隨著 AI 大模型、HBM、Chiplet 高速互連需求爆發，傳統有機 ABF 基板的翹曲、頻寬、熱穩定性短板凸顯，玻璃基板憑藉高剛性、低介電損耗、熱膨脹可控等優勢，成為先進封裝下一代核心載體。而TGV 玻璃通孔金屬化的熱應力失效問題，一直是玻璃基板規模化量產的核心瓶頸。 2026 年 6 月 18 日，英特爾公開全新專利《BOTTOM-UP PLATING OF THROUGH-GLASS VIAS》，創新性推出自下而上電鍍 TGV 整套解決方案，通過可控空氣隙 + 復合緩衝層的雙重應力防護結構，搭配三大可量產工藝路線，從根源攻克玻璃與銅材料 CTE 失配導致的封裝失效難題，為玻璃基板商用落地掃清障礙。 傳統 TGV 工藝採用孔壁全覆蓋種子層、全域電鍍方案，銅金屬與玻璃側壁完全貼合。由於玻璃與銅熱膨脹係數差異極大，裝置冷熱循環工作中，介面會持續累積應力，滋生微裂紋，最終引發斷路失效。英特爾徹底顛覆傳統工藝邏輯，取消 TGV 側壁完整種子層，讓銅金屬從孔底向上定向生長，在側壁形成20-200nm 可控空氣隙，最優區間 40-140nm。該空氣隙為主動設計的應力緩衝結構，可吸收銅熱膨脹形變、切斷環形束縛應力，卸除 80% 以上介面熱應力，且不會影響導體導電性能，大幅提升封裝長期可靠性。 為適配不同封裝場景量產需求，專利配套三大成熟工藝路線，全面覆蓋高低端封裝市場。減法蝕刻 SE 工藝適配成本敏感、線寬容忍度高的通用基板，依託現有 PCB 產線即可生產，成品焊盤呈錐形凹形結構，性價比優勢顯著。改良半加成 mSAP 工藝聚焦高密度細線路、晶片級封裝與高精度 RDL 重布線場景，採用單面種子層不對稱結構，獨有 500-800nm 焊盤根部底切微觀特徵，適配高端精密封裝需求。流動腔體填充工藝專門針對帶嵌入式腔體、整合橋接晶片的復合玻璃基板，通過預填低粘度材料隔離電鍍液，實現 TGV 通孔定向電鍍，保障腔體無銅殘留、表面平整。

玻璃基板是物理基材載體，TGV（玻璃通孔）是基板實現垂直互連的核心加工工藝，二者組合形成TGV玻璃中介基板，是高端AI晶片先進封裝的關鍵底層支撐，三者形成 “材料基底-互連工藝-算力終端” 的依存閉環。 玻璃基板提供低介電、低熱膨脹、高平整的絕緣基底，解決AI晶片大尺寸、高功耗封裝下有機基板翹曲、矽中介層成本過高的痛點，為多芯粒、HBM視訊記憶體堆疊提供承載平台。若無TGV工藝，玻璃基板僅為絕緣薄板，無法實現上下層電路導通；TGV通過雷射打孔、金屬填孔建構高密度垂直導電通道，大幅縮短AI晶片訊號路徑，降低高頻傳輸損耗，釋放算力頻寬。AI晶片算力迭代倒逼封裝基材與工藝升級，催生TGV玻璃基板產業化TGV玻璃基板則突破傳統封裝互連密度、訊號完整性瓶頸，支撐兆參數大模型AI晶片實現高速異構整合，三者相互約束、協同迭代，共同構築後摩爾時代算力封裝技術體系。 一、核心概念界定 1. TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）技術

AI 大模型與超算算力需求的爆發式增長，正在將半導體先進封裝推向技術變革的臨界點。傳統晶圓級 CoWoS 封裝在尺寸上限、材料利用率、高頻性能上逐步逼近物理瓶頸，以玻璃基板為核心載體、TGV（玻璃通孔）為垂直互連核心的 CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate，面板級封裝）技術快速崛起，推動先進封裝從 “圓形晶圓時代” 邁入 “方形面板時代”，成為支撐 Chiplet 異構整合與 HBM 高頻寬儲存的關鍵技術。 從 CoWoS 到 CoPoS，封裝形態的 “化圓為方” 過去數年，以台積電 CoWoS 為代表的 2.5D 晶圓級封裝，成為算力晶片的標配技術。但隨著單顆 AI 晶片整合的電晶體數量突破千億級、HBM 堆疊層數向 12-16 層演進，封裝尺寸持續擴張，傳統 300mm 圓形矽晶圓的短板日益凸顯。圓形基材切割方形晶片天然存在邊角浪費，面積利用率僅約 65%；受光罩尺寸限制，單顆封裝最大面積逼近 9.5 倍光罩的物理天花板；高純矽中介層成本居高不下，單片成本已佔封裝總成本的一半以上。 CoPoS 技術的核心思路是，將封裝載體從圓形矽晶圓取代為大面積矩形面板，實現封裝產能與尺寸的提升。根據行業公開技術路線，CoPoS 面板規格覆蓋 310×310mm、515×510mm 至 750×620mm 多個檔位，最大面板的可利用面積是 12 英吋晶圓的 5-8 倍，材料利用率可提升至 90% 以上，單位封裝成本降低 20%-30%。

一、核心結論 1、產業整體處於匯入期末至成長期初的過渡階段，“2026產業元年”已成為業界共識。 TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）玻璃基板是先進封裝領域最具戰略價值的新材料之一，通過在玻璃基板上加工微米級通孔並填充導電材料，實現晶片間垂直互連。興業證券明確提出“AI算力迭代驅動先進封裝變革，玻璃基板迎來2026產業元年，行業高增長確定性凸顯”。從市場資料看，2026年全球TGV基板市場規模約2.91億美元，預計2033年達9.74億美元，CAGR為18.84%；全球玻璃通孔加工市場2025年約5.08億美元，預計2032年達16.74億美元，CAGR為18.9%。玻璃基板在IC封裝基板中的整體滲透率（按價值口徑）尚處極低水平——全球IC封裝基板行業2026年規模將達214億美元，玻璃基板在其中佔比不足2%——正處於匯入期末向成長期跨越的臨界位置。 2、AI算力革命是TGV玻璃基板需求爆發的核心驅動力，滲透率曲線正進入陡峭上升段。隨著AI晶片面積持續擴大、熱量急劇攀升，傳統有機基板在翹曲、散熱和訊號完整性方面日益逼近物理極限。玻璃基板憑藉低介電常數（約3.7-5.5，矽約為11.7）、低熱膨脹係數（與矽高度匹配）、高平整度和優異尺寸穩定性，成為AI晶片先進封裝的理想載體。據Prismark預測，未來3年內玻璃基板滲透率將達到30%，未來5年內有望突破50%。Yole Group資料顯示，2025至2030年半導體玻璃晶圓出貨量CAGR將超10%，其中HBM與邏輯晶片封裝領域需求增速高達33%。AI晶片封裝對高深寬比（>50:1）TGV的需求年增長高達45%。 3、技術路線趨於成熟，雷射誘導蝕刻成主流方案，國產裝備實現重大突破。 TGV成孔技術已基本完成工藝驗證並進入規模化匯入階段，當前行業已形成雷射鑽孔、噴砂及LIDE等多種成熟技術路線。雷射誘導蝕刻憑藉加工精度高、成孔快、深寬比高、無損傷等優勢被廠商普遍採用。2026年，國產TGV裝備取得里程碑式突破——華工雷射TGV玻璃通孔雷射加工智能裝備已完成整機定型，核心部件（雷射器、振鏡、控制系統）實現100%國產化，加工效率達5000-8000孔/秒，較行業平均水平實現5-8倍的效率躍升。大族雷射針對TGV研發了FLEE（飛秒雷射增強玻璃蝕刻）量產級工藝。海目星已具備雷射與刻蝕全鏈條一體化能力。國產裝備的突破正在從根本上改變TGV產業化的供給端約束。

先說下本文核心的七個結論 1. CoPoS 的本質不是「玻璃基板革命」，而是把 CoWoS-L 類似的 LSI/RDL 中介層製造，從圓形 wafer 平台轉到方形 panel 平台。 2. 初期 CoPoS 即使使用玻璃，也主要是臨時玻璃基板 glass carrier 的製程應用，做完後會去除，不是最終封裝 BOM 裡的永久玻璃基板。 Fan-out 封裝多年來就大量使用臨時玻璃基板，因此我們不能把 2028台積電的CoPoS 量產等同於玻璃基板爆發，這是兩碼事。

AI晶片徹底帶火了玻璃新材料。 玻璃基板是新型顯示、半導體先進封裝、光通訊光電模組領域不可或缺的核心基礎電子材料，被稱作電子產業的“工業基石”。隨著AI算力需求的爆發，傳統封裝材料正逼近物理極限。作為下一代先進封裝的關鍵底座，TGV玻璃基板成為全球半導體行業巨頭爭相佈局押注的賽道。 AI晶片封裝邁向“玻璃時代”，面對目前玻璃基板高端市場完全由美日頭部企業把控的局面，2026年3月正式印發的《“十五五”新材料產業發展專項規劃》，明確要求到2030年高端半導體封裝玻璃基板實現小批次自主供貨，打破美日企業長期壟斷格局。以中國建材集團旗下凱盛科技、北京市國企京東方、藍思科技為代表的央企國企及民企正在同步推進技術攻堅。 01

五月我們寫過玻璃基板。那篇的落點很清楚：矽中介層做到光罩極限了，玻璃是唯一的解；TGV工藝三步：打孔、鍍銅、布線。每一步都在挑戰工藝極限；TGV雷射裝置被德國LPKF和4JET卡著，中國國產帝爾雷射、華工雷射還在樣機驗證。 那篇留了一個判斷：TGV裝置是整條鏈最大的中國國產替代缺口。 一個多月過去，缺口還是那個缺口。但裝置已經從"驗證"走到了"出貨"。 五月底，帝爾雷射宣佈TGV裝置完成晶圓級和面板級全覆蓋，已向客戶出貨。德龍雷射建了從濕法清洗到雷射誘導再到刻蝕的整條實驗線，TGV系列產品投放市場，已有銷售。更具體的一個訊號來自京東方：他們採購了大族數控的超快雷射鑽機，用於玻璃基板產線。

在先進封裝領域，TSV（矽通孔）技術已經廣為人知。但近年來，TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）技術正以驚人的速度崛起，成為射頻前端、MEMS封裝、光通訊乃至2.5D/3D先進封裝的關鍵互連方案。 一、什麼是TGV？為什麼需要TGV？ TGV是在玻璃基板上製作垂直導電通孔的三維封裝技術。與傳統的矽通孔（TSV）相比，TGV具有以下核心優勢： 天然絕緣