#TGV
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近日,韓國先進封裝企業Kools正式對外發佈SPEA(Self‑Propagating Electrode Architecture,自蔓延電極)底部向上填銅新技術,有望破解長期困擾行業的高深徑比TGV通孔電鍍空洞難題,為大板級玻璃基板產業化再添一塊重要拼圖。該技術將於8月27日在韓國水原舉辦的CPO與先進封裝產業論壇做完整公開報告,引發全球算力封裝產業鏈高度關注。 傳統電鍍方案痛點突出,良率長期制約商業化 當前TGV(玻璃通孔)基板最主要的工藝卡點已經不再只是雷射打孔,而是通孔金屬化與填銅環節。傳統的全孔側壁電鍍模式,電流從基板兩端匯入,高深徑比微孔內部電場分佈極不均勻。行業公開測試資料顯示,當通孔深徑比達到20∶1時,常規電鍍方案完整填孔良率普遍僅62%‑71%,孔內容易形成2‑8μm尺寸的空洞缺陷。空洞不僅降低導電性能,在‑55℃~125℃熱循環可靠性測試中,銅與玻璃熱膨脹係數差異還會造成應力集中,經過500次循環後,樣品失效機率可達27%以上。 大板級(600×600mm以上)面板級封裝路線,單塊基板TGV通孔數量可達數十萬顆,只要少量通孔出現填孔不良,整塊基板就會報廢。有測算顯示,如果填孔良率停留在75%附近,玻璃基板綜合製造成本將比傳統有機載板高出120%以上,難以實現商業化落地。長期以來,國內京東方、長信科技、沃格光電、鑫景等企業搭建試點線時,同樣遇到電鍍良率不穩定的共性難題,填銅工藝被視作必須自主攻關的關鍵環節。
SPEA填銅新工藝取得突破,TGV玻璃基板量產良率迎來提升契機
近期,大日本印刷(DNP)、康寧​Corning先後對外披露玻璃通孔(TGV)基板最新研發成果,日本企業中試良率實現階段性躍升,美國材料巨頭髮布CPO玻璃基板行業參考規範,兩項動態引發全球先進封裝產業鏈高度關注。隨著AI算力晶片、共封裝光學(CPO)產品迭代加速,TGV玻璃基板被公認為下一代替代有機樹脂載板的核心方案,海外企業在良率、材料、標準化上持續深耕,也讓京東方、沃格光電、凱盛科技等中國頭部廠商迎來機遇與挑戰並存的產業競速時代。 DNP埼玉中試線良率突破85%,鎖定2028財年量產目標 大日本印刷DNP本周公開埼玉縣久喜工廠TGV玻璃芯基板中試線最新良率資料:針對0.3‑0.5 mm厚度無鹼硼矽玻璃基板,TGV通孔加工綜合良率已經穩定突破85%,厚300 μm基板單塊基板可實現超10萬顆50 μm直徑通孔,200 μm通孔間距可靠性測試一次性通過率大幅提升。這條中試線單批次最大加工基板尺寸可達510 mm×515 mm,樣品規格覆蓋50 mm×50 mm至120 mm×120 mm多檔尺寸,產品主要面向HBM高頻寬記憶體、AI算力晶片2.5D封裝市場送樣評估。 DNP對外表示,公司佈局玻璃中介層研發已有超過十年時間,現階段並不急於大規模擴產。量產時間表確定為2028財年,產能建設規模將完全根據輝達、AMD等海外頭部晶片廠商長期驗證結果動態調整,每一輪濕熱、溫度循環、高壓蒸煮可靠性測試周期普遍達到12‑24個月。DNP技術團隊稱,當前最大瓶頸並非打孔工藝,而是多層布線壓合之後基板翹曲控制,當布線層數超過16層,基板平面度偏差需要控制在15 μm以內,才能夠滿足高端封裝裝置貼片精度要求。
海外巨頭DNP及Corning公佈TGV最新進展:良率與標準雙突破,國產廠商迎來追趕窗口期
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近日據韓媒報導,以京東方為代表的中國面板系企業正加快TGV玻璃基板試點線建設步伐,依託面板產業積累的大尺寸玻璃精密加工能力,在下一代AI先進封裝賽道加速追趕海外同行。當前大板級TGV樣品已進入多家客戶送樣驗證周期,但韓國行業觀察機構指出,良率水平、特種核心裝置、高端玻璃原片,將成為決定國產TGV產業能否實現產業化突圍的三大核心勝負手。 在後摩爾時代,AI大算力晶片、HBM記憶體堆疊、CPO光電共封裝對封裝基板提出更高要求。傳統有機基板在高頻損耗、大尺寸翹曲上逐漸觸達物理上限,矽中介層又受制於成本與晶圓尺寸,TGV玻璃基板被全球產業視作重要替代方案。不同於傳統半導體廠商,中國面板企業擁有數十年大尺寸超薄玻璃處理、精密光刻、鍍膜蝕刻的製造經驗,可復用面板級大板工藝路線,成為國產TGV賽道的一支特殊力量。 作為中國面板陣營的代表,京東方大板TGV試驗線已經完成全自動化通線,試驗線設計產能1000片/月,打通TGV雷射開孔、深孔填銅、高層數重布線全流程工藝,完成最高20層布線的大尺寸基板樣品開發,持續向中國AI晶片、封測企業開展送樣工作,部分客戶已經完成概念認證,進入冷熱循環、高溫高濕等長周期可靠性測試階段,產品瞄準算力晶片封裝以及CPO光引擎基板場景。 儘管送樣驗證有序推進,但韓國業內分析認為,國產面板系企業跨界TGV,依然要直面三大現實壁壘。
面板力量跨界半導體,京東方BOE等中國TGV試點線加速推進,三大瓶頸仍待突圍