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RexAA
2026/10/19
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加碼下一代載板賽道,安捷利美維AKM披露玻璃基板投資與產業化規劃
在後摩爾時代,AI大算力晶片驅動HBM、Chiplet異構整合快速迭代,TGV玻璃基板被視作下一代高端封裝載板重要路線。國內封裝基板龍頭安捷利美維AKM已經明確將玻璃基板納入企業中長期戰略,依託上海研發先行、廈門基地落地產線的模式,推進樣品認證到中試的全流程佈局,加速追趕海外同行的技術進度。 從公開資訊來看,安捷利美維的玻璃基板研發起步於上海研發中心,前期重點完成TGV玻璃基板基礎工藝開發,已經面向全球AI晶片客戶送出認證樣品。現階段樣品尺寸集中在85‑100mm規格,採用9‑2‑9堆疊結構,企業同步推進120mm規格產品開發,目標服務GPU、HBM相關算力封裝市場。公司已經申請多項玻璃芯板、玻璃通孔相關發明專利,覆蓋玻璃通孔製備、高密度重布線等核心工藝環節,夯實技術專利壁壘。 生產產線層面,安捷利美維計畫在廈門高端載板基地內部建設玻璃基板專用產線,廈門基地整體項目總投資65億元,重點佈局FC‑BGA、類載板等高階封裝基板,玻璃基板產線作為前沿研發中試類股嵌入整體園區規劃之中。不同於傳統有機載板,玻璃基板產線涉及微孔加工、PVD沉積、通孔電鍍、精密佈線等全新工藝環節,公司將復用自身在mSAP半加成法、高密度布線的製造經驗,降低工藝轉化門檻。廣州南沙30億元先進封裝超級工廠,將承擔部分可靠性驗證、模組整合配套工作,形成研發‑中試‑驗證跨基地協同模式。 資本層面,國家大基金三期入股安捷利美維,為公司高端載板以及玻璃基板前沿技術研發提供資金支撐,公司每年保持8%左右的研發投入佔比,保障TGV項目持續迭代推進。對比海外新光電氣、康寧等企業,國內玻璃基板整體尚處於中試與客戶認證階段,距離大規模量產仍有良率、翹曲控制、通孔金屬化可靠性等諸多挑戰。安捷利美維選擇先做客戶樣品認證,再視市場反饋推進產線擴產,採取較為穩健的產業化節奏。
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#安捷利美維
#玻璃基板
#TGV
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RexAA
2026/10/11
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玻璃基板深度報告:以透明之芯,拓工藝之界(附PPT)
內容摘要: AI算力需求推動先進封裝升級,玻璃基板有望成為下一代封裝核心材料。隨著生成式AI、高性能計算等應用快速發展,晶片整合度、互連密度以及封裝尺寸持續提升,傳統有機載板和矽中介層逐漸面臨尺寸、熱穩定性、高頻訊號傳輸等方面的瓶頸。玻璃基板憑藉低熱膨脹係數、高平整度、低介電損耗以及支援大尺寸面板級製造等優勢,有望成為突破先進封裝瓶頸的重要方案。當前玻璃基板主要應用方向包括玻璃中介層、玻璃芯板、HBM臨時載板以及CPO光電共封裝平台,其中玻璃中介層和CPO光互連具備較高成長潛力。 先進封裝需求持續擴張,玻璃基板產業鏈有望迎來多環節價值量提升。當前AI晶片主要採用2.5D/3D先進封裝以及Chiplet異構整合方案,HBM堆疊數量提升推動中介層面積持續擴大,進一步提升對高性能封裝材料的需求。玻璃基板產業鏈覆蓋玻璃材料、TGV通孔製造、RDL再布線、光學結構以及檢測裝置等環節,其中玻璃原片、TGV/RDL工藝和AOI檢測是產業化關鍵環節。隨著技術成熟和客戶驗證推進,產業鏈價值量有望沿材料、製造、裝置及檢測環節逐步釋放。 海外龍頭加速佈局,國內企業積極推進技術突破,產業化處理程序仍處於早期階段,國產化成長可期。海外方面,英特爾、康寧、三星等企業圍繞玻璃基板、玻璃芯板及CPO光互連持續佈局,推動玻璃材料從傳統封裝載體向光電融合平台延伸。國內企業圍繞玻璃基封裝載板、TGV加工以及特種玻璃材料開展研發和驗證,部分企業已進入送樣測試或小規模應用階段。考慮到玻璃基板仍面臨良率、裝置工藝、客戶匯入周期等挑戰,產業規模化放量仍需持續觀察。
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#玻璃基板
#先進封裝
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RexAA
2026/10/11
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玻璃基板,大突破!
AI與高效能晶片越做越大,傳統有機基板面臨物理極限,玻璃基板因此被視為下一代先進封裝的重要候選材料。但玻璃通孔(TGV)等技術挑戰,使玻璃基板遲遲無法大規模商業化。韓國玻璃與電子零元件業者JNTC近期在玻璃通孔填銅技術取得突破,將過去需要半天甚至一天的製程,縮短至幾分鐘。 據韓國科技媒體《The Elec》10月6日報導,JNTC已將2mm玻璃基板的通孔填銅製程,從業界動輒半天到一天的工時,壓縮到數分鐘等級。 這款2mm產品已於今年6月完成開發,並通過美國終端客戶的品質驗證,以及日本凸版印刷(TOPPAN)的生產效率驗證。 JNTC計畫2027年開始量產供貨,並透過新廠擴充產能。外界推測,終端客戶可能是博通(Broadcom)。 玻璃基板的構想,是利用玻璃本身的材料特性,改善大型、高密度半導體封裝遇到的問題。傳統封裝基板大量使用有機材料,但當封裝尺寸不斷放大,不同材料之間熱膨脹係數不一致,會增加基板翹曲、出現裂痕的風險。
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2026/10/08
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三星推出超大玻璃基板:150mm尺寸,最高30層堆疊
在高端AI伺服器晶片先進封裝賽道持續加碼的三星電機(Samsung Electro-Mechanics),於KPCA韓國封裝展上對外展示新一代玻璃核心基板(Glass Core Substrate)研發成果,推出150mm超大尺寸、最高支援30層增層堆疊的玻璃基板樣品,標誌著三星在下一代HPC、AI晶片封裝基板領域,完成從傳統有機FCBGA向玻璃基異構整合的關鍵技術跨越,直面英特爾、台積電、京東方等全球對手的技術競賽。 傳統AI伺服器晶片長期採用ABF有機載板作為晶片承載基底,但隨著GPU、HBM、多晶片Chiplet整合度持續提升,晶片功耗不斷走高,有機材料與生俱來的高翹曲、高溫穩定性差、高速訊號損耗大等短板持續放大,已經逼近物理極限。玻璃基板憑藉熱膨脹係數與矽高度匹配、低介電損耗、高尺寸穩定性三大核心優勢,成為全球算力晶片產業公認的下一代封裝“新地基”,而大尺寸、高層數堆疊,正是玻璃基板量產落地最核心兩大技術門檻。 本次三星推出的150mm玻璃基板,相比此前行業主流110mm級產品,基板有效面積大幅提升,單塊基板可承載更多Chiplet與HBM記憶體組合,適配超大尺寸AI算力晶片封裝需求。而最高30層堆疊工藝,是本次展品最大亮點。在多層增層工藝中,每一層都需要完成超精細線路製作、層間精準對位、TGV玻璃通孔互連,層數越高,層間對位偏差、翹曲、分層失效風險呈指數級上升。三星電機依靠多年FCBGA高層基板工藝積累,結合與住友化學合資成立Glass EM開發的專用玻璃芯材料,攻克多層增層與TGV垂直互連一體化難題,實現30層結構穩定成型,基板內部整合高密度垂直通孔,為多晶片之間提供低寄生、高速電訊號通道,支撐未來Co-Package共封裝、2.1D/2.5D異構整合方案落地。 在材料供應鏈佈局層面,三星電機與日本住友化學聯合設立Glass EM合資公司,在韓國平澤建設玻璃芯產線,鎖定玻璃基板核心原材料供給,計畫2027年下半年啟動量產,為這款150mm、30層規格玻璃基板做好上游材料保障。同時三星已經向頭部AI客戶送樣測試,開展可靠性、高低溫循環、高速訊號完整性驗證,目標用於下一代伺服器AI晶片封裝。
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RexAA
2026/10/07
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玻璃基板技術重大突破,原本半天起步的工序壓縮到分鐘等級
快要大規模化了 韓國媒體The Elec報導,韓國玻璃基板廠商JNTC(제이앤티씨)近日宣佈,已成功開發出大幅提升玻璃通孔(TGV)銅填充速度的核心技術。這項技術將原本需要半天到一天的填充時間壓縮至分鐘等級,美國主要半導體客戶的產品驗證也已完成,計畫從明年起啟動玻璃芯量產供應。 TGV技術是在玻璃上形成微細通孔並填入銅,以實現基板上下層電氣連接的關鍵工藝。 玻璃基板是先進封裝的下一代載體。相比有機基板,它更平整、熱膨脹係數更低、剛性更高,能減少大尺寸封裝翹曲。它支援更細線路和更高密度互連,適合Chiplet、HBM與AI晶片,可提升訊號完整性、能效和封裝尺寸上限。簡單說,它讓晶片封裝更大、更密、更穩、更快。
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RexAA
2026/10/04
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台積電玻璃基板調研:先替代BT載板,而非ABF
2028年,一個聽起來還有些遙遠的年份。但對半導體行業而言,那可能是一個被寫進產業史的時刻——按照台積電的里程碑規劃,玻璃基板將在那一年正式走進先進封裝產線。 玻璃?對,就是手機蓋板上那塊玻璃。如今,它正被視作晶片封裝領域的"潛力選手",準備掀起一場材料變革——只不過,這場變革的路線圖,比外界想像的更複雜,也更克制。 四句話看懂全域。 玻璃基板的短期目標是替代BT載板,而非ABF載板;替代路徑是"先BT、後ABF",是一場有節奏的接力;
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戰略玩家Chasel
2026/10/01
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【1001 台股產業重點|通膨壓力降溫,AI擴產進入設備與電力階段】
美國8月核心PCE年增3.0%、低於預期,職缺與消費者信心同步降溫,使市場對Fed 10月升息的押注明顯下降。雖然30年期美債殖利率仍處高檔,但利率壓力暫時緩解,有利科技股估值獲得喘息。 台灣景氣燈號連續第三個月維持紅燈,領先與同時指標同步上升,顯示內需、出口及科技投資仍具支撐。籌碼方面,9月30日外資轉買296億元,三大法人合計買超386億元,台指期空單小幅下降至7.8萬口,市場情緒略有改善;不過外資空單仍高,48,000點附近也持續出現獲利了結賣壓。 產業面可聚焦四條主線: 第一,2奈米與先進封裝。台積電2奈米需求持續升溫,多家AI與行動裝置客戶傳出追加訂單,產能規劃同步提前。隨晶片尺寸、功耗與頻寬需求提升,先進封裝、ASIC、ABF載板、CCL及CPO光通訊的重要性將持續增加。
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RexAA
2026/09/30
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TGV玻璃基板金屬化產業鏈解析:PVD、電鍍裝置與藥水供應鏈格局
在AI算力晶片、HBM、CPO等高性能封裝需求驅動下,玻璃基板憑藉低翹曲、低介電、大尺寸可加工等優勢,成為下一代芯基板核心方案,而TGV玻璃通孔則是實現晶片垂直互連的核心載體。行業普遍認為,雷射成孔工藝已經進入成熟驗證階段,TGV金屬化(PVD種子層+電鍍填銅+配套化學藥水)是當前整個產業鏈最大的量產瓶頸,直接決定玻璃基板能否在2027–2028年實現規模化匯入。TGV金屬化分為兩大核心工序:首先通過PVD磁控濺射在絕緣玻璃通孔內壁沉積Ti阻擋層與Cu導電種子層;再依靠ECD電鍍裝置與專用填銅藥水,實現高深徑比通孔無空洞填銅。整套工藝對裝置保形鍍膜能力、電化學加入劑體系、玻璃與金屬介面附著力要求極高,全球供應鏈呈現海外龍頭主導、中國廠商加速驗證替代的競爭格局。 一、海外廠商:成熟工藝包領跑,頭部基板廠首選方案 海外半導體巨頭佈局TGV金屬化多年,已經形成PVD裝置、電鍍機台、專用藥水一體化工藝包,是Intel、三星電機、友達、群創等國際基板與OSAT廠商樣品線的主流選型。 在PVD磁控濺射裝置領域,美國應用材料Applied Materials Endura系列是晶圓級TGV種子層標竿裝置,高保形磁控濺射技術,可在高深徑比通孔內部均勻沉積Ti/Cu膜層,是Intel玻璃基板項目主力評估機型;同屬美國的泛林Lam Research Vectra PVD,主打晶圓級通孔濺射,常與Atotech電鍍藥水聯合開發成套TGV金屬化工藝包。日本陣營以ULVAC愛發科、佳能安內華Canon Anelva為代表,ULVAC是日本JOINT3玻璃基板聯盟核心PVD供應商,同時覆蓋晶圓與大板Panel雙路線,日系玻璃基板企業優先選用。
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