全球首個第六代HBM！4nm、性能大爆發

全球首個第六代HBM！三星完成HBM4記憶體邏輯晶片設計：4nm工藝、性能大爆發

快科技 1 月 5 日消息，據韓國朝鮮日報報導，三星 DS 部門儲存業務部最近完成了 HBM4 記憶體的邏輯晶片設計。Foundry 業務部方面也已經根據該設計，採用 4nm 試產。 待完成邏輯晶片最終性能驗證後，三星將提供 HBM4 樣品驗證。

邏輯晶片即 Logic die（又名 Base die），對 HBM 堆疊發揮大腦作用，負責控制上方多層 DRAM 晶片。

報導引用韓國市場人士說法，執行階段發熱是 HBM 的最大敵人，而在堆疊整體中邏輯晶片更是發熱大戶，采先進製程有助改善 HBM4 能效與性能表現。

除自家 4nm 製造邏輯晶片外，HBM4 還匯入 10nm 製程生產 DRAM。

HBM（High Bandwidth Memory）即高頻寬儲存器，主要應用於高性能計算（HPC）、人工智慧（AI）和圖形處理（GPU）等領域。

HBM 的優點在於打破了記憶體頻寬及功耗瓶頸。其核心優勢在於採用了 3D 堆疊技術，將多個 DRAM 晶片垂直堆疊在一起，通過硅通孔（TSV）技術實現晶片間的高速訊號傳輸，大大縮短了資料傳輸的距離和延遲，從而能夠以極高的頻寬為處理器提供資料支援。

HBM 特性尤其適合搭配 GPU 進行密集資料的處理運算。輝達新一代 AI 晶片，均搭載 HBM 記憶體。

HBM 產品問世至今，HBM 技術已經發展至第六代，分別為 HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3 的擴展版本）以及 HBM4。

HBM1 作為最早的版本，帶來了 128GB/s 的頻寬，開啟了高頻寬記憶體的應用。隨後，HBM2、HBM3 等相繼問世，每一代都在頻寬、容量和能效等關鍵指標上實現了顯著突破。

從業界資料來看，HBM4 標準支援 2048 位介面和 6.4GT/s 的資料傳輸速率。相比 HBM3E，HBM4 的單個堆疊頻寬已達到 1.6TB/s，極大地提升了記憶體系統的資料吞吐能力，能夠更高效地滿足人工智慧、深度學習、巨量資料處理和高性能計算等領域對記憶體性能日益苛刻的需求。

HBM 供應商在各代產品中往往會推出不同堆疊層數的產品，如 HBM3e 的 8hi（8 層）及 12hi（12 層），而 HBM4 世代則規劃了 12hi 及 16hi。

去年 11 月，三星電子儲存部門執行副總裁 Jaejune Kim 在第三季度財報公佈後召開的電話會議上表示，今年三季度 HBM 總銷售額環比增長超過 70%，HBM3E 8 層和 12 層堆疊產品均已量產並開始銷售，HBM3E 的銷售佔比已上升至 HBM 總銷售額的 10% 左右，預計第四季度 HBM3E 將佔 HBM 銷售額的 50% 左右。

三星的 HBM4 開發工作正在按計畫進行，目標是在 2025 年下半年開始量產。 (芯榜)