隨著 AI 大模型、HBM、Chiplet 高速互連需求爆發，傳統有機 ABF 基板的翹曲、頻寬、熱穩定性短板凸顯，玻璃基板憑藉高剛性、低介電損耗、熱膨脹可控等優勢，成為先進封裝下一代核心載體。而TGV 玻璃通孔金屬化的熱應力失效問題，一直是玻璃基板規模化量產的核心瓶頸。 2026 年 6 月 18 日，英特爾公開全新專利《BOTTOM-UP PLATING OF THROUGH-GLASS VIAS》，創新性推出自下而上電鍍 TGV 整套解決方案，通過可控空氣隙 + 復合緩衝層的雙重應力防護結構，搭配三大可量產工藝路線，從根源攻克玻璃與銅材料 CTE 失配導致的封裝失效難題，為玻璃基板商用落地掃清障礙。 傳統 TGV 工藝採用孔壁全覆蓋種子層、全域電鍍方案，銅金屬與玻璃側壁完全貼合。由於玻璃與銅熱膨脹係數差異極大，裝置冷熱循環工作中，介面會持續累積應力，滋生微裂紋，最終引發斷路失效。英特爾徹底顛覆傳統工藝邏輯，取消 TGV 側壁完整種子層，讓銅金屬從孔底向上定向生長，在側壁形成20-200nm 可控空氣隙，最優區間 40-140nm。該空氣隙為主動設計的應力緩衝結構，可吸收銅熱膨脹形變、切斷環形束縛應力，卸除 80% 以上介面熱應力，且不會影響導體導電性能，大幅提升封裝長期可靠性。 為適配不同封裝場景量產需求，專利配套三大成熟工藝路線，全面覆蓋高低端封裝市場。減法蝕刻 SE 工藝適配成本敏感、線寬容忍度高的通用基板，依託現有 PCB 產線即可生產，成品焊盤呈錐形凹形結構，性價比優勢顯著。改良半加成 mSAP 工藝聚焦高密度細線路、晶片級封裝與高精度 RDL 重布線場景，採用單面種子層不對稱結構，獨有 500-800nm 焊盤根部底切微觀特徵，適配高端精密封裝需求。流動腔體填充工藝專門針對帶嵌入式腔體、整合橋接晶片的復合玻璃基板，通過預填低粘度材料隔離電鍍液，實現 TGV 通孔定向電鍍，保障腔體無銅殘留、表面平整。