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面板大廠跨界佈局TGV玻璃基板,長信,維信諾等國產算力載板賽道迎來突破窗口
隨著AI伺服器、CPO光電共封裝產業高速擴張,TGV玻璃通孔基板憑藉低訊號損耗、大尺寸可製造、熱穩定性好等優勢,成為下一代先進封裝的核心載體。依託顯示製造沉澱的光刻、鍍膜、精密蝕刻工藝,長信科技、維信諾、TCL華星等中國面板產業鏈企業加快跨界佈局,從工藝研發、中試搭建走向樣品送樣驗證,國產玻璃基板產業化處理程序持續提速。據機構預測,2030年全球半導體用玻璃基板市場規模有望達到45‑60億美元,算力與光通訊應用貢獻七成以上增量需求。 長信科技:深耕超薄玻璃深加工,推進TGV工藝送樣驗證 長信科技以超薄玻璃減薄業務為基礎切入TGV賽道,公司超薄0.1mm以下玻璃深加工國內市佔率超60%,全球市佔率約50%,基板平整度、微裂紋控制能力具備先發優勢。企業不涉足高難度的玻璃原片生產,聚焦打孔、填銅、精細線路等後段精密加工。目前TGV中試線正處在裝置偵錯階段,微孔深寬比可穩定做到10:1以上,樣品已經送樣長電科技、多家國產GPU與光模組廠商開展可靠性評測。按照企業規劃,力爭2026年底實現小批次試產,2027年根據客戶認證進度推進供貨。半導體基板行業認證周期普遍1‑3年,大規模商業化落地仍存在不確定性。 維信諾:依託OLED工藝積累,雙路線佈局面板級玻璃載板
海外巨頭DNP及Corning公佈TGV最新進展:良率與標準雙突破,國產廠商迎來追趕窗口期
近期,大日本印刷(DNP)、康寧​Corning先後對外披露玻璃通孔(TGV)基板最新研發成果,日本企業中試良率實現階段性躍升,美國材料巨頭髮布CPO玻璃基板行業參考規範,兩項動態引發全球先進封裝產業鏈高度關注。隨著AI算力晶片、共封裝光學(CPO)產品迭代加速,TGV玻璃基板被公認為下一代替代有機樹脂載板的核心方案,海外企業在良率、材料、標準化上持續深耕,也讓京東方、沃格光電、凱盛科技等中國頭部廠商迎來機遇與挑戰並存的產業競速時代。 DNP埼玉中試線良率突破85%,鎖定2028財年量產目標 大日本印刷DNP本周公開埼玉縣久喜工廠TGV玻璃芯基板中試線最新良率資料:針對0.3‑0.5 mm厚度無鹼硼矽玻璃基板,TGV通孔加工綜合良率已經穩定突破85%,厚300 μm基板單塊基板可實現超10萬顆50 μm直徑通孔,200 μm通孔間距可靠性測試一次性通過率大幅提升。這條中試線單批次最大加工基板尺寸可達510 mm×515 mm,樣品規格覆蓋50 mm×50 mm至120 mm×120 mm多檔尺寸,產品主要面向HBM高頻寬記憶體、AI算力晶片2.5D封裝市場送樣評估。 DNP對外表示,公司佈局玻璃中介層研發已有超過十年時間,現階段並不急於大規模擴產。量產時間表確定為2028財年,產能建設規模將完全根據輝達、AMD等海外頭部晶片廠商長期驗證結果動態調整,每一輪濕熱、溫度循環、高壓蒸煮可靠性測試周期普遍達到12‑24個月。DNP技術團隊稱,當前最大瓶頸並非打孔工藝,而是多層布線壓合之後基板翹曲控制,當布線層數超過16層,基板平面度偏差需要控制在15 μm以內,才能夠滿足高端封裝裝置貼片精度要求。
面板力量跨界半導體,京東方BOE等中國TGV試點線加速推進,三大瓶頸仍待突圍
近日據韓媒報導,以京東方為代表的中國面板系企業正加快TGV玻璃基板試點線建設步伐,依託面板產業積累的大尺寸玻璃精密加工能力,在下一代AI先進封裝賽道加速追趕海外同行。當前大板級TGV樣品已進入多家客戶送樣驗證周期,但韓國行業觀察機構指出,良率水平、特種核心裝置、高端玻璃原片,將成為決定國產TGV產業能否實現產業化突圍的三大核心勝負手。 在後摩爾時代,AI大算力晶片、HBM記憶體堆疊、CPO光電共封裝對封裝基板提出更高要求。傳統有機基板在高頻損耗、大尺寸翹曲上逐漸觸達物理上限,矽中介層又受制於成本與晶圓尺寸,TGV玻璃基板被全球產業視作重要替代方案。不同於傳統半導體廠商,中國面板企業擁有數十年大尺寸超薄玻璃處理、精密光刻、鍍膜蝕刻的製造經驗,可復用面板級大板工藝路線,成為國產TGV賽道的一支特殊力量。 作為中國面板陣營的代表,京東方大板TGV試驗線已經完成全自動化通線,試驗線設計產能1000片/月,打通TGV雷射開孔、深孔填銅、高層數重布線全流程工藝,完成最高20層布線的大尺寸基板樣品開發,持續向中國AI晶片、封測企業開展送樣工作,部分客戶已經完成概念認證,進入冷熱循環、高溫高濕等長周期可靠性測試階段,產品瞄準算力晶片封裝以及CPO光引擎基板場景。 儘管送樣驗證有序推進,但韓國業內分析認為,國產面板系企業跨界TGV,依然要直面三大現實壁壘。
最新資訊:Intel發佈電鍍新工藝專利,徹底解決TGV金屬化難題!
隨著 AI 大模型、HBM、Chiplet 高速互連需求爆發,傳統有機 ABF 基板的翹曲、頻寬、熱穩定性短板凸顯,玻璃基板憑藉高剛性、低介電損耗、熱膨脹可控等優勢,成為先進封裝下一代核心載體。而TGV 玻璃通孔金屬化的熱應力失效問題,一直是玻璃基板規模化量產的核心瓶頸。 2026 年 6 月 18 日,英特爾公開全新專利《BOTTOM-UP PLATING OF THROUGH-GLASS VIAS》,創新性推出自下而上電鍍 TGV 整套解決方案,通過可控空氣隙 + 復合緩衝層的雙重應力防護結構,搭配三大可量產工藝路線,從根源攻克玻璃與銅材料 CTE 失配導致的封裝失效難題,為玻璃基板商用落地掃清障礙。 傳統 TGV 工藝採用孔壁全覆蓋種子層、全域電鍍方案,銅金屬與玻璃側壁完全貼合。由於玻璃與銅熱膨脹係數差異極大,裝置冷熱循環工作中,介面會持續累積應力,滋生微裂紋,最終引發斷路失效。英特爾徹底顛覆傳統工藝邏輯,取消 TGV 側壁完整種子層,讓銅金屬從孔底向上定向生長,在側壁形成20-200nm 可控空氣隙,最優區間 40-140nm。該空氣隙為主動設計的應力緩衝結構,可吸收銅熱膨脹形變、切斷環形束縛應力,卸除 80% 以上介面熱應力,且不會影響導體導電性能,大幅提升封裝長期可靠性。 為適配不同封裝場景量產需求,專利配套三大成熟工藝路線,全面覆蓋高低端封裝市場。減法蝕刻 SE 工藝適配成本敏感、線寬容忍度高的通用基板,依託現有 PCB 產線即可生產,成品焊盤呈錐形凹形結構,性價比優勢顯著。改良半加成 mSAP 工藝聚焦高密度細線路、晶片級封裝與高精度 RDL 重布線場景,採用單面種子層不對稱結構,獨有 500-800nm 焊盤根部底切微觀特徵,適配高端精密封裝需求。流動腔體填充工藝專門針對帶嵌入式腔體、整合橋接晶片的復合玻璃基板,通過預填低粘度材料隔離電鍍液,實現 TGV 通孔定向電鍍,保障腔體無銅殘留、表面平整。