最近長鑫科技上市吸引了大量網友的眼光，大家都驚嘆國產記憶體的發展速度，但是很多人不知道的是三星、SK海力士這兩家韓國巨頭長期圍堵長鑫等國產記憶體廠商。

2019年長鑫剛剛實現DRAM記憶體的量產，三星、SK海力士就同時宣佈擴產通用DDR4記憶體顆粒，導致全球記憶體價格暴跌。

而長鑫因為剛實現量產，在良品率、規模、成本方面都不及韓企，因此出現了持續虧損現象。

在記憶體晶片歷史上，韓國巨頭曾多次使用“逆周期擴產降價”的策略，把德國奇夢達、日本爾必達這類對手逼至破產。

好在長鑫背靠國家隊，有著充足的資金支援，才最終扛了過來。

而當長鑫技術迭代、產能提升後，這些韓國巨頭又通過長期鎖價、優先供貨的方式繫結蘋果、輝達、微軟、Meta等頭部企業，阻止國產記憶體進入其產業鏈中。

三星、SK海力士在DRAM、DDR、HBM領域擁有數十萬核心專利，覆蓋了電容結構、刻蝕、堆疊、訊號傳輸。

不過它們並沒有直接起訴中國記憶體廠商，而是向全球的記憶體模組、PC、手機、伺服器廠商發了一個所謂的專利風險告知，試圖阻止這些企業與長鑫合作。

三星、SK海力士還壟斷了HBM、TSV矽通孔專利，這些是AI晶片的核心配套，但是它們拒絕專利交叉授權，試圖完全封鎖HBM技術。

更為過分的是，三星、SK海力士多次聯合美光向美國國會、韓國政府提案，推動更嚴苛的對華半導體管制，試圖切斷長鑫裝置、材料進口管道，延緩國產記憶體擴產與技術迭代速度。

只要沒有ASML先進的浸沒式DUV光刻機、泛林集團先進的刻蝕機、東京電子優質的刻蝕介質，中國記憶體廠商就無法實現12nm等級1α/1β節點，也就造不出下一代先進LPDDR6移動記憶體。

但是，就在今年8月，長鑫記憶體一紙公告徹底改變了移動記憶體的競爭格局。

長鑫記憶體宣佈：下一代低功耗移動記憶體晶片 LPDDR6 的研發與樣品驗證已打通收尾，設定速率直接拉到12800Mbps，預計 2026 年下半年全球首發並量產匯入！

記憶體產業鏈人士透露，今年3月時，長鑫就將LPDDR6樣品送至國核心心客戶，並計畫在2026年下半年實現量產。

有意思的是，韓國巨頭三星、SK海力士也計畫在2026年下半年量產LPDDR6。

如此看來，今年下半年在移動記憶體領域，國產廠商就可以追平海外巨頭了。

不要小看LPDDR6，它可不是簡單的移動記憶體晶片，其擁有出色的架構、性能、極低的功耗，比上一代主流的LPDDR5X提升了近50%，單位位元資料傳輸的能耗還降低了20%~30%。

這意味著LPDDR6不僅能搭載在智慧型手機、平板電腦、汽車電子等移動平台上，還能夠進入端側AI、資料中心領域。

長鑫量產後，可以進一步減小我們在AI基礎設施中與海外的差距，促進國產AI的快速發展。

先進記憶體的市場格局已經要變天了，國產晶片要打破海外巨頭的壟斷定價權，國內AI終端、資料中心也有了底氣，再也不擔心被海外廠商惡意漲價了。

中國記憶體在缺少核心裝置、先進材料、專利壟斷的情況下的突破，是極為韌性的，而那些曾經信誓旦旦寫下禁令的人，也許該好好品味一下，什麼叫“封鎖了個寂寞”。 (科技銘程)

7月29日，SK海力士公佈2026年第二季度財報。據披露，公司Q2營收79.3187萬億韓元，同比增長257%；營業利潤60.5426萬億韓元，同比增長557%；營業利潤率達到76%，三項指標均創公司季度紀錄。公司上半年累計營收達到131.895萬億韓元，已經超過2025年全年97.1467萬億韓元的營收規模。

機構此前預測SK海力士會達到84.17萬億韓元營收和約64萬億韓元營業利潤，目前其雖增長曲線表現突出，卻仍未達到該預測。

資料顯示，公司Q2營收為79.3187萬億韓元，淨利潤升至93.9226萬億韓元，但其中包含63.3萬億韓元投資資產收益，分析師認為主要與鎧俠權益處置有關。觀察SK海力士當前的經營質量，淨利潤同比增幅的參考價值有限，觀察營業利潤、產品價格、現金生成能力會更有參考價值。

財報發佈前的這段時間，SK海力士動作頻繁。2026年7月10日，SK海力士正式在納斯達克上市，募集資金超過260億美元；6月，公司與輝達簽署多年技術合作協議，並向主要客戶送出12層HBM4E樣品。

通過SK海力士的近況，可以得到一個更清晰的行業圖景：隨著客戶提前鎖定供應，AI儲存廠商需要同步解決產品設計、先進封裝、量產良率與巨額擴產。同時SK海力士交出的高利潤財報，也是一份產能、技術和組織能力的壓力測試。

高利潤率仍在上行，HBM競爭已從單品速度擴展到系統交付

本次財報低於機構預測，與高性能記憶體出貨增速不及激進估算，以及部分長期客戶合同提價幅度低於三星有關。不過通用儲存需求突然轉弱的判斷，目前缺少財報資料支援。

SK海力士披露，DRAM和NAND價格均較一季度顯著上漲，HBM、AI伺服器DRAM和企業級SSD成為主要盈利來源。DRAM與NAND價格同步上漲，說明伺服器、企業級儲存和傳統儲存需求仍在吸收有限產能。

營業利潤環比增長61%，營業利潤率由一季度的72%升至76%，價格、產品結構和製造效率仍在共同改善。但其二季度的基本面缺乏“AI儲存需求明顯降溫”的證據。

二季度末，SK海力士現金及現金等價物達到88萬億韓元，較一季度末增加33.6萬億韓元；總債務下降至18.6萬億韓元，淨現金擴大至69.4萬億韓元。該變化為一次性因素，在淨利潤高增的分析中還需要剔除，下一輪擴張大機率會更依賴主營業務持續產生現金。

安迪·格魯夫用“只有偏執狂才能生存”概括科技行業的生存法則。半導體企業的偏執，體現在技術領先期尚未結束時，仍願意投入下一代產品和製造能力。

SK海力士在二季度開始批次出貨HBM4，下半年將進一步擴大產量；HBM4E也已經在上半年完成樣品交付。與輝達的多年合作還將產品協同延伸至Vera Rubin超級計算平台、VeraCPU、個人AI裝置和機器人平台。

目前HBM供應商的職責正從提供標準化儲存顆粒，延伸至共同開發、系統適配和製造協同。驗證週期和封裝複雜度不斷上升，客戶更換供應商也隨之需要承擔更高時間成本。

單純比較HBM頻寬已經難以解釋競爭差異。因為HBM4使用更複雜的基底裸片和封裝工藝的同時，還要處理功耗、散熱、良率與客戶定製。SK海力士5月發佈將冷卻元件嵌入封裝內部的iHBM方案，6月又加強與台積電在下一代HBM和先進封裝領域的合作。技術競爭正在深入材料、熱管理、晶圓製造和系統架構。

長期供貨協議緩和季度波動，也把定價紀律推到台前

SK海力士已與約10家關鍵客戶完成長期供貨協議，也在繼續與其他產業客戶談判。部分協議加入了定金等履約機制，客戶開始提前作出採購承諾，廠商據此安排晶圓、封裝和裝置投入。多年協議提高了訂單能見度，同時也讓儲存產能規劃更加接近於基礎設施行業。

多年合同的穩定性存在成本，長期合同能夠鎖定數量，但可能限制價格快速上漲階段的即時提價空間。路透援引分析師觀點稱，SK海力士對部分長期客戶的提價較三星保守，這也是營業利潤未達到機構預測的原因之一。因為短期減少一部分價格彈性，可以換取客戶關係和產能利用率的穩定，但能否提高完整週期的回報，還要看合同期限、定金比例、最低採購量和成本傳導安排。

多年合同也並不會徹底消除儲存週期。儲存晶片仍然受裝置交付、客戶庫存、終端需求和產能釋放節奏影響。長期協議能夠降低訂單突然消失的風險，卻無法保證每一代產品都擁有相同的利潤率。HBM4進入規模量產後，合同價格、產品良率和先進封裝成本將共同影響利潤彈性。

SK海力士計畫把2026年資本開支提高至40萬億韓元後段，2025年為30.173萬億韓元。公司將加快M15X量產進度，龍仁一期潔淨室計畫於2027年初啟用，P&T7先進封裝設施、M17 NAND基地等項目則會按照客戶需求和投資效率分階段推進。可見其目前資本開支已經快速跟進。

超過260億美元的納斯達克上市融資，以及69.4萬億韓元淨現金，共同為SK海力士提高了擴產安全墊。同時也將其與上一輪儲存擴張的區別體現出來：目前的投入擁有更強的現金支援，並與HBM4、先進封裝、1c DRAM和321層NAND等具體產品繫結。

風險邊界依然清晰：HBM4良率爬坡若偏慢，折舊可能先於收入釋放；頭部雲廠商資本開支若放緩，長期合同之外的增量需求將承壓；行業同時增加晶圓和封裝能力，2027年後的供需關係也可能發生變化。

SK海力士目前雖擁有相對更充足的資金、更長的客戶協議和更早的產品驗證，但資本開支規模越大，產能兌現越需要保持克制。

通用儲存與AI記憶體同步擴張，行業利潤將向全端能力集中

SK海力士正在把增長範圍從HBM拓展至更完整的AI記憶體組合。資料顯示，二季度SOCAMM2銷售顯著增長，基於第六代10納米級1c工藝的產品開始集中出貨；321層NAND已經成為公司產量佔比最高的NAND產品，公司計畫在年底前將其提升至韓國NAND產能的約50%。

SOCAMM2還反映了AI伺服器記憶體架構的變化。SK海力士已在4月開始量產192GB SOCAMM2，該產品採用1c工藝LPDDR5X，面向輝達Vera Rubin平台，希望在提升容量和頻寬的同時降低功耗。AI推理向即時服務、多工處理和長上下文擴展後，伺服器需要的除了加速器附近的高頻寬，還包括更大的系統記憶體和更高效的資料儲存。

HBM負責加速器附近的資料吞吐，SOCAMM2和高容量伺服器DRAM承擔系統記憶體，企業級SSD提供大規模資料儲存，先進封裝連接計算與記憶體。產品線之間的協同不斷增強，SK海力士開始向AI基礎設施綜合供應商延伸，單一儲存器件廠商的邊界隨之淡化。

訓練叢集主要消耗HBM和高容量伺服器DRAM，推理叢集更強調功耗、容量與儲存效率，個人AI和機器人又需要低功耗記憶體，三者側重點各有不同。與輝達多年的合作覆蓋了AI基礎設施、個人AI和物理AI平台，為SK海力士提供了更廣的產品驗證場景。SK海力士如此產品結構有助於降低公司對單一HBM型號的依賴。

同時行業競爭將隨之加重。HBM4之後，DRAM工藝、基底裸片、散熱、封裝、良率和客戶共同設計缺一不可；另外，通用DRAM與NAND還要面對價格週期和新產能競爭。

國內產業鏈擁有通用DRAM國產替代、先進封裝材料和裝置驗證的機會，但收入兌現仍然取決於客戶認證、量產良率與持續訂單。

SK海力士正在嘗試用長期協議降低波動，用全端產品擴大增長來源，用充足現金支撐下一代工藝。若三條路徑能順利銜接，AI儲存的高景氣週期仍有延伸空間；任何一環出現偏差，76%的營業利潤率也會迅速放大經營壓力。

當下的儲存器仍然具有週期屬性，AI沒有消除供給、價格和庫存的波動。只不過行業利潤正向少數具備技術迭代、先進封裝、客戶協同和財務韌性的廠商集中。目前SK海力士已經取得領先，下一階段需要證明，大規模資本開支能夠持續轉化為高品質現金流，並在供應增加後守住盈利能力。

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