的挑戰。

中國晶片產業，尤其是高端晶片製造，依然與全球頂尖企業有著不小的差距。

比如台積電和三星已經在3nm製程上實現了量產，而中國企業距離這一目標還有一段路要走。

28nm的突破固然重要，但更為關鍵的是，中國晶片廠商如何在更先進的製程上實現追趕。

晶片製造是一項複雜的系統工程，涉及到設計、製造、封裝、測試等多個環節，而每個環節都需要頂尖的人才和高額的資金投入。

晶合整合在28nm上的成功，正是全產業鏈協同發展的結果。

未來，如何進一步提升自主研發能力，完善晶片產業鏈，培養並吸引更多的頂尖人才，將是國產晶片能否真正崛起的關鍵。

如今半導體行業的全球分工越來越精細，設計、製造、封測等環節被不同的企業和國家所掌握。

像蘋果、高通等公司已經採用了Fabless模式，它們專注於晶片設計，而製造則交給台積電、三星等代工廠完成。

中國企業能否在這場全球分工中找到自己的位置，實現彎道超車，也是未來需要思考的方向。

晶合整合的28nm突破給了我們一個啟示：只要找準市場需求，集中力量攻克關鍵技術，國產晶片完全有能力在某些領域實現突破。

而且，隨著國產晶片在28nm上的量產，未來中國企業在晶片製造的成本控制、良品率提升等方面將有更多經驗積累，這將為更先進製程的研發打下堅實基礎。

晶合整合作為中國大陸第二家能夠製造28nm晶片的廠商，給整個國產晶片行業注入了新的活力。

這不僅是技術上的突破，更是國產晶片在全球市場中逐漸站穩腳跟的體現。

雖然與台積電、三星等國際巨頭相比，中國企業仍然有差距，但晶合整合的成功證明了我們在晶片製造領域的潛力巨大。

國產晶片的崛起是一個長期的過程，需要全產業鏈的共同努力。

晶合整合的逆襲之路讓我們看到，只要堅持不懈，國產晶片在未來完全有能力實現更大的突破。

希望在不久的將來，能有更多的國產晶片企業嶄露頭角，為中國科技創新貢獻力量。    (職著而已)

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